Способ изготовления матрицы запоминающего устройства

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (10 476598

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 20.06.73 (21) 1935007/18-24 (51) M. Кл. С llс 5/00 с присоединением заявки №

Государственный комитет (32) Приоритет

Опубликовано 05.07.75. Бюллетень X 25

Дата опубликования описания 30.10.75

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 681.327.6 (088.8) (27) Авторы изобретения

Ю. В. Остапенко, В. В. Бушин и Н. Д. Новик (71) Заявитель

Ордена Ленина институт кибернетики АН

Украинской ССР (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ ЗАПОМИНА|ОЩЕГО

УСТРОЙСТВА

Предмет изобретения

Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности, к способу изготовления интегральных магнитопленочных матриц запоминающих устройств (ЗУ).

Известен способ изготовления интегральной 5 матрицы ЗУ, заключающийся в том, что адресные и разрядные шины наносятся на металлизированный с двух сторон диэлектрик методом фотолитографии, диэлектрик оплавляется в промежутках между шинами потоком горячего 10 воздуха, шины металлизируются и покрываются магнитным материалом с прямоугольной петлей гистерезиса, Однако при использовании такого способа в,процессе оплавления изоляция между адрес- 15 ными и разрядными шинами недостаточна, а шины отслаиваются от диэлектрика.

Целью изобретения является повышение надежности матрицы в процессе ее изготовления.

Эта цель достигается тем, что на торцы шин 20 наносят слой неплавкого материала, например, методом электрофореза.

Матрица изготавливается следующим образом.

На металлизированном с двух сторон, на- 25 пример, лавсане методом фотолитографии изготавливают с одной стороны адресные, а с другой стороны разрядные шины. ||а торцовые участки шин наносят слой частичек неплавкого материала, например, методом электрофореза из ванны следующего состава: твердая фаза — высокодисперсный порошок MgO; дисперсионная среда — 2%-ный раствор эпоксидной смолы марки Э-41 в ацетоне, суспензия

1 %-ной концентрации. В суспензию вводят

0,01 % зарядчика ДФ-1 дитиофосфат кальция, Осаждение ведут при напряжении 1000 в в течение 30 сек, затем сушат на воздухе. Матрицу оплавляют в потоке горячего газа, затем изолируют шины, металлизируют и наносят слой магнитного материала методом электролитического осаждения.

Способ изготовления матрицы запоминающего устройства, заключающийся в нанесении адресных и разрядных шин на металлизированный с двух сторон диэлектрик методом фотолитографии, оплавлении диэлектрика в промежутках между шинами потоком горячего воздуха, металлизации и покрытии этих шин магнитным материалом с прямоугольной петлей гистерезиса, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности матрицы, перед оплавленнем диэлектрика на торцы шин наносят слой неплавкого материала, например, методом электрофореза.

Способ изготовления матрицы запоминающего устройства 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к ПЗУ Х-конфигурации

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к устройству для создания отрицательного высокого напряжения, которое требуется, например, для программирования электрически стираемой программируемой постоянной флэш-памяти

Изобретение относится к схеме для генерации отрицательных напряжений с первым транзистором, первый вывод которого соединен с входным выводом схемы и второй вывод которого соединен с выходным выводом схемы и вывод затвора которого соединен через первый конденсатор с первым выводом тактового сигнала, со вторым транзистором, первый вывод которого соединен с выводом затвора первого транзистора, второй вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора и вывод затвора которого соединен с первым выводом первого транзистора и со вторым конденсатором, первый вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора, а второй вывод которого соединен со вторым выводом тактового сигнала, причем транзисторы являются МОП-транзисторами, выполненными, по меньшей мере, в одном тройном кармане (Triple Well)

Изобретение относится к средствам, обеспечивающим возможность адресации в устройстве, содержащем один или более объемных элементов

Изобретение относится к устройству хранения данных, к способу осуществления бездеструктивного считывания данных и способу придания поляризации парам субъячеек памяти

Изобретение относится к игровым системам и, в частности, к способам и средствам, позволяющим определять местоположение игрового устройства в казино
Наверх