Электрофотографическая пластина

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистимеских

Республик (11) 448658

К ПАТЕНТУ (61) Зависимый от патента— (22) Заявлено20. 02.69 (21) 1308663/28-Х2 (51) М. Кл. а 03 а/08

Государственный комитет

Совета й«нннстроа СССР ао делам изобретений и открытий (32) Приоритет

Опубликовано 30.П3.74 Бюллетень №40

Дата опубликования описания g5 у2 74

Иностранец

Вильям Локк Гоффри (США) Иностранная фирма

"Ранк Ксерокс Лимитед" (Великобритания) (72) Автор изобретения (71) Заявитель (54) ЭЛЖТРОФОТОГРАФИЧЕСКАЯ EIACTHHA

2 полупроводника имеет толщину до и мк и нанесен на слой диэлектрика.

На @иг. K схематично изображена предлагаемая электрофотограическая пластина, разрез; на уиг, - кривые чувствйтельности электрофотогра@ических материалов пластины.

В предлагаемой электрощото— графической пластине в качестве подложки 1 используется стекло, покрытое элвктропроводящим слоем

2 из окиси олова. Подложка i u элвктропроводящиЙ слой 2 могут быть совмещены и представлены в виде однородного электропроводящвго материала, например алюминия.

Ка элвктропроводящий слой нанесен слоИ 3 органического диэлектрическozo материала, на поверхности которого расположен фотополупроводниковый слой Ф. Толщина иэлектрического материала должна

ыть в ХО-40 раз больше толщины фотополупроводникового слоя 4.

Изобретение относится к элек= трощотографическим материалам.

Известны многословные элвктро@отографичвские пластины, содержащие элентропрОВОДЯЩИИ подслой и 5 слой отополупроводника, покрытиИ слоем диэлектрика.

Однако такие пластины не пригодны для рв@лвксноИ печати. Кроме того, они не обладают достаточно lo высоким сцеплением с подложнои и не позволяют использовать в качестве фотополупроводника металличеснии свлен, имеющий в обычных условиях недопустимо большой твм- 15 новои спад потенциала. целью изобретения является устранение указанные недостатков.

Достигается это тем, что в ю првдлагавмоИ элентрофотогратвическои пластине слои диэлектрика, выполненный из органической смолы фотопроводящим, нанесен на электропроводящую подложку, а слой ското- 25 (5З) УД1 772,9Д (088,8) 3

Длн обеспеченин максимальной универсальности и наилучших рабочих характеристик диэлектрический слоИ должен иметь толщину от 2 до 4 мк.

Но этот диапазон может быть расши, рен от 0,5 до 50 мк. Фотополупроводниковйй слоИ для обеспечения максимальноИ чувствительности и универсальности должен иметь толщину от 0,02 до Ф мк, которая остаточна длн поглощения около

5-95/ падающего активного света.

Для селенового слоя эта толщина составляет О,Х - 0,2 мк.

Для повйшения чувствитвль— ности в материал промежуточного диэлектрического слоя вводят сенсибилизатор, составляющиИ ЗО-70ф диэлектрического слоя.

Фотополупроводниковый верх— ний слой может содвржать любой приемлемый фотополупроводниковый материал, предпочтительнее селен, характерйзующийся сравнительно вйсокой чувствительностью, хорошим сцеплением с пластмассовым под— слоем и значительной прозрачностью при очень малых толщинах слон.

Фотополупроводниковый слой может быть выполнен как однородным так и в виде дисперсии фотополупр водников в изоляционном связующем веществе. Для получения максимальной разрешающвй способности целесообразнее наносить фотополупроводниковый материал непосредственно на поверхность промежуточного слон или диспврсию фотополупроводникового материала на промежуточный слой.

Пример f.. На элвктропрово дящую поверхность стеклянной пластины наносят слой, содержащий около I0 sea.ч. стейбелита 5 (глицеринового эфира гидрированно( смолы); растворенного в 50 вес.ч. толуола. Смолу высушивают на по— вврхности плаЬтины, и толщина высушенного слоя составляет около + мк. Затеи на поверхность смолы методом вакуумного напаривания наносят слоу аморфного солена толщиной около 0,2 мк.

Пример 2. Электрофотографическая пластина изготавливается так же, как и в примере I. Но толщина вйсушенного слоя смолы стейбвлита 5 равна приблизительно 2 мк, а толщина селенового слоя— — йриблизитвльно 0,I мк.

Пример 3. На элвктропрово дящую поверхность стеклянной пластины наносят слой стейбелита 5, 448658

4 имеющий после сушки толщину около Ф мк. Поверхность смоляной пленки смачивают тонкой пленкой жидкости 30V9200 првдставляю- а щеИ собой силиконовое масло. Затем поверхность IIJIBGTMHH засыпают порошком сульфида кадмия. Вместо сульфида кадмия можно использовать порошок родамина В, котоIo рый представляет собой флуоресцвнтныИ краситель или порошок металлического селена.

Пример 4. На электропроводящую поверхность стеклянной плиев

15 тины наносят слой, содержащий примерно BO вес.ч. метилзтилкетона и ХО вес.ч.полйвинилхлорида. На высушенный слоИ, имеющий толщину около 2 мк, методом напаривания о наносят слой аморфного селвна толщиной 0,3 мк.

Пример 5. Пластина приготавливается так же, как в примере Ф, . но на поверхность поливинилхлою рида наносят слой разведенного э желатине порошка сульфида кадмия.

Пример 6. На электропроводящую поверхность стеклянноИ пластины наносят слоИ, состоящиИ из, зо IO вес.ч. винилового сополимера хлоридвинилацетата ()1УУ), растворенного в ЗО вес.ч. мвтилэтилквтона. В этот раствор добавляют около 2 вес.ч. 2,5-би--(п;

35 -аминофенил)-1 З,Ф-оксадиазола.

Высушенный слой ймевт толщину примерно Ф мк. На поверхность смолы наносят методом напаривания слой аморфного солена толщиной

4о0 5 мк

В качестве контрольной изготовляется вторая пластина, у которой непосредственно- на электропроводящве покрытие стеклянного носи45 твля АЕ54 нанесен слой аморфного селена толщиной 7 мк. Обв пластины заряжают коронным разрядником приблизительно до 700 в положительного потенциала и экспонируют о монохромати ес1 им светом с длиной волны ОООО Л,„ Кривая светового спада потвнцйала падает приблизительно с 700 до 160 в остаточного потенциала, а затем остаетьь ся горизонтальной. Таким образом, очень тонкий слоИ свлвна на свнсйбилизированном слое смолы и значительно болев толстый слой аморфного селена имеют равную чувствительность.

Пример 7. На лист милара толщиной O,È им, покрытыИ тонким слоем алюминия, наносят толуэно6 разрядника находящегося под напряжением 6000 в. Темновой спад пластин измеряют в течение нескольких секунд, после чего их эк5 спонируют при йомощи вольфрамовоИ ,лампы.

Кривые электрометрических измерениИ для этих пластин пока— заны на фиг. 2.

lo кривая А показывает чувствительность пластины с тонким фотополупроводниковым слоем на сравнительно толстом диэлектрическом слое с высоким удельным сопротива лением, кривая Б — чувствительность фотополупроводникового слоя на электроправодном слое без диэлектрического материала, кривая

 — чувствительность фотополупро2о водникового слоя, имеющего толщину, равную суммарной толщине фо— тойолупроводникового и диэлектрического слоев, ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Х. Электрофотографическая пластйна, содержащая электропроводящий йодслой, сло диэлектрика и слои отополуйроэодника, о т л и-ч а ю щ а я с я тем, что, с целью улучшения электрофотографических свойств пластины и обеспечения возможности использования ее для рефлексной печати слой диэлек— трика, выполненный из органическои смолы фотопроводящим, нанесен на электропроводящую подложку, а слои фотополупроводника имеет толщину до 4 мк и нанесен на слои диэлектрика.

2. Пластина по и. 4, о т л и-ч аю щ а я с я тем что диэлек трическиИ слой имеет толщину от

2 до 4 мк и фотополупроводниковый слой имеет толщину от О,X до

0,2 мк, B. Пластина по пп. Х и 2, отличающаяся тем что диэлектрический слоИ э I3-40 раз толще фотополупроводникового слон.

4. Пластина по пп. Х-3 отлича ющаяся тем, что слой диэлектрика содержит ароматическую смолу и кислоту по

Льюису в качестве сенсибилизатора.

5. Пластина по и. i, о т л ич а ю щ а я с я тем, что @отополупроэодниковый слоИ имеет толщину не ниже 0,02 мк.

6. Пластина йо и. Х, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что

448658

5 выа раствор стеибелит-эрира ТО (глицерол-триэфир 5 -ной гидрированной древесной смолы) толщи-, нои около 2 мк. На него насыпают равномерный слой. окрашенных частиц окиси цинка толщиной около

i мк. При нагреве частицы окиси цинка оседают в слов смолы.

Пример 8. Пластину прйготавливают так же, как и в примере 3, но вместо сульфида кадмия покрывают мелко измельченным прочным синим мейхильбером, который представляет собой смесь и и

Р -модификаций талоцианина без металла.

Пример 9. На электропроводящую поверхность пластины наносят слой полиэинилкарбазола 10 эес, ч.) c 2,4,7-TpMHNTpo-9-флуореноном (10,5 вес.ч.), растворенных в примерно 20 вес.ч. бензола. Тол -: щина сухого слон 3 мк. Поверх не- . го наносят слой аморфного селена толщиной О, I мк.

Пример ХО. Пластину пригота- . вливают так же, как в примере 9.

Затеи заряжают ее статическим электричеством при помощи корон— ного разрядника приблизительно до

450 в положительного потенциала.

Затем к заряженнои пластине вплотную прикладыва10т лист бумаги, имеющий на поверхности черно-белое изображение. После этого пластину в течение 1О сек экспонируют сквозь носитель л/Е54 светом, Затем оригинал снимают с поверхности селена, и на пластину ссыпают электризующиеся маркирующие частицы. Появляется порошковое изображение, которое переносится злектростатйчвским способом на бумажный носитель и наплавляется 45 на него. Эта же пластина может использоваться повторно для печатии с другого оригинала.

Пример И. Берут трй электрофотографические пластины. В пер- 59 воИ из них слоИ стейбелита 5 тол-, щиной 4 мм нанесен на электропроэодное покрытие стекла ФЕБА, а на слой смолы нанесен слой стекловидного селена толщиной 0 i мк, ы

Во второИ пластине селеновы3 слоЙ толщиной О,f. мк нанесен на электропроводное покрытие стекла MEQ, В третьей — слой стекло— видного солена толщиноИ 4,l мк нанесен на носитель.

Каждую пластину равномерно заряжают при помощи коронного

«слоИ фотопроводника имеет толщи ну мвныв Х мке

7.- Пластийа по п. K о т л и ч а ю щ а я с я тем, что диэлвк тричвскии слой имеет толщину от -:, 0,5 до 50 мк.

8. Пластина по п. У, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что диэлектрическии слоИ состоит из поливинилкарбазола.

9 ° Пластина по и. 1, о т ли-,. . ч а ю щ а я с я тем что @отополупроводниковый сло3 состоит из селена, щталоцианина, сульфида кадмия, 9-(О-карбоксищейил)-6-(диэфйлами о}-З ксантен-3-ксилидин-диэтилхлорида или окиси цинка.

i0. Пластина по п. Х, о тли ч а ю щ а я с я тем, что сенсибилизатор составляет от 80

448658

8 до 70$ веса слоя диэлектрика. —Н. Пластина по пЛ, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что,с целью обеспечения максималъноИ

5 чувствительности, фотополупроводниковыИ слоИ имеет толщину дос таточную для поглощения от 75 до .95$ падающего на него активного света. о Х2. Пластина по и. Х, о тл и ч а ю щ а я оя тем, что, с целью обеспечения возмоаностй использования ее для рефлексноИ печати, фотополупроводниковыИ

15 слой имеет толщину достаточную для поглощения от 10 до 80ф падающего на него активного света.

ХЗ. Пластина по и. Х, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что

2о она частично прозрачна.

448658

10 й, сек йcw

500

Фс/Г. Я, 10 t, сУк

Составитель Э ПОЧТЩ)Ь редактор Сщ рщщ(щтехред КщйядЗШОВЗ орректор ЯКОВАМИ

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, I13035, Раушская наб„4

Предприятие «Патент», Москва, Г-59, Бережковская наб., 24

Заказ ЦЯ Изд. тираж 3Pg Подписное