Патент ссср 417961

 

ОП ИОАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

4179И

Союз Советских

Социалистических

Республик

К ПАТЕНТУ

Зависимый от патента №

М. Кл, G 03 5, 08

Заявлено 28.Х.1970 (№ 1491108j23-4) Государственный комитет

Совета Министров СССР во делам изобретений и открытий

УДК 772,932(088,8) Опубликовано 28.11,1974. Бюллетень ¹ 8

Дата опубликования описания 1ЛтП.1974.

Авторы изобретения

Иностранцы

Кончи Киносита и Тададзи Фукуда (Япония) Иностранная фирма

«Кацурагава Денки Кабусики Кайся» (Япония) Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МАТЕРИАЛА

Изобретение относится к способу изготовления фоточувствительного электрографического материала.

Известен способ изготовления фогочувствтттельного электрофотографического и атериала, заключающий в образовании на подложке фотопроводникового слоя (например, из аморфного селена), фоточувствительного, задержиВающего заряды слоя, обладающего свойством устойчивой внутренней поляризации, и изоляционного слоя на одной стороне фоточувствительного.

Однако таким способом трудно изготовлять материал, способный к эффективной задержке зарядов и улучшенной фоточувствительностью, так как материалы с большим числом уровней задержки зарядов, применяемые для образования фотопроводникового слоя, имеют низкую фоточувствительность.

Целью предлагаемого изобретения является изготовление фоточувствительного материала для электрофотографии, обладающего высокой степенью задержки зарядов и высокой фоточувствительностью.

Согласно изобретению, фоточувствительный материал, имеющий высокую чувствительность, изготовляют образованием на подложке фотопроводникового слоя осаждением паров сплава селен — теллур, содержащего

40 мол."",0 теллура, образованием фоточувствительного задерживающего заряды слоя, обладающего свойством устойчивой внутренней

5 поляризации между фотопроводннковым и изоляционным слоями одновременным осаждением паров сплава селсн — теллур, содержащего 16 мол.00 теллура, и сплава селен — теллур, содержащего 40 ктол.о 0 теллура, н последующим образованием слоя с высокими изоляционными свойствами на одной стороне фоточувствительного слоя.

На фиг. 1 показано строение фоточувствительного материала настоящего изобретения;

15 на фиг. 2 дан график зависимости интенсивности скрытого изображения от величины экспозиции.

Как показано на фиг. 1, фоточувствительный материал содержит подложку 1, которая

20 может быть металлической пли из диэлектрика, фоточувствительный слой 2, который может быть получен пз известных высокочувствительных фотопроводниковых материалов, слой

3, полученный осаждением смеси паров мате25 риала с Высокой степенью задержки зарядоВ, и изоляционньш слой 4, которые расположены в указанном на рисунке порядке и связаны в единую структуру.

417961

П р и мер l. Для осагкдения паров исполь3vroT резервуар со множеством раздельных и нагревае fbfx лодочек. CIIJIBB селена il телл jpB (порошок), содержащий 40 мол.% теллура и используемый в качестве высокочувствительного материала, помещают в многие одинаковые лодочки, и сплав селепа и теллура, содержащий 16 мол.% теллура и используемый в качестве ма>ериала с высокой степенью задержки заряда, помещают в одну лодочку.

В испаритсле располагают подложку из алюминиевого листа, после удаления воздуха все лодочки, содержащие сплав селен — теллур с 40 мол. <

3 толщиной 1 мк, содержащего материал с высокой фоточувствителшн>стью и материал с высокой степенью задержки зарядов, на ocB?Kденном слое из сплава селен--- тсллур. Затем подложку вынимают из HIIHapara» на поверхности слоя 3 образуют изоляциош<ый слой из поликарбоната толщиной 10 мк. Осаждение паров сплавов селен — теллур осуществляк> <

IIpH HPJIHчине вакуума Bbtf lie 5 (10 — MM pT. сг.

При этом температуру в лодочках тщательно регулируют таким образом, чтобы ocam;Ieffrfc проходило со скоростью менее 0,1 мк/мип.

С увеличением содержания ICJIJlypa в сплаве необходимо увеличить температуру лодочки.

Для зарядки поверхности изоляционного слоя 4 (величина заряда — 2000 в) используют коронный разряд. Зарядку поверхпосп изоляционного слоя зарядом противоположной полярности осуществляют одновременно с экспонированием изображения в течение

0,2 сек (освещенность 2 люкс на освеще<шых участках) с целью образования скрытого изображения на поверхности изоляционного слоя, соответстl

+200 в на участках; соответствующих освещенным участкам экспопированного изображения. Скрытое изображение проявляют заряженным проявляющим порошком и затем печатают путем переноса. После переноса поверхность фоточувствительного материала очищают, оставшееся скрытое изобра>кепие удаляют известным способом.

На фиг. 2 показана зависимость между величиной экспозиции фоточувствительного материала и интенсивностью скрытого изобракения. Кривая а показывает, что интепсивrfucrf скрытого изображения достигает макси5

55 бО

65 мум при величине освещенносгп экспонируемого изобрагкения примерно 3 люкс, и что дальнейшее увеличение освещенносfH не приводит. к возрасташпо интенсивности cf

Если слой 3 содержит только 16 мол."/о теллура, Iu невозможно получить скрытое изображение сравнимой интенсивности без увели f<.IIH)f освещ< ffffocTH эксш>нируемого изображения в несколько раз. С другой стороны, когда фоточувствительный материал содержит фоточувствительный слой, состоящий только из сплава селен — теллур с содержанием теллура 40 мол.%, но не содержит фоточувствительного слоя из сплава с содержанием теллура 16 мол.%, разность в напряжениях ярких и темных участков экспо пиров а нного изображения мала и не может быть использована п1>актически. Фоточувствительный слой толщиной (1 мк, содержащий первый слой из сплава селен — теллур с содержанием

l6 мол.% теллура и второй слой с содержанием 40 мол.% теллура, полученный осаждением паров на поверхность первого слоя, и фоточувствительный слой, содержащий первый слой из сплава селен — теллур с содержанием 40 мол.% теллура и второй слОЙ с со держанием 16 мол.% теллура, ОсажденныЙ на одну поверхность первого слоя до толщины слоя 1 мк, образуют скрытые изображения с более низкой интенсивностью, чем описанные выше слои. Ьолее того, чувствительность lloследнего фоточувствительного материала низка и такой материал не может быть использован практически, Тонкий осажденный слой смеси, имеющий толщину около 1 мк, показывает хорошие характеристики, потому что такой фоточувствительный материал, как сплав селен — теллур, обладает очень высокой способностью к поглощени>о света. Почти все световые лучи поглощаются в поверхностном слое, так что свободные носители зарядов, возбужденные поглощенным светом, легко перемещаются на более далекое расстояние. В связи с этим толщину слоя 3 смеси необходимо устанавливать в зависимости от степени поглощения света.

Кроме того, увеличение интенсивности полученного скрытого изображения можно достичь облегчением переноса носителей зарядов между частицами двух различных фоточувствительных материалов в смеси. Это может быть достигнуто термической обработкой.

Пример 2. Фоточувствительный материал, изготовленный по примеру l, подвергают термической обработке на воздухе при 65 C в течение 3 час. Скрытое изображение получают как в примере l. Как показывает кривая б (см. фиг. 2), чувствительность скрытого изобра>кения увеличивается в 1,7 раза и появляется возможность улучшения репродукции промежуточных тонов.

Термическая обработка понижает барьерный эффект, существующий между частицами различных фоточувствительных материалов, 417961

Предмет пзооретенил

?2 а1 Ю,2 П,ЗП1 П сьерр я

Составитель Г1. Абраменко

Техред Г. Васильева

Редактор Л. Герасимова

Корректор H. Лук

Заказ 1559/14 Изд. М 1398 Тираж 506 Подписное

Ц11ИИПИ Госуд,",рственного кол.нтета Совета Мшшстров CCCP

lI0 ислам изобретсш15 и открытии

Москва, Ж-35, I ÿóøñêàÿ наб., д. 4 5

Типография, вр. Сапунова, в таким образом, способствуя более легкому переносу носителей зарядов. Следовательно, характеристики частиц двух различных материалов проявляются зффективно. Установлено, что воздействие термической обработки более эффективно с увеличением различия характеристик двух фоточувствительных матере1алов.

1. Способ получения фоточувствительного материала путем нанесения на подложку фотопроводникогого слоя, фоточувствительного, задерживающего заряды слоя, обладаю|цего топ, й. fN//

Ь

8Н о ю. 6Я

ФПЮ го

Е. внутренн ii но.глризацией, и изоляционного слоя с вь1соки.ги изоляционными свойствами, отл и ч а 1о щ и и сл тем, что, с целью повышения фоточуиствительности материала, нанесение на подложку фотопроводникового слоя ведут осаждением паров сплава селен — теллур, содержагцего 40 мол.% последнего, а задерживгнощего заряды — путем одновременного осажвснил на полученный материал паров

10 сплава селсн--- )еллур, содержащего 16 мол.% последнего, и паров сплава селен — теллур, содержащего 40 мол.% теллура.

2. Способ по и. 1, отличающийся тем, ITo полученный в проиессе материал нагре15 вают при температуре -65 С не,)3 час.