Патент ссср 402018

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

402018

СОюз Советск:::

Социалнстмческня

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 12Л 11.1972 (¹ 1812305/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 12.Х.1973. Бюллетень ¹ 41

Дата опубликования описания 26.I I.1974

Кл. б 06g 7,,:46

Государственный ксмнтет

Совета Мннист„"сс СССР па делам и,".:ссре-ен: и и сткрытнй

УДК 681.333(038.8) Автор изобретения

В. И. П анчиши1!

Заявитель

Институт математики AH Украинской ССР

УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ЗАДАЧ

ТЕОРИИ ПОЛЯ

Изобретение относится к области аналоговой вычислительной техники.

Известное устройство для моделирования сетки переменной структуры содержит в качестве управляемых резистивных элементов оптроны.

Однако в данном случае в оптроне как элементе сетки в качестве источника светового излучения использована электрическая лампа накаливания, для управления световым потоком которой требуется достаточно мощный электрический сигнал постоянного воздействия. Это требует сложного и дорогого электронного устройства для управления световым потоком.

Лампа накаливания плохо совмещается с транзисторными схемами и непригодна для применения с интегральными схемами.

Кроме того, световое сопротивление фотоприемника оптронной пары — фоторезистора не может быть меньшим, чем 10 ом при маломощном источнике светового излучения и имеет малую кратность изменения сопротивления.

Предлагаемое устройство для моделирования задач теории поля, содержащее в качестве элемента моделирующей сетки переменной структуры термонтрон отличается от известных тем, что, с целью совместимости с транзисторными и интегральными схемами, повышения чувствительности к управляющему электрическому сигналу и увеличения диапазона изменения сопротивления, оно содержит в качестве основных элементов плоскостной транзистор, которыи своим р — и переходом подогревает термистор и, находясь с ним в тепловом контакте, обеспечивает изменение его сопротивления в зависимости от изменения на управляющем электроде транзистора величи10 ны электрического сигнала. Термистор установлен на р — n переходе транзистора, где температура перехода Т„достигает максимальных значений. При этом гальваническая связь между транзистором и термистором от15 сутствует. Это дает возможность использовать вредное в других случа 1x тепловыделение транзистора и применять его в качестве управляемого преобразователя электрической энергии в тепловую. Тепловыделение транзи20 стором может быть изменено в широких пределах за счет высокой чувствительности его к изменению регулируюгцего напряжения на управляющем электроде.

Конструктивно предложенное устройство

2S отличается от известных тем, что, с целью расширения класса решаемых задач, сетка переменной структуры выполнена на термотронах, управляющие электроды транзисторов которых соединены через блок управления с

30 программным блоком, а электроды питания

402018 противление термистора 6 равно исходному значению. В момент подачи напряжения на базу транзистор 5 открывается, температура его перехода Т, ïðîïîðöèîïàëüíî возрастает, и происходит теплоотдача в термистор 6. В результате его сопротивление изменяется в соответствии с выбранным коэффициентом теплопередачи К. Управление проводимостями транзисторов посредством их термоизлуче10 ния приводит к изменению сопротивления термисторов, а следовательно, изменяет структуру проводимости сетки по необходимому закону. Изменение параметров проводимости сетки контролируется при помощи блока 8.

Устройство для моделирования задач теории поля, содержащее модель-сетку перемен20 ной структуры, программный блок, блок управления, блок питания и блок контроля и измерения, отлича ощееся тем, что, с целью расширения класса решаемых задач, в нем модель-сетка переменной структуры выполнеZS на в виде термотронов, термисторы которых установлены на р — а переходе транзисторов термотронов, управляющие электроды транзисторов соединены через блок управления с программным блоком, а одноименные элекЗ0 троды питания соединены параллельно и подключены к блоку питания; термисторы термотронов соединены в сетку, узлы которой подключены к блоку контроля и измерения.

ЦНИИПИ

Заказ 409)9 Изд. № 109

Тираж 647

Подписное

Типография, пр. Сапунова, 2 соединены с блоком питания. При этом термисторы термотронов соединены в сетку, узлы которой подключены к блоку контроля и измерения параметров структуры сетки.

На чертеже представлена блок-схема устройства, где для наглядности выделен один узел включения термотронов в сетку.

Устройство содержит программный блок 1; блок 2, вырабатывающий сигналы управления структурной сетки; сетку переменной структуры 3; термотрон 4 (в целом); транзистор-подогреватель 5; термистор 6; блок 7 питания транзисторов и блок 8 контроля и измерения параметров структуры сетки.

Термотрон 4 как основной элемент сетки 3 может быть выполнен промышленным путем в едином технологическом цикле или собран индивидуально из транзистора и термистора.

При этом необходимо, чтобы термистор был установлен на р — и переходе в месте максимальной теплоотдачи Т„„„, Термисторы всех узлов соединены в сетку, электроды питания-эмиттеры и коллекторы транзисторной части термотронов 4 подключены к источнику питания 7, а на управляющие электроды — базы транзисторов подаются напряжения управления проводимостью сетки с блока управления 2.

При отсутствии напряжения на базе транзистора 5 его полупроводниковый переход заперт, ток не проходит, и температура перехода Т, равна начальному значению Тв, а соПредмет изобретения