Способ послойной прошивки накопителя на ферритовых сердечниках

 

союз ссветсех Q 1 е Я (Д Я

/!!> 49О/1 76

ЙЗОБРЕТЕН ИЯ

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 13.04.73 (21) 1907814/18-24 с присоединением заявки ¹ (51) М. Кл. С 11с 5 02

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 681.327.66 (088,8) Опубликовано 30.10.75. Бюллстсн!, М 40

Дата опубликования описания 0-1.02.76 (72) Авторы изобретения

О. А. Алексеев и В. И. Журавлев (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОСЛОЙНОЙ ПРОШИВКИ НАКОПИТЕЛЯ

НА ФЕРРИТОВЫХ СЕРДЕЧНИКАХ

ГосУдаРственный комитет (23) Приоритет

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к технологии изготовления накопителей запоминающих устройств на ферритовых сердечниках.

Известен способ послойной прошивки накопителя на ферритовых сердечниках, зак/почающийся в воздействии магнитного поля на накопитель, под действием которого сердечники поднимаются вверх до упора и освобождают просвет для укладки ши/1 очередного слоя.

Недостатком известного способа является то, что, поднимаясь вверх и выходя из пазов шаблона, сердечники могут отклониться от заданной ориентации, что усложняет укладку следующего слоя шин.

Целью предлагаемого способа является улучшение технологичности прошивки накопителя.

Это достигается тем, что через ферритовые сердечники пропускают ферритовые иглы, один концы которых соединяют с шинами первого слоя, затем перемещают ферритовые иглы в окнах сердечников с помощью неодно13 Од /1О Г 0 м Я Г /1 и т 1! 0 Г 0 Г! О л и I I и 13 0 ш и в Я 10 т ш пы после тующпх слоев, закрепляют пх, снимают магнитное поле, /3/ITHI II/33/OT феррнтовые иглы из сердс и///I ов и закрепляют шины первого слоя.

Последовательность операций при прошивке предлагаемым способом следующая.

Сердечники ориентируют и закрепляют (например, на липкой основе) на поле прошивки накопителя.

Иглами из ферромагнитного материала, и одним концам которых прикреплены шины прошивки одной из координат, прошивают ряды сердечников.

10 Иглы пз сердечников нс вы/п/маются, т. е.

111!/1!ы первого слоя находятся пока внс I/оля

ccpqc»:I/I! oâ, По всей плоскости поля прэшивкн псрпснднкуляр/!о к нему подают нсо I//ородное мяГнитнос по.lс тякп31 0013 азом, что фсрроз/ягпитн//е иглы по всей длине прпжи.;/Я/отcII Ii /пlз 3 (II,"i// веРхУ ) 0TI3 =13 cTI/II ccPQc lников. В освободившуюся часть отверстий сердечников производят прошивку проводов второго слоя. При этом прошивка осущсствля20 ется или непосредственно шинами, плп на пх концах закрепленными иглами пз неферромягнитного материала.

Если требуется прокладка третьего ело 1 ш /н, то маг шTío" поле (нли положение поля

25 1/Я1:.Опителя От//Oc 1, ль!10 нсГО) изз! сllя!От так, чтобы фгрромяг:штпыс иглы прпжпмалпсь

Tc/lcPü к IIPOГп/30//О, !0æí0É cToPoII oT/3c1!СГ!IЯ се13де IIIK013. ТЯ/ .113! Образом, Oба C OI! будут Tcllcpb сз/сцтс:/ы ввсрх (или вниз} и осло30 бодят просветы для прокладки шин третьего

490176

Составитель В. Вакар

Техред Е. Подурушина

Корректор Т, Миронова

Редактор Г. Яковлева

Заказ 3375/20 Изд. № 1923 Тираж 648 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 475

Типография, пр. Сапунова, 2 слоя. Прошивка шин третьего слоя осуществляется так же, как и второго, без использования ферромагнитных игл.

После обрезки и закрепления на рамке накопителя концов шин второго н третьего слоев и снятия магнитного поля, вынимая ферромагнитные иглы, производят прошивку шин первого слоя. обрезку и закрепление их концов.

Предмет изооретения

Способ послойной прошивки накопителя на ферритовых серде шиках, заключающийся в воздействии магнитного поля на накопитель, отличающийся тем, что, с целью улучшения технологичности прошивки накопителя, через ферритовыс сердечники пропускают

5 ферритовыс иглы, одни концы которых соединяют с шинами первого слоя, затем перемещают ферритовые иглы в окнах сердечников с помощью неоднородного магнитного поля и прошивают шины последующих слоев, за10 крепляют их, снимают магнитное поле, вытягивают ферритовые иглы из сердечников и закрепляют шины первого слоя.

Способ послойной прошивки накопителя на ферритовых сердечниках Способ послойной прошивки накопителя на ферритовых сердечниках 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к ПЗУ Х-конфигурации

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к устройству для создания отрицательного высокого напряжения, которое требуется, например, для программирования электрически стираемой программируемой постоянной флэш-памяти

Изобретение относится к схеме для генерации отрицательных напряжений с первым транзистором, первый вывод которого соединен с входным выводом схемы и второй вывод которого соединен с выходным выводом схемы и вывод затвора которого соединен через первый конденсатор с первым выводом тактового сигнала, со вторым транзистором, первый вывод которого соединен с выводом затвора первого транзистора, второй вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора и вывод затвора которого соединен с первым выводом первого транзистора и со вторым конденсатором, первый вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора, а второй вывод которого соединен со вторым выводом тактового сигнала, причем транзисторы являются МОП-транзисторами, выполненными, по меньшей мере, в одном тройном кармане (Triple Well)

Изобретение относится к средствам, обеспечивающим возможность адресации в устройстве, содержащем один или более объемных элементов

Изобретение относится к устройству хранения данных, к способу осуществления бездеструктивного считывания данных и способу придания поляризации парам субъячеек памяти

Изобретение относится к игровым системам и, в частности, к способам и средствам, позволяющим определять местоположение игрового устройства в казино
Наверх