Фотопотенциометрический датчик
(ii) 504923
ОПИСАН И Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Сова Советсннл
Соцналнстическнх
Республнн (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 08 10,74 (21) 2073256 18-10 с присоединением заявки № (23) Приоритет
Опубликовано 28.02.76. Бюллетень № 8
Дата опубликования описания 04.05.76 (51) Л!, Кл.- 6 OID 5 56
Государственный комитет
Совета Министров СССР (53) УДК 621 383 3 (088.8) по делам нзабретеннй н открытий (72) Авторы изобретения
Н. Е. Конюхов, А. А. Плют и В. М. Гречишников
Куйбышевский политехнический институт им. В. В. Куйбышева (71) Заявитель (54) ФОТОПОТЕНЦИОМЕТРИЧЕСКИЙ ДАТЧИК
Изобретение относится к области информационно-измерительной и вычислительной техники.
Известен фотопотенциометрический датчик, содержащий изоляционную подложку с нанесенными на нее резистивным слоем и токосъемником, между которыми расположены фотоэлектрический и дискретный терморезистивный слои.
Цель изобретения — повышение точности работы фотопотенциометрического датчика.
Это достигается тем, что дискретный терморезистивный слой выполнен в виде сплошной пленки, контактирующий с токосъемником через дополнительный фотоэлектрический слой.
На чертеже схематически изображен предлагаемый датчик.
Датчик содержит изоляционную подложку
1 с нанесенными на нее резистивным слоем 2 и токосъемником 3, между которыми расположены фотоэлектрический слой 4, терморезистивный слой 5, выполненный в виде сплошной пленки, и дополнительный фотоэлектрический слой 6. Для освещения фотопотенциометрического датчика служит световой зонд 7. Фотоэлектрический слой 4 контактирует с резистивным 2 и терморезистивиым 5 слоями, а дополнительный фотоэлектрический слой 6— с терморезистивным 5 и токосъемником 3.
Профиль фотоэлектрического слоя 4 и терморезистивного слоя 5 выполнены в соответствии с законом изменения сопротивления резистивного слоя 2.
5 Принцип действия фотопотенциометрического датчика заключается в следующем.
При движении светового зонда 7 вдоль координаты Х сопротивление датчика между выходными зажимами изменяется по опредеI0 ленному закону. Это обусловлено тем, что освещенные участки фотоэлектрических слоев
4 и 6 последовательно включают соответствующие участки резистивного и терморезистивного слоев, сопротивления которых соответст15 вуют их профилю. Дополнительный фотоэлектрический слой, затемненные участки которого имеют большое сопротивление, предотвращает шунтирование терморезистивного слоя низкоомным токосъемником и позволяет авто20 матически подключать через освещенньш участок соответствующий IIQ величине терморезистор. Текущее значение сопротивления терморезистора зависит от координаты Л светового зонда и определяется профилем пленки тер25 морезистивного слоя.
В результате такого включения терморезистивного слоя, имеющего противоположный по знаку температурный коэффициент сопро30 тивления, компенсируется дестабилизирующее
504923
Формула изобретения
Составитель А. Астахов
Техред Е, Подурушина
Редактор И. Грузова
Корректоры: Е. Хмелева и И. Позняковская
Заказ 835/8 Изд. № 1156 Тираж 864 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2
3 воздействие колебаний температуры, изменяющей сопротивление как резистивного, так и фотоэлектрического слоев. При этом величина удельного сопротивления терморезистивного слоя и его температурный коэффициент сопротивления выбираются исходя из условия термокорреляции, которое заключается в равенстве абсолютных значений приращений сопротивления терморезистивного слоя и суммарного сопротивления резистивного и фотоэлектрических слоев в рабочем интервале температур.
Фотопотенциометрический датчик, содержащий изоляционную подложку с нанесенными
5 на нее резистивным слоем и токосъемником, между которыми расположены фотоэлектрический и дискретный терморезистивный слои, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, дискретный терморезистивный
10 слой выполнен в виде сплошной пленки, контактирующей с токосъемником через дополнительный фотоэлектрический слой.
