Патент ссср 414328
° Р натс н с ней бис,л4I4328
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Соеа Соеетскин
Социалистммескии
Реслублик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 28.V1.1972 (№ 1803965 26-9) с присоединением заявки ¹
Приоритет
Опубликовано 05.11,1974. В;оллетень ¹ 5
Дата опубликования оппса|шя 11Л 1.1974
М. Кл. С 23Ь 7.04
Государственный комитет
Соаатв Министров СССР аа делам иэааретеиий н атирытий
УДК 655.224,4(088.8) Авторы изооретения
Г. Ф, Васильев, В. И. Сапронов и М. С. Калинин
Заявитель
МАТРИЦА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЕРФОРИРОВАННОЙ
ФОЛЬГИ
Изобретение относится к технологии производства элементов радиоаппаратуры. Устройство может быть использовано при изготовлении перфорированной фольги с высокоточными калиброванными отверстиями.
Известна матрица для изготовления перфорированной фольги гальванопластичсским методом, выполненная в виде пластины с выступами, задающими контуры отверстий; на пластину нанесено металлическое покрытие, повторяющее конфигурацию изделия. Покрытие изготавливают из материала, от которого изделие может быть отделено после гальванизации.
Известная матрица воспроизводит контуры отверстий с невысокой точностью и быстро пзнашивается, так как гальваническое наращивание металла происходит во всех открытых направлениях и наряду с утолщением металлической пленки происходит заращиванис отверстий и других деталей рисунка.
Цель изобретения — повышение точностп воспроизведения контуров отверстий и изпосоустойчивости матрицы.
Предлагаемая матрица отличается тем, по се изготавливают из всптильпого материала с монокрпсталлп ipcKQA структурой, например пизкоомпого кремния, а вершины выступов покрывают изолирующим слоем, например окисью кремния.
Матрица изображена на чертеже.
Пластина 1 изготовлена пз вентильного металла с монокриста lлической структурой, например из низкоомного кремния. Вершины
5 выступов 2 покрыты изолирующим слоем, например окисью кремния. 1Лзолиру|ощим слоем могут также служить окись тантала и другие стеклоооразпые изолирующие пленки, обеспечивающие хорошее сцепление и надежную
10 электрическую изоляцию. Толщина изолирующего слоя — нс менее 40 А.
Рабочую поверхность матрицы можно формировать разлп шыми способами, по лучшие результаты получаются прп осаждении ди15 электрических пленок и последующей фотогравировке. Глубина гравируемых канавок матрицы должна быть не меньше толщины формируемой фольги или пластины. Прп гальваническом осаждении пленка растет на
20 всех проводящих участках, в том числе и па боковых стенках выступов. B результате геометрические размеры фасонпых отвсрстий на фольге точно соответствуют размерам элементов матрицы.
25 Очень хорошие резуль1аты получают при использовании пластин из нпзкоомного кремния, ориентированных в плоскости (100). 3ro кристаллографпчсское направление позволяет глубоко протравливать кремний при мини30 мальных боковых подтравах. На матрице
41432S
Составитель Г. Челей
Корректор Н. Торкина
Текред Л. оБгданова
Редактор Б. Федотов
Редактор Б. Федотов Техред Л. Богданова Корректор Н. Торкина
ЦНИИПИ Государствснного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, K 35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 можно получить рисунок, по размерам практически не отличающийся от фотошаблопов.
Предмет изобретения
1. Матрица для изготовления перфорированной фольги гальванопластическим методом, выполненная в виде пластины с выступами, задающими контуры отверстий, отл ич а Io щ а я с я тем, что, с целью повышения точности воспроизведения контуров отверстий и изпосоустойчивости матрицы, она изготовлена из вентильного металла с монокристаллической структурой, а вершины выступов покрыты изолирующим слоем.
5 2. Матрица по п. 1, о т л и ч а и щ а я с я тем, что она изготовлена из низкоомного кремния.
3. Матрица по п. 2, î".ëè÷àþùàÿñÿ тем, что вершины выступов покрыты слоем окиси
10 кремния.
