Запоминающее устройство

 

(») 442514

ОП ИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 24.03.72 (21) 1763372/18-24 с присоединением заявки №вЂ” (32) Приоритет

Опубликовано 05.09.74. Бюллетень № 33

Дата опубликования описания 10.04.75 (51) М. Кл. G 11с 11/22

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 681.327.66 (088.8) (72) Авторы изобретения (71) Заявитель

В. А. Завадский, В. А. Манжело и К. Г. Самофалов

Киевский ордена Ленина политехнический институт им. 50-летия Великой Октябрьской социалистической революции (54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОИСТВО

Известно ЗУ, содержащее сегнетоэлектрическую пластину, на кото рой размещены шины записи, основные адресные и разрядные шины .и дополнительные адресные и разрядные шины, в перекрестиях которых расположены соответственно основные и дополнительные запоминающие элементы, содержащие полупроводниковые пленки. П ри этом основные адресные шины подключены к соответствующим выходам дешифратора, дополнительные адресные шины — к общей шине устройства, а одноименные основные и дополнительные разрядные шины соединены между собой и подключены через резисторы к источнику напряжения смещения.

В таком устройстве .необходимо проводить запись одинаковых цифр в одноименные основные и дополнительные запоминающие элементы для считывания информации, что усложняет оборудование для записи информации и снижает надежность работы всего уст ройства.

Целью изобретения является упрощение конструкции и повышение надежности устройства.

Поставленняа цель достигается тем, что в п редложенном устройстве основные и дополнительные адресные и разрядные шины размещены на противоположных гранях сегнетоэлектрической пластины, полупроводниковые пленки основных и дополнительных запоминающих элементов выполнены из материалов с различным типом проводимости и изоли рованы от соответствующих шин записи, которые расположены на противоположных сторонах пластины.

На фиг. 1 показано расположение управляющих шин относительно слоя полупровод10 ника, вид сверху; на фиг. 2 — то же, вид сни3у; на фиг. 3 — то же, в разрезе.

На фиг. 4 схематически изображено подключение управляющих шин устройства и элект)рическое поле между ними, создаваемое

>5 при записи двоичной цифры; на фиг. 5 — принципиальная схема ЗУ.

Основу устройства составляет сегнетоэлектрическая пластина 1, на противоположные грани которой нанесены остальные элементы

20 конструкции, выполненные, например, в виде тонких металлических и полупроводниковых пленок. На одной пз граней пластины расположены основные адресные шины 2, имеющие электрический контакт с тонкой пленкой 3 из

25 полупроводникового материала, расположенной на той же грани. Основная разрядная шина 4 имеет электрический контакт с пленкой 3, шина 4 изолирована от шин записи 5 и 6 пленкой 7 из электроизоляцпонного материа30 ла и от шины 2 пленкой 8 из такого же мате442514 риала. Шины 2 и 4 перекрещиваются под прямым углом. Пленка 3 охвачена шинами записи5иб.

На противоположной грани пластины=1 расположены дополнительные адресные шины 9 считывания, которые перекрещиваются под прямым углом с дополнительными разрядными шинами 10 и отделены от них пленкой 11 из элект роизоляционного материала. Пленка

12 из полупроводникового материала расположена на той же грани пластины 1 и имеет электрический контакт с шинами 9 и 10, Тип проводимости материала, из которого выполнена пленка 12, противоположен типу проводимости материала пленки 3 (например, если пленка 12 выполнена из теллура р-типа, то пленка 3 — из сульфида кадмия и-типа). Шины записи 13 и 14 охватывают пленки 12 и отделены от шины 10 пленкой 15 из электроизоляционного материала.

Шины для считывания на п ротивоположных гранях пластины 1 расположены таким образом, что нормальные проекции элементов 2, 3, 4, 7 и 8 на противоположную грань совпадают соответственно с элементами 9, 12, 10, 11 и 15; а нормальные проекции шин 5 и б на противоположную грань пластины 1 накладываются на все шины 13 и 14 на этой прани.

Шины 2 подключены к дешифрато ру адреса

16, а соответствующие им шины 9 — к шине ЗО нулевого потенциала (заземлены). Шины 4 и

10 соединены и подключены к усилителю с«»тывания 17 и через резисторы 18 к источнику напряжения смещения 19. Шины 5 и 6 соединены с формирователями записи 20, а шины 35

13 и 14 — с формирователем записи 21.

Устройство работает следующим образом.

Запись двоичной цифры B запоминающий элемент производится поляризацией в опре- 40 деленном направлении сегпетоэлект рического материала пластины 1 между пленками 3 и

12. Поляризация сегнетоэлектрического материала является результатом воздействия внешнего электрического полл. Электрическое 45 поле в объеме сегнетоэлектрического мате риала между планками 3 и 12 обусловлено разностью потенциалов как на шинах записи 5 и 13, так и на шинах записи б и 14. При этом результирующий вектор напряженности элек- 50 трического поля (см. фиг. 4) в любой точке объема сегнетоэлектрической п: астшзы 1 равен векторной сумме векторов Е и E". Эти векторы характеризуют электрическое поле соответственно шин записи 5, 13 и 6, 14, потенциалы которых определены форми рователями записи 20 и 21.

Разность потенциалов на шинах записи выбрана такой, что результирующая напря- бО женность электрического поля между пленками материала 3 и 12 достаточная для поляризации сегнетоэлектрического материала в соответствии с записываемой двоичной цифрой.

При считывании двоичные цифры, записанные в каждом запоминающем элементе, определяются IIO величине электрического сопротивления пленки полупроводникового мате риала, соединяющего соответственно шины 2, 4 и 9, 10. Величина сопротивления пленки полупроводникового материала однозначно зависит от направления и величины поляризации сегнетоэлектрического материала, на который нанесена эта пленка. Таким образом осуществляется связь между электрическими сигналами, вырабатываемыми формирователями записи 20 и 21 (см. фиг. 5) п ри записи, и сигналами в разрядных шинах 4 и 10 при считывании.

Так как пленки 3 и 12, |расположенные на разных гранях пластины 1, выполнены из материала с противоположными типами проводимости, то при записи изменение сопротивления пленок полупроводникового материала в одноименных запоминающих элементах имеет одинаковые знаки и близкие значения абсолютных величин. При этом запись двоичной цифры происходит одновременно в оба запоминающих элемента и определяется одной парой сигналов записи, подаваемых на выб ранные шины записи.

Предмет изобретения

Запоминающее устройство, содержащее сегнетоэлектрическую пластину, на кото рой размещены шины записи, основные адресные и разрядные шины и дополнительные адресные и,разрядные шины, в перекрестиях которых расположены соответственно основные и дополнительные запоминающие элементы, содержащие полупроводниковые пленки, при этом основные адресные шины подключены к соответствующим выходам дешифратора, дополнительные адресные шины — к общей шине устройства, а одноименные основные и дополнительные разрядные шины соединены между собой и подключены через резисторы к источнику напряжения смещения, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью упрощения устройства и повышения его надежности, основные и дополнительные адресные и разрядные шины размещены на противоположных гранях сегнетоэлектрической пластины; полупроводниковые пленки основных и дополнительных запоминающих элементов выполнены из мате риалов с различным типом проводимости и изоли рованы от соответствующих шин записи, которые расположены на противоположных сторонах пластины.

442514! !! ! !! ! I! ! ! и ю. 5

Корректор А. Дзесова

Редактор Л. Утехина

Заказ 926/10 Изд. № 453 Тираж 591 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Составитель В. Рудаков

Техред В. Рыбакова й