Полупроводниковый элемент памяти
Полупроводниковый элемент памяти, выполненный на основе структуры металл-диэлектрик-полупроводник, диэлектрик которой состоит из слоев двуокиси кремния и нитрида кремния, причем окись кремния обеспечивает туннельное прохождение электронов, отличающееся тем, что, с целью расширения диапазона времени хранения информации, между двумя диэлектрическими слоями расположен островковый слой проводящего материала, например кремния.
Похожие патенты:
Интегральная схема // 208056
Полупроводниковая интегральная схема // 2104601
Способ изготовления моноп-ячейки памяти, ячейка памяти и матричный накопитель на ее основе // 2105383
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда
Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству с выполненной в виде колонны ячейкой стираемой программируемой постоянной памяти с плавающим затвором и управляющим затвором и к способу для его изготовления
Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями
Энергонезависимая ячейка памяти // 2205471
Устройство памяти и способ изготовления // 2247441
Изобретение относится к области электрически записываемых и стираемых энергонезависимых флэш-ЗУ
Ячейка матрицы памяти // 2263373
Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии
Изобретение относится к ферроэлектрическому или электретному запоминающему контуру (С) с повышенной стойкостью к усталости
Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным логическим элементам СБИС
Ячейка памяти // 2287206
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств
