Неоднородное примесное стекло для объемной фотолитографии

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советскнк

С4зцналнстнческнк

Рес убл (ll) 5044 34

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 290573 (21)1926877/26-25 с присоединением заявки ЭЙ (23) Приоритет (43) Опубликовано 050878.Бюллетень,%29 (45) дата опубликования описания 2206.78 (51) М. Кл.

Н 01 1, 7/46

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (ЬЗ) УДК

62L382 (088. 8) С.С. Янушонис, Б.В. Беляускас и В.К. Шеркувене (72) Авторы изобретения

Pl) Заявитель (54 ) НЕОДНОРОДНОЕ ПРИМЕСНОЕ СТЕКЛО

ДЛЯ ОБЪЕМНОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ

Изобретение касается создания полу» проводниковых приборов, в частности, транзисторов для сверхбыстродействующих и СВЧ интегральных схем.

Известны боросиликатные и фосфорносиликатные стекла, применяемые для изготовления транзисторных структур.

Однако известные однородные примесные стекла не обладают сочетанием свойств, необходимых для изготовления высококачественных транзисторных структур микронных размеров для сверхбыстродействующих и СВЧ ИС, так как они должны обеспечить не только источник легирующей примеси, но также служить маской от проникновения окислителя при термическом окислении, также обеспечить хорошую адгезию с фоторезистом, необходимую для полу- . чения ровного края рисунка и проведения поперечного травления. Например, боросиликатное стекло может служить эффективной маской против проникновения окислителей только при толщине слоя порядка 5-8 мкм, минимальная ширина структуры из примеснОго стекла должна не менее чем в два раза превышать толщину, чтобы избежать окисления через боковые стенки,,поэтому применяя известные однород- оО ные стекла нельзя создать структуры микронных размеров. Если примесное стекло, содержащее легирующую примесь, покрыть маскирующим слоем чистой двуокиси кремния, может быть обеспечено создание рисунка с ровными краями, но экранирующая способность такой системы остается недостаточной.

Цель изобретения — создание примесного стекла для объемной фотолитографии, сочетаквяего свойства, необходимые для создания качественных транзисторных структур при субмикронной толщине слоя, что в свою очередь обеспечивает создание транзисторных структур микронных размеров.

Это достигается размещением между легирующим и маскирующим слоямп экранирующего слоя, состоящего из

30-95 вес.Ъ окиси алюминия, остальное — двуокись кремния. Скорость проникновения окислителя в экранирующем слое с предпочтительным составом

80 вес.В окиси алюминия и 20 вес.Ъ двуокиси кремния более чем на два порядка меньше скорости проникновения в слое термической двуокиси кремния такой же толщины, поэтому экранирую1щий слой толщиной 0,08-0,15 мкм слу504434

Формула изобретения

Составитель Г.угличина

Редактор Е.Месропова Техред О.Андрейко КоРРектор Л.Веселовская

Заказ 4300/50 Тираж 9бО Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул.Проектная,4 вит надежным экраном против проникновения окислителя.

Предлагаемое неоднородное примесное стекло получают, например, следующим способом на очищенную поверхность подложки наносят слой боросиликатного стекла из раствора толщиной 0,15 мкм, который в последующем формируют при 450 С. При помощи реактивного распыления с двух мишеней, в атмосфере, содержащей инертный газ и кислород, одновременно распыляют алюминий и кремний высокой чистоты.

При достижении толщины алюмосиликатного стекла 0,15 мкм, мишень с алюминием перекрывают и наносят слой чистой двуокиси кремния толщиной

0,15 мкм.

Применение предлагаемого неоднородного стекла позволяет уменьшить размеры транзисторных структур, благодаря чему увеличивается быстродействие и граничная рабочая частота построенных на их основе интегральных схем. Уменьшением размеров структур также можно воспользоваться для уменьшения потребляемой мощности беэ уменьшения быстродействия,. в тех примене5 ниях ИС, где уменьшение потребляемой мощности является существенным.

10 Неоднородное примесное стекло для объемной фотолитографии, содержащее нижний легирующий слой и верхний маскирующий слой нз чистой двуокиси кремния, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью обеспечения создания транзисторных структур субмикронных размеров, между легирующим и маскирующим слоями размещен зкранирующий слой, состоящий из 30-95вес.Ъ окиси алюминия, остальное — двуокись кремния.