Способ определения удельной энергии поверхностного натяжения кристаллов

 

! !i! 462I20

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 03.08.73 (21) 1950250/26-25 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приор итст—

Оп бликовано 28.02.75. Бюллетень ¹ 8 (51) М. Кл. б 01п 21/26

1асударстеенный комитет

Совета Министров СССР

fl0 делам нэобретеннй н открытии (53) УДК 548,75 (088.8) Дата опубликования описания 17.09.75

:31! Т Б Л !"У"""-ГТЯ3 (72) Автор изобретения

С, В. Кузнецов

Институт геологии Карельского филиала АН С P (71) Заявптсл!> (54) СПОСОБ ОПРЕЗЕЛЕНИЯ УДЕЛЬНОЙ ЭНЕРГИИ

ПОВЕРХНОСТНОГО НАТЯ)КЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ

Д/тз о= —.

Данное изобретение относится к области исследований слоистых кристаллов. Велич!ша удельной энерпш поверхностного натяжения есть парамет!р, указывающий на степень различия сил межмолекулярного взаимодействия окружающей среды и исследуемого образца.

Поверхностное натяжение прп достаточно больших размерах граничащих фаз ие зависит от величины образующейся поверхности и определяется как работа переноса в поверяюстный слой из окружающего объема фаз всех молекул, образующих один квадратный сантимет!р поверхност!!ого слоя.

Таким образом, поверхностное натяжение определяет средшою энергшо перевода молекул из объемного состояния в «поверхностное» (двухмериое); прп этом совершается работа .против молекулярных сил сцепления.

Удельная энергия поверхностного натяжения выражается в эрг/см, т. е. величина энергии поверхностного натяжения, отнесенная к единице площади к!ристалла.

Известен оптический способ определения поверхностной энергии натяжения: исследуемый кристалл устанавливается в фокусе объектива твер!домера ПМТ-3 и образец раскалывается стеклянным клином вдоль плоскосгп третьего пинакоида. Прп помощи ПМТ-3 определяется жесткость кристалла и радиус кривизиы изгибающейся пластинки по интерференционной картине.

Определяется поверхностная энергия натяжения по формуле:

5 где Š— жесткость образца, /1 — толщина откалываемой пластинки, l0 R — радиус кривизны откалываемой пластпiiêè.

Известный способ является разрушающим, трудоемким, и его нельзя применять к образцам малых размеров.

15 С целью ускорения определения снимается

ИК-спектр отражения с подобных граней эталонного и исследуемого кристаллов, оп ределяются максимальные коэффициенты отражения кристаллов и рассчитывается удельная

20 энергия поверхностного натяжения исследуемого кристалла по формуле:

L = — L:

25 Способ заключается в следующем.

На серийном спектрометре пли спектрофотометре устанавливается эталонный кристалл с известной энергией поверхностного натяжения и определяется максимальное значение з0 коэффициента отражения относительно алю462120

Предмет изобретения

617

588

318

347

Тальк

Природный флогоиит

Синтетический флогоиит

Ьиотит природный

Вермикулит

Хлорит

88

57

64

54

29

25

Составитель Е. Никитина

Текред М. Семенов

Редактор Л. Цветкова

Корректор Н. Лебедева

Заказ 3059 Изд. № 1247 Тираж 902 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, 1 аушская иаб., д. 4/5

Обл. тип. Костромского управления издательств, полиграфии и книжной торговли миниевого зеркала, затем ставится исследуемый кристалл и определяется максимальный коэффициент отражения от той же грани; затем по формуле находят:

E = — E:, l ээ где Е« — энергия поверуп1остиого натяжения, отнесенная к единице площади, R — коэффициент отражения исследуемого кристалла, R — коэффициент отражения эталона, Е; — энергия поверхностного и àтяжеи и я эталона.

Ниже приводится таблица значений удельной энергии поверхностного натяжения, определенных по предлагаемому спосооу для ряда слоистых кристаллов.

Коэффииисиг Улсиы1ЯЯ эпсРгии ио

11азв3иие минерала игрив(сииия эсрвпостиого иатяжс пия, И эрг си

При с равнении с литературными данными отклонения в полученных значениях составляют не более 4%.

Способ определения удельной энергии поверхностного натяжения кристаллов с использованием сравнительного оптического метода, отлича ощий ся тем, что, с целью ускорения определения, снимают ИК-спектр отражения с подобных граней эталонного и исследуемого кристаллов, определяют максимальные коэффициенты отражения кристаллов II рассчиты5

BBIoT удельну1о эиерпио поверхностного натяжения исследуемого кристалла по формуле:

Е = —.Е

/ )

23 где E — энергия поверхностного натяжения на единицу площади, R — коэффициент отражения исследуемого кристалла, R- — коэффициент отражения эталона, Š— энергия поверхностного натяжения эталона.