Способ получения монокристаллов двуокиси урана

Авторы патента:

Барабошкин А.Н.

Калиев К.А.

Скиба О.В.

C30B9/14 - электролизом

C30B29/16 - оксиды

1. Способ получения монокристаллов двуокиси урана электролизом расплавленных солей хлоридов щелочных металлов и хлорида уранила, отличающийся тем, что, с целью получения крупных хорошо ограненных кристаллов, в расплав вводят добавки четырехвалентного урана и фтора в весовом отношении 7 - 10.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс ведут при использовании микрокатода площадь не более 10^-3см² при 400 - 450^oС и скорости нарастания тока 0,2 - 0,3 мА/ч.

Похожие патенты:

Патент 402506 // 402506

Способ исправления механических двойников // 291874

Способ выращивания кристаллов окиси магния // 197525

Способ получения л10нокристаллов тугоплавких окислов // 164016

Способ получения искусственных цветных камней // 48277

Способ получения нитевидных кристаллов оксида цинка // 2131951

Способ получения окрашенных монокристаллов (его варианты) // 2132416

Способ получения монокристаллов (его варианты) // 2133787

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)

Способ получения окрашенных монокристаллов (его варианты) // 2134314

Способ получения высокопрочного материала (варианты), устройства на основе этого материала и способ их изготовления // 2157431

Способ получения микроволокон диоксида циркония // 2193608

Изобретение относится к области материаловедения, в частности к способам получения исходных веществ для композиционных материалов и конструкционной керамики

Способ изготовления наночастиц или нитевидных нанокристаллов, способ изготовления неорганических фуллереноподобных структур халькогенида металла, неорганические фуллереноподобные структуры халькогенида металла, стабильная суспензия if-структур халькогенида металла, способ изготовления тонких пленок из if-структур халькогенида металла и тонкая пленка, полученная таким способом, и насадка для растрового микроскопа // 2194807

Способ выращивания кристаллов цинкита // 2198250

Изобретение относится к производству синтетических кристаллов, в частности к способам получения кристаллов цинкита, которые являются хорошими пьезоэлектриками, обладающими высоким коэффициентом электромеханической связи, и могут быть использованы в пьезотехнике, акустооптоэлектронике и других областях науки и техники

Способ и устройство для выращивания кристаллов // 2198968

Изобретение относится к выращиванию искусственных кристаллов (ZnO, SiO2, СаСО3, Al2О3)

Способ получения монокристаллического оксида цинка с быстрым излучением в ультрафиолетовой области спектра // 2202010

Изобретение относится к оптоэлектронике ядерно-физических исследований, а точнее изготовления мощных твердотельных лазеров, работающих в УФ-области спектра

Способ выращивания монокристаллов // 665425

Способ получения монокристаллов вольфрамовых бронз // 703936

Способ получения монокристаллов оксидных ванадиевых бронз // 978615

Электрохимический способ получения кристаллов оксидных бронз // 1675408

Изобретение относится к росту кристаллов , может быть использовано для получения кристаллов, применяемых в электронной, химической промышленности, и позволяет ускорить процесс и получать трехмерные кристаллы, ограниченные плоскостями с кристаллографическими индексами одного типа В тигле расплавляют исходную шихту