Патент ссср 415727

 

О П И С А Н И Е 415727

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

IK АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства М

Заявлено 02Х111.1972 (М 1818366/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 15.ll.1974. Бюллетень № 6

Дата опубликования описания 19ЛтП.1974

М. Кл. G 11С 11/16

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий

УДК 681 325 65(088 8) Авторы изобретения

Е. И. Ильяшенко, В. Г. Клепарский и С. Н. Матвеев

Заявитель

Ордена Ленина институт проблем управления

УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОММУТАЦИИ КАНАЛОВ ПРОДВИЖЕНИЯ

МАГНИТНЫХ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ ДОМЕНОВ

Предложенное изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении доменных логических и запоминающих устройств.

Известно устройство для коммутации каналов продвижения магнитных цилиндрических доменов (МЦД), содержащее ортоферритовую пластину, на поверхности которой расположены генератор МЦД, примыкающий к каналу продвижения МЦД, состоящему из покрытий треугольной формы из изотропного ферромагнетика, и считывающие устройства, размещенные на выходе каналов продвижения МЦД, а также источники возбуждения и модуляции магнитного поля смещения и устройство управления, соединенное с генератором МЦД.

Недостатком известного устройства является низкая технологичность, требующая осуществления многократного процесса микрофтолитографии, а также ограниченные функциональные возможности.

Целью предложенного изобретения является упрощение и расширение области применения устройства для коммутации каналов продвижения МЦД.

Поставленная цель достигается тем, что устройство содержит шины, расположенные а поверхности ортоферритовой пластины в местах разветвления каналов продвижения

МЦД и соединенные с импульсными источниками питания.

Принцип действия предложенного устройства основан а использовании так пазывае5 мых «теневых» структур в тонких ортоферритовых пластинах, вырезанных перпендикулярно оси легкого намагничивания. Эти структуры представляют собой высококоэрцитивные поверхностные слои, имеющие «теневые» об10 ласти, намагниченные противоположно другим областям поверхностного слоя и образованные в результате механической обработки ортоферритовых пластин.

Оказалось возможным перемагничивать «те15 левые» поверхностные слои в полях порядка

2 — 5 килоэрстед. Если поместить пластину ортоферрита в такое поле, то весь поверхностный слой ее перемагпитится в направлении действующего поля и «теневые» структуры ис20 чезнут. Эксперименты показали, что в случае однонаправленного намагничивания поверхностных слоев образование и продвижение

МЦД протекает практически также, как и в случае, если такие поверхностные слои от25 сутств ют

Однако возможно вновь перемагнитить поверхностный слой в определенном месте, т. е. провести локальное перемагпичивание и таким образом создать искусственные «теневые»

30 области любой произвольной конфигурации.

415727

В условиях таких «теневых» структур поведение МЦД оудет уже иным, нежели в случае отсутствия «теневых» областей. Во-первых, МЦД образуются при приложении поля смещения вдоль легкой оси намагничивания в тех областях пластины, в которых па:.агниченность цилиндрического домена совпадает с направлением памагпиче пос и поверхностного слоя (т. е. противоположна внешнему полю смещения) . Во-вторых, для перехода

МЦД в область, у которой намагниченность поверхностного слоя направлена противоположно па:яагниченности цилиндрического домена, необходимо заip21lIòü дополнительную работу, т. е. возникает энергетический барьер для доменного движения, и движение домена ограничивается только той областью, в которой намагниченность поверхностного слоя совпадает с направлением намагниченности МЦД.

Блок-схема предложенного устройства изображена па чертеже.

Устройство состоит из ортоферритовой пластины 1, в которой с помощью генератора

МЦД 2 образуются носители информации в виде цилиндрических доменов обратной намагниченности, треугольных пермаллоевых покрытий 3, используемых для управления движением МЦД, считывающих устройств 4 и 5 и источников для возбуждения и модуляции поля смещения 6 и ). Непосредственно на поверхности пластины (либо со стороны пермаллоевых покрытий, либо с противоположной стороны) в месте соединения каналог.

8 и 9 продвижения МЦД располагаются две шины 10 и 11, связанные с импульсными источниками 12 и 13. Все устройство коммутации, включая и импульсные источники, управляется с помощью устройства управления 14.

Перед началом работы поверхностный слой пластины ортоферрита полностью перемагничивается в одном направлении, затем с помощью проводящих шип в каналах продвижения доменов и в области генератора проводится локальное перемагничивание поверхностного слоя в противоположное направление. Выбрав теперь определенны|: образом направление смещения, можно геперироват и продвигать МЦД только в этих определенных областях.

Работа предложенного устройства происходит следующим образом.

Генератор МЦД 2 генерирует домены, соответствующие определенному коду, в необходимые моме IThI времени по команде с устройства управления 14. Зти домены, захватываемые треугольными пермаллоевыми покрытиями 3, далее продвига отся вдоль капала 8 известным методом, если с помощшо импульсного источника 12 и шины 10 область А поверхностного слоя в месте соединения каналов 8 и 9 перемагпичена в направлении, соответству:ощем направлению намагниченности

МЦД, а другая область Б намагничена в противополои;пом и".ïðàâëåíèè.

Если теперь с помощью устройства управления 14 возбудить импульсный источник 13 таким образом, чтобы с помощью шины 11 он создал локальное поле в области Б, достаточное для перемагничивания поверхностного слоя этой области в противоположное направление, и одновременно возбудить импульсный источник 12, чтобы с помощью импульса тока в шипе 10 перемагнитить область А поверхностного слоя в направлении, противоположпом направлению намагниченности МЦД, то в таком случае поток информации в виде доменов вначале распространяется по каналу

8, а затем в месте соединения каналов изменяет свое направление и двигается вдоль канала 9.

Таким образом происходит коммутация потока информации от генератора МЦД.

Если затем необходимо вновь изменить направление распространения доменов так, чтобы они двигались только по каналу 8, то в этом случае снова с помощью устройства управления 14 импульсные источники 12 и 13 возбуждаются, по импульсы тока, посылаемые в шины 10 и 11, имеют противоположную полярность.

Предмет изобретения

Устройство для коммутации каналов продвижения магнитных цилиндрических доменов, содержащее ортоферритовую пластину, на поверхности которой расположены генератор магнитных цилиндрических доменов, примыкающий к каналу продвижения магнитных цилиндрических доменов, состоящему из покрытий треугольной формы из изотропного ферромагнетика, и считывающие устройства, размещенные на выходе каналов продвижения магнитных цилиндрических доменов, а также источники возбуждения и модуляции магнитного поля смещения и устройство управления, соединенное с генератором магнитных цилиндрических доменов, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения и расширения области применения, оно содержит шины, расположенные на поверхности ортоферритовой пластины в местах разветвления каналов продвижения магнитных цилиндрических доменов и соединенные с импульсными источниками питания.

Составитель Ю. Розенталь

Текред Е. Борисова

Редактор Е. Семанова

Корректор О. Тюрина

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 1715/3 Изд. № 1346 Тираж 591 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4)5

Патент ссср 415727 Патент ссср 415727 Патент ссср 415727 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к магнитным материалам, а именно, к использованию осевой симметрии для задания магнитных свойств материалов

Изобретение относится к области металлургии, а именно к магнитным материалам, в частности к использованию осевой симметрии для задания магнитных свойств материалам

Изобретение относится к разработке памяти в области магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента

Изобретение относится к устройству памяти, включающему в себя структуру магнитного туннельного перехода (МТП)

Изобретение относится к вычислительной технике

Изобретение относится к вычислительной техники, а именно к ячейкам магнитного туннельного перехода

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах
Наверх