Резистивный материал
ВСЕСОЮЗНАЯ
ПАТЕНТ :„
О П И С А Н И Е об4
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 01.07.74 (21) 20 11774/21 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано05.06.76.Бюллетень № 21 (45) Дата опубликования описания 23.09,76
Кл. Н 01В 1/08
Гасударственный комитет
Совета Министров СССР па делам изобретений н открытий
621. 396. 69 (088. 8) (72) Авторы изобретения
Э. А, Бондаренко, Б. П. Соколов, О. А. Гараймович и B. Г. Белозеров (71) Заявитель
Московский авиационный технологический институт им. К. Э. Циолковского (54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ
0,1-1,7
Pb0
5,3-30,0
Известны резистивные материалы на основе стеклообразующих окислов SiO
Аl О,CaO,РЪО, Йа О,К О.
2 2
Этим материалам присущи температурная 5 нестабильность, повышенная э. д. с. шумов и недостаточное удельное сопротивление (не более 30-40 ком/кв). Кроме того, структура покрытия неоднородна из«за неоднородного распределения окисной и проводя- 1О шей фаз. Это, в свою очередь, вызывает большой разброс резисторов по номиналам и, как следствие, малый процент выхода годных в производстве, что значительно удорожает их себестоимость. 15
С целью расширения диапазона номиналов и получения низких значений ТКС, предлагаемый материал содержит составные части в следующих количествах (вес. %):
$iО 54,5 71 5
Аl О
СаО 0,3-6,3
Na О 3,8 10,7
К О
9,2-1 6,7
В результате термической обработки все компоненты материала образуют стеклообразную Фазу- Это происходит до нанесения резистивного покрытия, Предварительное тщательное перемешивание компонентов и обработка при температуре плавления шихты позволяют достичь высокой гомогенизации материала.
Из полученного данным способом материала образуют известными методами резистивные элементы необходимой толщины и формы, после чего обработкой их при температурах выше 350 С в восстановительной газовой среде в течение заданного времени получают необходимый номинал сопротивления этих элементов.
Во время термической обработки стеклообразных резистивных элементов в восстановительной среде водород, обладая большой проникающей способностью, однородно распределяется по объему элементов и восста» навливает окислы свинца до металла в той
517054
SiO
Al О
Са0
54,5-7 1,5
О, 1-1,7
0,3 6,3
Pb О йа,,О
К О
5,3-30,0
3,8-10,7
9,2-16,7
Составитель -Т- Богдано огданова
РедактоР Б.федотов Те"Рек E Пе о а КорректоР отава
Изд. Ah / Я g
Тираж 963 Подписное
Заказ 6310
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, 113035, Раушская наб., 4
Филиал ППП "Патент", r. Ужвзрод, ул. Проектная, 4 степени, какая необходима для получения заданной электропроводности элементов.
При этом свинец, находясь в атомарной или коллоидальной форме, хорошо распределяется по объему резистивного элемента, 5 что обеспечивает высокий выход годных резисторов в номинал и повышенную их надежность. Таким образом, регулируя температуру резистивных элементов и продолжительность о жига в водороде или другой вос-1О становительной газовой среде, можно с высокой воспроизводимостью получать необходимое электросопротивление этих элементов, При выходе элементов из номинала в бе 15 лее низкоомную область их можно подбгнать в номинал отжигoM в окислительной среде.
Б пленочном варианте резистивный материал и вышеописанная технология позволя 2р ют получать удельные сопротивления покры тий от 5-10 ом/кв до 100-150 KoM/кв и
ТКС от (2-3) 10 до (6-7)*10 @ град-1
Помимо этого на одном и том же материале можно перекрывать большой диапазон но-о5 миналов сопротивлений » от нескольких ом до десятков и сотен мего;;, Резистивный материал дает возможность получать из одного и того же материала резисторы с широким диапазоном номиналов сопротивлений при малой стоимости и срав нительно низких значениях ТКС, может при меняться для изготовиения толстопленочных и тонкопленочных резисторов широкого назначения. ф ормула изобретения
Резистивный материал на основе стекло образуюших окислов Si O, A l О, CaO, )
PbO, Na ОиК О, отли "ающий2 2 с я тем, что, с целью расширения диапазона номиналов и получения низких значений
ТКС, он содержит указанные компоненты в следующих количествах (вес, %):
