Магнитное запоминающее устройство

 

ВОйЕЮЮЭКив

5 1ТЕЯТЩ -: и.,т;;:и.--е зГ У бибдиотекя. М5А пп 447892 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕ НТУ

Союз Советских

Социапистических

Респфдии (61) Зависимый от патента (22) Заявлено 21.10.70 (21) 1491213/18-10 (51) М. Кл. 6 с 11.02 (32) Приоритет 24.04.70 (31) WP 21а /147105 (33) ГДР

Опубликовано 25.10.74. Бюллетень No 39

Государственный комитет

Совета Министров СССР па делам изобретений и открытий (53) УД1 681.142 6 (088.8) Дата опубликования описания 02.06.75 (72) Ав,ор изобретения

Иностранец

Карл Вилашек (ГДР) Иностранное предприятие

«ФЕБ ФИЛЬМФАБРИК ВОЛЬФЕН» (ГДР) (71) Заявитель (54) МАГНИТНОЕ ЗАПОМИНА1О1ЦЕЕ УСТРОЙСТВО

Известно магнитное запоминающее устройство, содержащее источник однородно"o вращающегося магнитного поля и размещенный в последнем магнитный элемент.

Однако на работу такого устройства оказывает значительное влияние неоднородность структуры материала магнитного элемента.

Цель изобретения — уменьшение влияния неоднородности структуры материала магнитного элемента.

Для этого в предлагаемом устройстве магнитный элемент выполнен в виде спирального магнитопровода, у которого направление легкого намагничивания составляет с касательной к его осевой линии угол, кратный 90, а осевая линия магнитного элемента расположена под углом, кратным 90, относительно вектора однородного вращающегося магнитного поля.

На фиг, 1 изображен один из вариантов предлагаемого устройства с магнитным элементом, выполненным в виде винтовой спирали; на фиг. 2 — принцип действия предлагаемого устройства с магнитным элементом, выполненным в виде плоской спирали.

Магнитопровод магнитного элемента, изображенного на фиг. 1, выполнен в виде полосы 1, имеющей форму винтовой спирали, Полоса размещена на изолирующем слое 2, выполненном также в виде винтовой спирали.

Направление легкого намагничивания, пока5 занное на чертеже стрелкой 3, для полосы совпадает с касательной к ее осевой линии.

Полоса и слой укреплены на кольце 4 и охвачены проводниками записи 5 и считывания 6.

Магнитопровод магнитного элемента, изобраl0 женного на фиг. 2, выполнен в виде слоистой полосы 7, имеющей форму плоской спирали.

Направление легкого намагничивания для полосы 7, как и для полосы 1, составляет с касательной к их осевым линиям угол, кратный

15 90, т. е. оно может быть параллельным полосе или перпендикулярным к ней. На фиг. 2 стрелки 8 — 11 обозначают направления вектора однородного вращающегося магнитного поля, действующего на магнитный элемент со

20 стороны источника (на чертежах не изображен). В частном случае направление вектора однородного вращающегося магнитного поля изменяется скачками, однако оно сохраняет параллельность илн перпендикулярность от25 носительно осевой линии самого магнитного элемента. Иными словами осевая линия магнитного элемента расположена относительно вектора однородного вращающегося магн|ггного поля под углом, кратным 90 . На фиг, 2

30 затемненная часть полосы 7 обозначает пере7892

Предмет изобретения

72

71 г

10

Фиг.2

Составитель В. Волков

Техред Т. Миронова

Редактор Т. Иванова

Корректор Е. Мохова

Заказ 1208/14 Изд. № 554 Тираж 591 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий

Москва, К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2,/ 44

3 / магничиваемую зону 12, протяженность которой равна половине длины окружности, а стрелка 13 — направление ее намагниченности. При воздействии однородного вращающегося магнитного поля, обозначенного стрелками 8 — 11, зона 12 перемещается вдоль .полосы 7 в направлении, обозначенном стрелкой

14, занимая положения, указанные на фиг.

2а,б, в, г.

Предлагаемое магнитное запоминающее устройство позволяет не только снизить требования и однородности структуры материала магнитного элемента, но и значительно увеличить объемную плотность запоминания информации.

Магнитное запоминающее устройство, содержащее источник однородного вращающе5 гося магнитного поля и размещенный в последнем магнитный элемент, отличающеес я тем, что, с целью уменьшения влияния неоднородности структуры материала магнитного элемента, последний выполнен в виде спи10 рального магнитопровода, у которого направление легкого намагничивания составляет с касательной к его осевой линии угол, кратный 90, а осевая линия магнитного элемента расположена под углом, кратным 90, отно15 сительно вектора однородного вращающегося магнитного поля.