Патент ссср 408524

 

пц 468524

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетсльства (22) Заявлено 13.03.72 (21) 1758975/23-26 с присоединением заявки № (32) Приоритет (51) М. Кл. С 01b 19/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений е открытий (53) УДК 546.815:546.24 (088.8) Опубликовано 25.08.74. Бюллетень № 31

Дата опубликования описания 05.02.75 (72) Автор изобретения

Р. Н. Князева

Уральский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет им. А. NL Горького (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОРТОТЕЛЛУРАТА СВИНЦА

Изобретение относится к способам получения полнозамещенного среднего ортотеллурата свинца, который может использоваться, например, для разделения селена и теллура.

Известен способ получения ортотеллурата свинца путем прокаливания элементарного теллура, соединения свинца и безводного карбоната натрия при высоких температурах с последующей обработкой раствором хлористого аммония.

Однако такой способ характеризуется небольшим выходом конечного продукта (около

70% по теллуру), высокой температурой прокаливания (800 С), большим расходом реактивов (например, окись свинца берут в 3 †4кратном избытке стехиометрии) .

Цель изобретения — увеличить выход конечного продукта, понизить температуру прокаливания и уменьшить расход реактивов.

Это достигается тем, что в смеси в качестве соединения свинца используют его двуокись, взятую в стехиометрическом отношении к теллуру и прокаливание ведут при 600—

800 С. Получают полнозамещенный ортотеллурат свинца РЗТе06 в виде желтого кристаллического вещества высокой чистоты и с высоким выходом (не менее 90% по теллуру) .

Пример. 1 г теллура, 562 r двуокиси свинца и 2,5 r безводного карбоната натрия тщательно перемешивают и растирают до однородной массы. Смесь насыпают в фарфоровый тигель толщиной слоя 2 — 2,5 см и прокаливают при 600 С в течение 2 час. Охлажденный спек растирают с 38 — 40 г сухого хлористого аммония, полученную смесь обрабатывают 100 мл горячей воды и кипятят 10—

1р 15 мин. Нерастворимый осадок отфильтровывают через плотный фильтр, промывают горячей водой и высушивают до постоянного веса при 100 — 110 С.

15 Предмет изобретения

Способ получения ортотеллурата свинца прокаливанием смеси элементарного теллура, соединения свинца и безводного карбоната

20 натрия при высоких температурах с последующей обработкой раствором хлористого аммония, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода конечного продукта, понижения температуры прокаливания и уменьшения расхода реактивов, в смеси в качестве соединения свинца используют его двуокись, взятую в стехиометрическом отношении к теллуру и прокаливание ведут при 600 †8 С.

Патент ссср 408524 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к аналитической химии и может быть использовано для анализа промышленных и природных объектов, а также в веществах особой чистоты
Изобретение относится к области технологии получения и легирования неорганических веществ и может быть использовано в микроэлектронике, полупроводниковом приборостроении
Изобретение относится к неорганической химии

Изобретение относится к способам получения изотопов теллура и устройствам для его осуществления

Изобретение относится к неорганической химии, а именно к способам получения фторида селена

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к тройным теллуридам железа и индия, которые могут найти применение как ферромагнитные материалы при создании постоянных магнитов, а также в многофункциональных приборах и интегральных схемах
Изобретение относится к способам получения элементарного селена высокой чистоты из гексафторида селена
Изобретение относится к способу получения элементного теллура и может быть использовано для получения изотопов теллура, применяемых в медико-биологических исследованиях и в приборах технологического контроля
Изобретение относится к неорганической химии и касается разработки способа получения высокочистого диоксида селена, который может быть использован в органическом синтезе, а также в полупроводниковой технике
Наверх