Резистивный материал

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (и) 505034

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 07.05.74 (21) 2022479/26-21 (51) М. Кл. Н 01С 7/00 с присоединением заявки №

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 28.02.76. Бюллетень № 8

Дата опубликования описания 28.04.76 (53) УДК, 621.396 69 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. Н. Троицкий, В. Н. Сорокин, В. В. Володько, Б. М. Гребцов, В. И. Берестенко, Т. П. Поташникова, Ю. Н. Никулин и Ю. П. Юсов (71) Заявитель (54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к технике изготовления радиодеталей.

Известен резистивный материал, содержащий в качестве токопроводящей фазы нитриды переходных металлов IV u V групп периодической системы, например нитриды титана и ванадия, алюмоборосиликатное стекло в качестве связующего и окись алюминия в качестве наполнителя.

Однако при использовании бинарного нитрида невозможно получить стабильный ТКС резистивного слоя в широком диапазоне номинальных значений сопротивлений.

С целью расширения диапазона номиналов и стабилизации ТКС резисторов предлагаемый материал содержит нитриды указанных металлов в виде твердого раствора при следующем количественном соотношении исходных компонентов, вес. %:

Титан 4 — 17

Ванадий 2 — 40

Азот 6 — 12

Окись алюминия 8 — 40

Алюмоборосиликатное стекло 22 — 50

Управление ТКС резистивного слоя достигается при использовании взаимных твердых растворов изоструктурных нитридов IV u V групп периодической системы. Н апример, в системе TiN — VN имеется непрерывный ряд твердых растворов с общей формулой

Ti„V„N ((х+у) =1).

5 ТКС проводящего материала в этом случае определяется составом твердого раствора в указанной системе, Используя титано-ванадиевые нитриды, удалось перекрыть диапазон номиналов рези10 сторов от 1 до 10" ом, сохраняя ТКС во всем диапазоне на уровне +-5 10 †град. †При этом для низкоомной шкалы (10 ом) в сложном нитриде преобладает ванадий (Т4,Юю,9К), а в высокоомной шкале

15 (- 10 ком) сложный нитрид содержит в осHOBHOM THTBH (Tip,gVp,

В качестве примера для получения низкоомной шкалы сопротивлений (от 1 до 10 ом) изготовлены резистивные слои, имеющие со20 став, вес. %:

Алюмоборосиликатное стекло 36 — 43

Окись алюминия 8 — 12

Титан 6 — 7

25 Ванадий 30 — 39

Азот 9 — 10

В качестве примера для получения высокоомной шкалы сопротивлений (от 10 до 50 ком) изготовлены резистивные слои, имеющие со30 став, вес. %:

505034

Составитель Т, Богдалова

Техред E. Подурушина Корректор О. Тюрина

Редактор Е. Караулова

Заказ 841/3 Изд. № 1171 Тираж 963 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Алюмоборосиликатное стекло 26 — 42

Окись алюминия 28 — 43

Титан 18 — 26

Ванадий 3 — 5

Азот 5 — 7

Приведенные примеры показывают реализацию управления ТКС резистивного материала в широком диапазоне номинальных значений сопротивлений.

Формула изобретения

Резистивный материал, содержащий в качестве токопроводящей фазы нитриды переходных металлов IV u V групп периодической системы, например нитриды титана и ванадия, алюмоборосиликатное стекло в качестве связующего и окись алюминия в качестве наполнителя„отличающийся тем, что, с целью

5 расширения диапазона номиналов и стабилизации ТКС резисторов, он содержит нитриды указанных металлов в виде твердого раствора при следующем количественном соотношении исходных компонентов, вес. /о.

10 Титан 4 — 17

Ванадий 2 — 40

Азот 6 — 12

Окись алюминия 8 — 40

Алюмоборосиликатное стекло 22 — 50