Подложкодержатель для газовой эпитаксии

 

ОГ)ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1111 476022

СОюз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 12.01.73 (21) 1872042/23-26 (51) М. Кл. В 01j 17/32 с присоединением заявки №

Государственный комитет

Совета Министров СССР ло делам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 05.07.75. Бюллетень № 25

Дата опубликования описания 11.11.75 (53) УДК 621.315.592 (oss.s) (72) Авторы изобретения

А. А, Басовский, О. В. Богородский и А. С. Дерман (71) Заявитель (54) ПОДЛОЖКОДЕРЖАТЕЛЬ ДЛЯ ГАЗОВОЙ ЭПИТАКСИИ

Изобретение относится к устройствам для эпитаксиального наращивания полупроводниковых материалов из газовой фазы.

В известном устройстве для газовой эпитаксии полупроводников подложкодержатель выполнен в виде вертикальной трубы, на боковой поверхности которой расположены подложки, а внутри установлен нагреватель сопротивления. Подложки расположены в углублениях с плоским дном. Так как подложки опираются на плоскую поверхность, а внутренняя поверхность подложкодержателя— вогнутая, стенка последнего имеет различную толщину на краю и в центре расположения подложки. В результате разнотолщинности стенки перепад температуры по поверхности подложки, например при диаметре

60 мм, составляет 10 — 12 С. Это приводит к неоднородности свойств получаемых эпитаксиальных слоев.

Цель изобретения — обеспечение более равномерного нагрева подложек.

Для этого в местах расположения подложек на боковой поверхности предлагаемого ,подло>ккодер>кателя выполнены окна, в которые вставлены ди1ски с толщиной в центре, равной 100 — 130% от нх толщины на периферии, причем наружная поверхность дисков параллельна к образующей поверхности подлож1кодержателя или наклонена к ней под углом це более 8 .

Иа фиг. 1 схематически изображен подложкодержатель, продольный разрез (при наклонном расположении диско1в); на фиг.

2 — то же, поперечное сечение (при параллельном расположении дисков).

Подложкодержатель расположен внутри герметичной камеры 1, установленной .на поддоне 2. Подложкодержатель изготовлен из стойкого к газовой среде материала, напри10 мер графита, покрытого слоем поликристаллического кремния. В боковой поверхности подложкодержателя выполнены окна 3, в которые вставлены диски 4, На дисках размещены подложки 5. Для их установки в нижI5 ней части дисков имеется уступ 6. Подложки могут быть также установлены на штырьках 7, вставленных в диски. Поверхность дисков, обращенная к подложкам, — плоская, а внутре1шяя поверхность слегка выпуклая.

20 Внутри подло>ккодержателя установлен нагре1ватель сопротивления из графита.

Подло>ккодержатель работает следующим образом.

Устаца влива1от подложки 5, камеру 1 опус25 кают на поддон 2 ц из нее продувкой инертным газом удаля1от воздух. Инертный l аз

|вытесняют водородом, в атмосфере которого ведут разогрев путем подачи на нагреватель сопротивления 8 напряжения. При нагре30 ве тепловой 1поток через стенку дисков 4 поступает к подложкам 5. После достижения

476022 температуры процесса, например для кремниевых слоев 1230 С, в камеру подают парогазовую смесь: водород и тетрахлорид кремния. На поверхности подложек идет рост эпитаксиа IbHblx слоев кремния.

Устройство позволяет получать весьма равномерную температуру на поверхность подложек, на пример,при их диаметре 60 мм, в пределах 1 — 3 С.

Подложкодержатель может быть использован для получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов методом водородного восстановления и термического разложения.

Предмет изобретения

1. Подложкодержатель для газовой эпитаксии, выполненный в виде вертикальной трубы, на боковой поверхности которой расположены подложки, а внутри установлен нагреватель сопротивления, о т л и ч а ю щ и йся тсм. что, с целью обеспечения более равномерного нагрева подложек, в местах их расположения на боковой поверхности выполнены окна, в которые вставлены диски, толщина которых в центре равна 100 — 130% от их толщины на периферии.

2. Подложкодержатель по п, 1, о т л и ч аю шийся тем, что наружная поверхность дисков параллельна к его образующей боковой поверхности.

15 3. Подложкодержатель по и. 1, о т л и ч аю шийся тем, что наружная поверхность дисков на клонена к его образующей боковой поверхности под углом не более 8 .

476022

Составитель -В. Безбородова

Текред 3. Тараненко

Корректо1игк Е. Давыдкина и В. Дод

Редактор В. Другова

Типография, пр Сап .иова, 2

Заказ 2737j8 Изд. № 893 Тираж 782 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР ио делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4,5