Запоминающее устройство

Авторы патента:

ЛАПИР ГЕННАДИЙ МОИСЕЕВИЧ

РЕДЬКО ВЛАДИМИР ГЕОРГИЕВИЧ

ЧИРКИН ГЕННАДИЙ КОНСТАНТИНОВИЧ

G11C11/14 - тонкопленочных

п 486375

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Света Соеатскнк

Содиолистическик

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 04.06.73 (21) 1927073/18-24 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 30.09.75. Бюллетень ¹ 36

Дата опубликования описания 09.01.76 (5!) .Ч. Кл. 6 11с 11/14

Государственный комитет

Совета евинистров СССР ло делам изобретений и открытий (53) УДК 681.325.66 (088,8) (72) Авторы изобретения

Г. M. Лапир, В. Г. Редько и Г. К. Чиркин (71) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к области микроэлектроники и вычислительной техники и »ожет быть использовано при построении запоминающих устройств ЭВМ.

Известно запоминающее устройство (ЗУ), =одержащее пластину одноосного прозрачного гиротропного ферромагнетика с цилиндрическими магнитными доменами (ЦМД) с расположенной на ней двухкоординатной матрицей управляющих проводников с ферромагнитными аппликациями, размещенными в узлах матрицы, а также источник и детектор поляризованного света, установленные с разных сторон пластины.

Однако такое запоминающее устройство обеспечивает регистрацию ЦМД только в определенных положениях, либо требует использования дсфлекторов света.

Цель изобретения вЂ” повышение надежности,работы устройства и увеличение емкости памяти.

Это достигается тем, что устройство содержит расположенную на пластине непрозрачную маску с отверстиями, размещенными в узлах матрицы, а управляющие проводники в местах пересечения выполнены из двух ветвей, обхватывающих указанные отверстия.

На чертеже схематически изображены запоминающее устройство и запоминающий элемент.

Запоминающее устройство содержит источник 1 поляризованного света, непрозрачную маск 2 с отверстиями, пластину 3 одноосного прозрачного гиротропного ферромагнетика, 5 оптический компенсатор и анализатор 4, фотоприемник 5, управляющий проводник 6 строки матрицы, управляющий проводник 7 столбца матрицы, ветви 8 управляющих проводников, ферромагнитные аппликации 9 и 10.

На пластину 3 наложены матрица управляющих проводников и маска 2. По одну сторону пластины находится источник 1 поляризованного света, по другую вЂ” оптический ком15 пенсатор и анализатор 4, образующие вместе с фотоприемником 5 детектор поляризованного света. Запоминающие элементы расположены в узлах матрицы управляющих проводников 6 и 7, каждый из которых имеет две

20 ветви 8, обхватывающие отверстие 11 в маске.

Симметрично относительно отверстия размещены ферромагнитные пленочные аппликации 9 и 10.

25 Предложенное устройство раоотает следующим образом.

Хранение и запись информации в ЗУ осуществляется известными способами как в запоминающем устройстве с произвольным доЗО ступом.

486375

Составитель Ю. Розенталь

Редактор И. Грузова Корректор О. Тюрина

Заказ 3239/14 Изд. Ar, 1841 Тираж 648 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Для считывания информации одновременно подаются токи по проводникам 6 и 7 выбранного элемента. При этом в области с устойчивыми положениями домена I u II прадиент нормальной к пластине компоненты магнитного поля имеет постоянный знак. В результaòå домен переходит из положения II, соответствующего «1», в положение I, соответствующее

«О», либо остается в положении I, если он там уже находился. При проходе домена под отверстием 11 за счет фарадеевского контраста происходит увеличение интенсивности света, попадающего на фотоприемник 5. Таким образом, сигнал на выходе фотоприемника возникает только при считывании «1», В отличие от известных магнитооптических

ЗУ в данном устройстве не требуется сложной системы управления лучом (дефлекторов света), точной фокусировки и т. д. Оптические элементы схемы счить1вания (поляроиды, оптический компенсатор) в основном могут быть выполнены в виде пленок.

Возможно также исполнение устройства с магнитными аппликациями в виде рельефных полосок на пластине прозрачного материла, ориентированной в плоскости легкого намагничивания (например, в пластине гексагонального феррита).

При этом конфигурации магнитных аппликаций могут выбираться удобной формы, при5 чем аппликации, расположенные под отверстием в маске, не препятствуют оптическому считыва нию.

Предмет изобретения

10 Запоминающее устройство, содержащее пластину одноосного прозрачного гиротропного ферромагнетика с цилиндрическими магнитными доменами с расположенной на ней двухкоординатной матрицей управляющих

15 проводников с ферромагнитными аппликациями, расположенными в узлах матрицы, а также источник и детектор поляризованного света, расположенныс с разных сторон пластины, отличающееся тем, что, с целью

20 повышения надежности работы устройства и увеличения емкости памяти, оно содержит расположенную на пластине непрозрачную маску с отверстиями, размещенными в узлах матрицы, а управляющие проводники в ме25 стах пересечения выполнены из двух ветвей, обхватывающих указанные отверстия,

Запоминающий элемент с неразрушающим считыванием информации // 483707

Устройство для записи информации в магнитный тонкопленочный накопитель // 483704

Магнитомодуляционный датчик перемещения // 483022

Матрица памяти // 480113

Запоминающее устройство // 480112

Кассета запоминающего устройства // 474050

Способ записи информации // 463144

Устройство для магнитной записи // 461449

Накопитель запоминающего устройства // 451127

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)