Способ получения изображений на электрохимической бумаге
О П И С Л Н <Е.
ИЗОБРЕТЕНИЯ 4 7266
Союз боватскин
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зави имое 0Т авт, свидетельства №
Заявлено 05.Ъ 11.1971 (№ 1677404/28-12) М. Кл. 6 03g 17/00 с присоединением заявки №
Приоритет
Гасударственный комитет
Саавта Министраа СССР аа делан юааретений н аткрытий
Опубликовано 21,Х1,1973. Бюллетень № 46
Дата опубликования описания 14Х1.1974
УДК 681.646(088.8) Авторы изобретения
А. А. Гринберг, Л. Г. Парицкий и Л. В. Удод
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе
Заявитель
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОБРА)КЕНИЙ НА
ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ БУМАГЕ
Изобретение относится к технике записи на электрохпми Iеской бумаге II может быть использовано в полупроводниковых фотоэлектрокондуктографических устройствах с использованием электроннодырочных переходов для выполнения съемки в инфракрасных лучах.
Известен фотоэлектрокондуктографнческий способ получения изображений в многослойных полупроводниковых фотогр афических устройствах с использованием в качестве фотоприемника электроннодырочного перехода.
Основным недостатком описанного способа является низкое значение величины разрешающей способности получаемых изображений, что обусловлено, в основном, растеканием неравновесных носителей тока вдоль полупроводниковых слоев.
Уменьшение толщин полупроводниковых слоев связано с большими технологическими трудностями и сопровождается уменьшением чувствительности.
С целью повышения величины разрешающей способности изображений, получаемых в фотоэлектрокондуктографических устройствах с электроннодырочным переходом, по предлагаемому способу во время экспонирования фотоприемник подвергают воздействию магнитного поля, охватывающего всю площадь фотоприемника, причем вектор индукции магнитного поля направлен перпендикулярно плоскости фотоприемника.
На фиг. 1 показан предлагаемьш фотоэлектрокондуктографическпй способ полу чення изображений; на фиг. 2 — частотно-контрастные характеристики без воздействия магнитного поля (кривая а) и при наличии магнитного поля различной по величине напряженности (10, 20, 30 кэрст) .
1р Используют низкоомный диффузионный полупроводниковый слой 1 (фиг. 1), на внутренней поверхности которого создается поверхностно-барьерный или диффузионньш электроннодырочный переход 2, за которым
15 расположен слой 3 полупроводника противоположного типа проводимости по отношешпо к слою l. Нижняя поверхность последнего покрыта защитным слоем 4, обладающим анизотропной проводимостью (о1 < (а11).
Полупроводниковые слои 1 и 3, разделенные областью объемного заряда р — и перехода 2, вместе с защитным слоем 4 составляют фотоприемную часть устройства.
На время съемки анизотропный защитный слой приводится в контакт с тонкочувствительной пленкой электролита 5, снабженной металлическим контрэлектродом 6.
Фотографическое изображение при освещении поверхности слоя 1 формируется на по30 ВЕРХНОСТИ ПЛЕНКИ 5 ПРИ ПОДаЧЕ НаПРЯжеНИЯ От
407266 внешнего источника к контрэлектроду 6 и слою 1, включающего и — р переход в запорНоМ направлении (электрический затвор).
Оптическая плотность сформированного изображения пропорциональна плотности тока на границе анизотропного слоя 4 и пленки электролита 5. Некоторое повышение величины разрешающей способности может быть достигнуто применением в качестве слоя 3 высокоомных материалов.
Измерения выполнены при комнатной температуре, фотоприемная часть устройства — пз арсенида галлия.
Постоянными величинами при проведении опытов были: толщина диффузионного слоя р-типа (4 10 — 4 см), диффузионная длина пробега неосновных неравновесных электронов (10 — 4 см), подвижность электронов (4000 см - /в сек), коэффициент поглощения светя (10> см <), толщина высокоомного слоя и-типа (10 †см), удельное сопротивление высокоомпого слоя (10" ом см), толщина пленки электролита (2.10 см) удельное сопротивление электролита (300 ом см).
По кривым частотно-контрастных характеристик определяются значения величины разрешающей способности получаемых изображен ш. Так при отсутствии магнитного поля разрешающая способность составляет 286 лин/мм, а при воздействии магнитного поля напряженностгно 10, 20 и 30 кэрст — 334., лин/мм, 430 лин/мм и 605 лин/мм соответственно..
Поставленная цель получения изображений достигается за счет уменьшения растекания носителей тока вдоль полупроводниковых слоев: в диффузионном — вследствие фокусиl0 ровки носителей вдоль направления вектора напряженности магнитного поля (магнитнокопцентрационпый эффект); в высокоомном полупроводниковом слое за счет эффекта магнитосопротивления.
Предмет изобретения
Способ получения изображешш на электрохимической бумаге путем экспонирования ори20 гиияля пя фотоприемиш с последукпцим переносом изображения на бумагу, о т л и ч а ющи и с I тем, что, с целью повышения разрешающей способности при экспонировании, фотоприемпик подвергают воздействшо мяг25 нитного поля, вектор индукции которого направлен перпендикулярно плоскости фотоприемника.
407266
4 6 610 Г Ф (1 а
Фиг. 2
Составитель Г. Мазо
Техред Т. 1ниронова
Редактор 11. 11лохииа
Корректор Е. Сапунова
Типография, пр. Сапунова, 2
Закаа 712/1 I Изд К 1027
LII IHIIfIII Государственного комитета по,делам нзобретеший и
Москвa, )K-35, Pаушская
Тираж 511 По аписиое
Сове-.а Министров СССР открытий иаб., д. 4,/5
