Позитивный фоторезист

Авторы патента:

К. А. Валиев, А. В. Лубашевска В. С. Корсаков, Л. А. Кашаева,

В. Г. Никольский, С. Е. Андреев, Н. В. Макаров, М. С. Динабург,

Л. А. Бобров, И. Хорина , Р. Г. Фирсов

H01L21/312 - из органических веществ, например слоев фоторезиста (H01L 21/3105,H01L 21/32 имеют преимущество)

О П И С А Н И Е rirr42I548

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскит

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 29.04.68 (21) 993972/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 30.03.74. Бюллетень ¹ 12

Дата опубликования описания 29.08.74 (51) М. Кл. В 41f 19/08

Н Oll 19/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изаоретений и открытий (53) УДК 621,382(088.8) (72) Авторы изобретения

К. А. Валиев, A. В. Лубашевская, В. С. Корсаков, Л. А. Кашаева, В. Г. Никольский, С. Е. Андреев, Н. В. Макаров, М. С. Динабург, Л. А. Бобров, 3. И. Хорина и P. Г. Фирсов (71) Заявитель (54) ПОЗИТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ

3,75

Изобретение относится к технике фотолитографии, а именно к составу позитивного фоторезистора.

Известеп сенсибилизированцый позитивный фоторезист, состоящий из сульфоэфира и моно- и диацилировацного тетранодиддифепилолпропана 1,2-пафтохинондиазида, фенол рормальдегидной смолы (поволак № 18) и диоксана.

Однако при использовании известного состава пе удается получить достаточную интегральную и спектральную чувствительность.

Цель изобретения вЂ” повышение интегральцой и спектральной чувствительности позитивных фоторезистов.

Цель достигается тем, что в состав предлагаемого фоторезиста дополнительно вводят моцосульфоэфир 2,4,4 -триоксибензофеиоиа

1,2-нафтохипопдиазида.

Дополпительцое введение в состав позитивного фоторезиста сенсибилизатора приводит к изменению его интегральной и спектральной светочувствительности одновременно с улучшецием разрешающей способности фотослоя. Интегральная светочувствительность сенспбилизированпого фоторезиста втрое выше чувствительности известных позитивных фоторсзистов.

Спектральная чувствительность его имеет второй максимум, лежащий в более длиииоволповой области спектра (450 вЂ 5 нм).

Таким образом, повышение интегральной и спектральной фоточувствительпости позитивного фоторезпста, пе исключая прежней сферы применения, даст возможность использовать его в проекционной фотолитографии в качестве фотослоя прп изготовлешш фотошаблонов с применением обычной оптики и широко распространенных источников пзлучспия (ламп пакаливания, ксспоповых ламп и т. п.).

10 Примепенпе сепспбплизпроваццого позитивного фоторезпстa в процессах контактной и проекционной фотолитографии позволяет значительно сокраппь и упростить технологический цикл.

15 Пример. Состав предлагаемого позитивного фоторезиста, г:

Смесь сульфоэфиров моно- и диацилпрог" нного тетраиодпддпфенплпропана 1,2пафтохппоцдиазпда 3,75

Фенолформальдегпдпая смола (поволак № 18) 12,5

Моиосульфоэфир 2,4,4 -триокспбепзофс .о: а 1,2-нафто25 хппоцдпазпда

Диоксап

Предмет изобретения

Позитивный фоторезист, состоящий из све30 точувствптельного компонента, например суль421548

Составитель О. Федюкина

Тсхред Е. Борисова

Корректор Е. Миронова

Редактор Т. Орлова

Заказ 2116/3 Изд. М 1474 Тира>к 456 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 фоэфира о-хинондиазидов с различными замещенными окси- и полиоксисоедипениями, пленкообразователя в растворителе, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью повышения интегральной и спектральной чувствительности, оп содержит моносульфоэфиры 2,4,4 -триоксибензофенона 1,2-нафтохинондиазида.

Похожие патенты:

Патент 153975 // 153975

Способ формирования фотолитографического рисунка в пленке двуокиси кремния на рельефной поверхности кремниевой пластины // 2111576

Способ получения покрытий из фоторезиста // 2136077

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Способ получения покрытия из фоторезиста и устройство для его осуществления // 2158987

Способ формирования фоторезистивной маски // 2195047

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в литографических процессах при изготовлении полупроводниковых приборов, интегральных схем и печатных плат

Полупроводниковый компонент с пассивирующим слоем // 2195048

Устройство для нанесения покрытий на пластины // 2217841

Изобретение относится к устройствам нанесения покрытий посредством центрифугирования и может быть использовано, в частности, для создания светочувствительного слоя на полупроводниковых пластинах и фотошаблонах

Устройство для нанесения покрытия на пластины центрифугированием // 2278443

Изобретение относится к полупроводниковому производству, в частности к процессам фотолитографии при нанесении фоторезиста на пластины, а также может использоваться при получении других полимерных покрытий центрифугированием

Чувствительные к излучению композиции с изменяющейся диэлектрической проницаемостью и способ изменения диэлектрической проницаемости // 2281540

Изобретение относится к чувствительным к излучению композициям с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, обеспечивающим модель диэлектрической проницаемости, используемой в качестве изоляционных материалов или конденсатора для схемных плат

Способ получения фторполимерного слоя на тонкопленочном приборе // 2304323

Изобретение относится к технологии тонкопленочных приборов

Способ электрической пассивации поверхности полупроводника // 2341848

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при создании современных полупроводниковых приборов и структур для микро- и наноэлектроники, в частности, при разработке наноразмерных приборов на основе кремния или структур Si/SiGe/Si с целью обеспечения проводимости тонких (субмикронных) полупроводниковых слоев