Импульсный измеритель остаточного напряжения транзисторов

Авторы патента:

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

Оп ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскнк

Социалистических

Республик (> l) 500510,т c.o VJ >- 4 др 4в и, хотели., э, ль (6l) Дополнительное к авт, свид-ву(22) Заявлено21.03.74 (21) 2006471!26-- 25 с присоединением заявки №(23) Приоритет (43) Опублнковано25.01.76 Бюллетень №3 (45) Дата опубликования описания 17.05.76 (51) М. Кл, Q01R 31/26

Гооударстеенный камнтет

Сооета Инннотрае СССР оо делам нзобретеннй н открытнй (53) УДК 621.382.3 (088,8). (72) Автор изобретения

Я. А. Абрукин (71) Заявитель (54) ИМПУЛЬСНЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ ОСТАТОЧНОГО НАПРЯЖЕНИЯ

ТРАНЗИСТОРОВ

Изобретение относится к электронной технике и может быть применено в полупро. водниковой промышленности для контроля параметров транзисторов.

Известны устройства для измерения оста- к точного напряжения транзисторов в импульс. ном режиме, содержащие пиковые детекторы.

Однако схемы пиковых детекторов обладают низкой точностью и температурной стабильностью при измерении малых напряжений. щ йель изобретения вЂ” повышение точности измере ний.

Достигается это благодаря тому, что в устройство дополнительно введены емиттерный повторитель, выполненный на транзисто-тs ре .того же типа проводимости, что и испытуемый, и генератор тока, выполненный на транзисторе другого типа проводимости, причем база транзистора генератора тока подключена через резистор к клемме для подклю- 2п чения коллектора испытуемого транзистора, а его коллектор подключен к точке соединения конденсатора с анодом и базой транзистора эмиттерного повторителя, к выходу которого подключен измеритель напряжения, 25

На чертеже дана схема импульсного измерителя остаточного напряжения транзисторов.

Устройство содержит транзистор 1 в ди одном включении, генератор тока на транэи сторе 2, емиттерный повторитель на транзисторе 3, конденсатор 4, измеритель 5 . напряжения, резисторы 6-10 и клеммы для подключения испытуемого транзистора 11, Импульсный измеритель остаточного напряжения транзисторов работает следующим образом.

В исходном состоянии транзисторы 1 и

2 и испытуемый транзистор 11 закрыты.

При поступлении на испытуемый транзистор открывающего импульса транзистор открывается, открывая тем самым транзисторы 2 и 1 и создавая цепь заряда-разряда конденсатора 4. Величина тока, пр >текаюшего через транзистор 2 ат генератора тока, определяется напряжением, снимаемым с делителя, составленного иэ резисторов 6, 7 и . величиной резисторе 8. Этот ток протекает через транзистор 1 в коллектор исш, туемо,го транзистора. Поэтому напряжение на кон5005 10

Составитель В.Немцев

Техред H.Карандашова КоРРектоР ll.Áðàõíèí

Редактор Е.Гончар

3акаа 4915 Из . Ч ТнРаи1О29

Подписное

Ц)ШИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по дедам изобретений и открытий

Москва ° I!3035. Раушская наб., 4

Филиал ППП Патент», г. Ужгород, уп. Проектная, 4 денсаторе 4 будет отличаться от остаточного напряжения испытуемого транзистора на величину. падения напряжения на. транзисторе 1, .На выходе эмиттерного повторителя 3 напряжение будет ниже напряжения на 5 конденсаторе 4 на величину падения напряжения база-эмиттер транзистора 3 и будет равно остаточному напряжению испытуемого транзистора при равенстве падений напряжеЫЙ иа транзисторе 1 и переходе база-эмиъ-1О тер транзистора 3, Равенство этих падений напряжений обеспечивается интегральной,транзисторной парой.

При выключении испцруемд .о транзистора. транзисторы 2 и 1 запираются. Конденса- l5 тор 4 заряжается незначительным по величине током разности через резистор 10 и переход база-эмиттер транзистора 3.

Описываемый измеритель обладает высокой температурной стабильностью, так как М температурные изменения параметров транзисторов 1 и 3 взаимно компенсируются.

Формула изобретения

Импульсный измеритель остаточного напряжения транзисторов, например ф -р- гт типа, содержащий измеритель напряжения, конденсатор, подключенный через диод к клемме для подключения ..коллектора испытуемого транзистора, о т л и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью повышения точности измерений, в него дополнительно введены эмиттерный повторитель, выполненный на транзисторе того же типа проводимости, и генератор тока, выполненный на транзисторе другого типа проводимости, причем база транзистора генератора тока подключена через резистор к клемме для подключения коллектора испытуемого транзистора, à его коллектор подключен к точке соединения конденсатора с анодом диода и базой транзистора эмиттерного повторителя, к=выходу которого подключен измери тель напряжения.

Устройство для измерения обратных токов полупроводниковых диодов // 496516

Способ контроля нестабильности параметров полупроводниковых приборов // 496514

Способ определения коэффициента инжекции // 494958

Автомат подбора варикапов в комплекты // 494708

Способ измерения коэффициента нелинейности электропроводности полупроводника // 494707

Способ определения фотоэлектрических характеристик полупроводника // 494063

Устройство для контроля граничной частоты передачи тока транзистора // 490049

Устройство для контроля полупроводниковых приборов // 490048

Способ определения потенциально-нестабильных полупроводниковых приборов // 490047

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим