Матрица памяти

Авторы патента:

САВИН АЛЕКСАНДР НИКОЛАЕВИЧ

ШАХНОВ ВАДИМ АНАТОЛЬЕВИЧ

G11C11/14 - тонкопленочных

ОПИСАНИЕ < 48ОИЗ

Сава Саветских

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) Заявлено 06.12.73 (21) 1975980/18-24 с присоединением заявкивЂ” (23) ПриоритетвЂ”

Опубликовано 05.08.75. Бюллетень ¹ 29

Дата опубликования описания 13.11.75 (51) М. Кл. 6 11с 11/14

Государственный комитет

Совета Министров СССР

fl0 делам нэобретений и открытий (53) УДК 681.327.66 (088.8) (72) Авторы изобретения

А. Н. Савин и В. А. Шахнов (71) Заявитель (54) МАТРИЦА ПАМЯТИ

Предмет изобретения

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств цифровых вычислительных машин.

Известны матрицы памяти, содержащие проволочные подложки с магнитным покрытием, расположенные между токопроводящими шинами.

Однако сравнительно небольшая площадь охвата носителя информации плоскими проводниками шин считывания вызывает рассеивание магнитного поля вдоль пленки, приводящее к уменьшению плотности размещения информации.

Цель изобретения вЂ” повышение плотности размещения информации. Поставленная цель достигается тем, что токопроводящие шины выполнены из гибкой тонкой металлической фольги и укреплены на жестком основании с упругой прокладкой. Проволочные подложки с магнитным покрытием помещают между группами верхних и нижних токопроводящих шин, которые вследствие деформации упругой прокладки охватывают проволочные подложки.

На чертеже изображена предложенная матрица.

Проволочные подложки с магнитным покрытием 1 размещены между верхней и нижыей гру.-.пой,плоских токопроводящих шин 2, выполненных из тонкой гибкой металлической фольги, закрепленной на жестком основании 8 с упругой прокладкой 4. Вследствие деформации упругой прокладки печатные токопроводящие шины охватывают проволочные подложки с магнитным покрытием.

В качестве жесткого основания могут быть применены диэлектрик, немагнитный металл (например, бронза) и магнитный металл (например, пермаллой). В первом случае достигается сравнительно небольшой вес, 15 во втором вЂ” основание можно использовать как электрический экран от внешних помех, в третьем вЂ” основание можно .использовать как магнитостатический экран, еще более локализуя магнитное поле между печатными

20 токопроводящими шинами и этим увеличивая выходной сигнал, повышая плотность размещения информации и давая возможность уменьшить управляющие токи.

Матрица памяти, содержащая проволочные подложки с магнитным покрытием, расположенные между токопроводящими шинаЗ0 ми, отличающаяся тем, что, с целью повыше480113

Составитель Ю. Розенталь

Техред Т, Миронова

Редактор Н. Вирко

Корректор И. Симкина

Заказ 1083/1537 Изд. № 927 Тираж 648

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Тип. Харьк. фнл. пред, «Ïàòåíò» ния плотности размещения информации, токопроводящие шины выполнены из гибкой тонкой металлической фольги и укреплены на жестком основании с упругой прокладкой.

Похожие патенты:

Запоминающее устройство // 480112

Кассета запоминающего устройства // 474050

Способ записи информации // 463144

Устройство для магнитной записи // 461449

Накопитель запоминающего устройства // 451127

Магнитопленочная запоминающая матрица // 447756

Способ выполнения магнитной структуры на тонких пленках // 444381

Магнитный накопитель информации // 442513

Накопитель магнитного оперативного запоминающего устройства // 439016

Накопитель на тонких магнитных пленкахвптбё^шщ "'.^«"ггрvuis^ й1ш(и. // 436390

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)