Структуры статических запоминающих устройств с произвольной выборкой (H01L27/11)
H Электричество(232322)
H01L27/11 Структуры статических запоминающих устройств с произвольной выборкой(31)
Использование: для производства энергонезависимой памяти. Сущность изобретения заключается в том, что производство энергонезависимой памяти включает в себя следующие этапы.
Порт чтения // 2693331
Изобретение относится к устройствам цифровой вычислительной техники и может быть использовано в качестве базового элемента при построении многопортовых запоминающих устройств. Техническим результатом является расширение функциональных возможностей порта за счет его использования при построении многопортовых запоминающих устройств.
Предложены технологии создания линий доступа в энергонезависимом запоминающем устройстве. Варианты технологий содержат создание одного или нескольких проходящих через матрицу сквозных отверстий в части матрицы ячеек памяти в составе энергонезависимого запоминающего устройства, такой как область собственно матрицы ячеек памяти или периферийная область, так что через эти сквозные отверстия могут быть проложены одна или несколько линий выборки вместо того, чтобы прокладывать эти линии над или под областью собственно матрицы ячеек памяти или периферийной областью в матрице ячеек памяти.
Предложена многоуровневая укладка элементов памяти, имеющих слой из оксида алюминия (AlOx) в качестве благородного слоя HiK для обеспечения избирательности остановки вытравливания. Каждый уровень укладки включает в себя устройство элемента памяти.
Ячейка сегнетоэлектрической памяти // 2649622
Изобретение относится к области устройств энергонезависимой памяти на основе явления сегнетоэлектричества с деструктивным считыванием, к которому предъявляются жесткие требования к ресурсу, времени хранения информации и энергоемкости.
Использование: для создания элемента памяти. Сущность изобретения заключается в том, что элемент памяти включает проводящие слои первого и второго уровня, расположенный между ними и непосредственно под проводящим слоем второго уровня слой диэлектрика толщиной от 3 до 100 нм, изолирующую щель в форме открытого торца слоя диэлектрика, находящийся в изолирующей щели материал с переменной проводимостью, меняющейся при прохождении через него потока электронов, и среду, контактирующую с поверхностью изолирующей щели и обеспечивающую обмен частицами материала с переменной проводимостью, между изолирующей щелью и проводящим слоем первого уровня расположен дополнительный диэлектрический слой толщиной от 1,3 до 3 нм.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в упрощении коммутации ячеек памяти.
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, управляемым только изменением электрического тока или электрического потенциала. Электрически перепрограммируемый запоминающий прибор состоит из определенного порядка резистивно-программируемых ячеек памяти, сформированных в халькогенидном материале, который включает как минимум две запоминающие ячейки, вышеназванные ячейки памяти имеют как минимум два интерфейса между халькогенидными пленками, в одних из вышеназванных пленках содержится кислород или фтор, и эти вышеназванные халькогенидные пленки контактируют (имеют интерфейс) с многослойным халькогенидным материалом, содержащим определенную концентрацию электрически активных примесей-доноров, и этот вышеназванный многослойный халькогенидный материал помещен между двумя вышеназванными ячейками памяти и множеством электродов, включающих первый и второй электроды и два отводящих электрода, вышеназванный первый электрод позиционирован ниже всех и он электрически контактирует с нижней областью первой ячейки памяти, вышеназванный второй электрод позиционирован сверху и он электрически контактирует с верхней областью второй ячейки памяти, и вышеназванные два отводящих электрода, расположенных между вышеназванными первым и вторым электродами и электрически контактирующих с вышеназванной высшей областью вышеназванной первой ячейки памяти и с вышеназванной низшей областью вышеназванной второй ячейки памяти.
Способ изготовления активного слоя для универсальной памяти на основе резистивного эффекта // 2611580
Способ относится к вычислительной технике - к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключенном питании. Способ изготовления активного слоя для универсальной памяти на основе резистивного эффекта включает осаждение на подложку слоя диэлектрика - окиси гафния.
Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства // 2584728
Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства предназначен для хранения информации при отключенном питании. На полупроводниковой подложке с истоком и стоком между последними выполнены туннельный слой, дополнительный туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор.
Изобретение относится к микросистемной технике, а именно к способу изготовления энергонезависимых электромеханических элементов памяти с подвижными электродами. Согласно способу наносят на подложку в виде кремниевой монокристаллической пластины изолирующий диэлектрический слой и легированный слой кремния, затем формируют неподвижные и подвижные электроды одновременно в плоскости наносимых изолирующего диэлектрического и легированного кремниевого слоев параллельно плоскости подложки.
Изобретение относится к области микроэлектроники. Радиационно-стойкая энергонезависимая программируемая логическая интегральная схема включает функциональные блоки, систему межсоединений и конфигурационную матрицу программируемых ячеек.
Флэш элемент памяти // 2546201
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в снижении паразитной емкости между плавающими затворами соседних флэш элементов памяти и предотвращении стирания информации соседних флэш элементов памяти.
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегрального элемента логики и/или энергонезависимой памяти на основе структур металл-изолятор-металл (МИМ). Задачей данного изобретения является создание мемристора, который отличается отсутствием «формовки» при первоначальном переключении структуры в состояния с малым сопротивлением.
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано при создании и многократном регулировании сопротивления металлических перемычек, соединяющих электроды твердотельных приборов, работа которых основана на полярнозависимом электромассопереносе в кремнии (ПЭМП).
Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. .
Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства // 2368037
Изобретение относится к вычислительной технике. .
Ячейка матрицы энергонезависимой памяти // 2302058
Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. .
Ячейка памяти // 2287206
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств. .
Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным логическим элементам СБИС. .
Изобретение относится к ферроэлектрическому или электретному запоминающему контуру (С) с повышенной стойкостью к усталости. .
Ячейка матрицы памяти // 2263373
Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. .
Устройство памяти и способ изготовления // 2247441
Изобретение относится к области электрически записываемых и стираемых энергонезависимых флэш-ЗУ. .
Энергонезависимая ячейка памяти // 2205471
Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями. .
Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству с выполненной в виде колонны ячейкой стираемой программируемой постоянной памяти с плавающим затвором и управляющим затвором и к способу для его изготовления.
Способ изготовления моноп-ячейки памяти, ячейка памяти и матричный накопитель на ее основе // 2105383
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда.
Полупроводниковая интегральная схема // 2104601
Интегральный логический элемент // 2062528
Ячейка базового матричного кристалла // 2035088
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к большим интегральным схемам (БИС), и может быть использовано при конструкции базовых матричных кристаллов (БМК). .
Базовое матричное устройство // 1690513
Изобретение относится к логическим интегральным схемам с матричным расположением элементов. .
Изобретение относится к области вычислительной технике и может быть использовано при разработках базовых матричных кристаллов и матричных БИС на ЭСЛ-ключах для работы в субнаносекундном диапазоне задержек распространения сигналов.
Элемент памяти (его варианты) // 1153769
Элемент памяти // 1153768
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к элементам памяти. .
Полупроводниковый элемент памяти // 405474
Интегральная схема // 208056
