Многоуровневое запоминающее устройство

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ р 5!9759

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 31.07.74 (21) 2049620/24 (51) М. 1 л,- зG 11С 11/063 с присоединением заявки K

Государственный комитет

Совета Министров СССР (23) Приоритет

Оп бликовано 30.06.76. Бюллетень Ме 24 (53) УДК 681.325.66 (088.8) по делам изобретений и открытий

Дата опубликования описания 09.07.76 (72) Авторы изобретения

Л. Г. Попов и Д. В. Цаплин (71) Заявитель (54) МНОГОУРОВНЕВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации.

Известны многоуровневые запоминающие 5 устройства, содержащие накопитель на тороидальных сердечниках, прошитый по системе

2,5Д, усилители чтения, разрядные формирователи и блок управления (1, 2).

Однако из известных многоуровневых запо- 10 минающих устройств содержит накопитель на тороидальных сердечниках, прошитый управляющими шинами, подключенными к усилителям чтения и разрядным формирователям, и блок управления (1). Недостаток этого уст- 15 ройства — сложность прошивки.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является многоуровневое запоминающее устройство, содержащее, как и известное, накопитель на тороидальных сердеч- 20 никах, прошитый по системе 2,5Д, управляющие шины которого подключены к усилителям чтения и разрядным формирователям, и блок управления, соединенный с регистром и разрядными формирователями (2). 25

Однако такое устройство имеет малую информационную емкость.

Цель изобретения — повышение информационной емкости устройства.

Зто достигается путем того, что в много- 30 уровневое запоминающее устройство, содержащее накопитель на тороидальных сердечниках, прошитый по системе 2,5Д, управляющие шинь. которого подключены к усилителям чтения и разрядным формирователям, и блок управления, соединенный с регистром и разрядными формирователями, введены элементы «И». Входы элементов «И» подключены к соответствующему усилителю чтения и к входу основного разряда регистра, а выходы элементов «И» — к входу дополнительного разряда регистра.

На фиг. 1 изображена блок-схема многоуровневого запоминающего устройства, выполненного согласно изобретению; на фиг. 2—

8 показаны переходы сердечников из различных устойчивых состояний и эпюры выходных сигналов.

Предложенное устройство (фиг. 1) содержит накопитель 1 на тороидальных сердечниках, управляющие шины которого подключены к усилителям 2 чтения. Усилители соединены с регистром 3, а регистр в свою очередь — с блоком 4 управления и элементами

«И» 5. Накопитель 1 и блок 4 управления подключены к разрядным формирователям 6.

При воздействии на сердечник импульса тока, длительность которого меньше времени переключения сердечника, процесс переключения заканчивается вместе с окончанием им519759 пульса и сердечник оказывается в некотором промежуточном состоянии намагниченности.

Это состояние зависит как от амплитуды, так и от длительности импульса тока. При соответствующих временных соотношениях между длительностями импульса тока и процесса переключения, а также фиксированной амплитуде импульса тока получается возможность задать число устойчивых промежуточных состояний. На фиг. 2, 3, 4 рассмотрен случай, когда это соотношение подобрано таким образом, что импульс тока переключает примерно /з магнитного потока, где 7 — адресные, 8 — разрядные импульсы чтения; 9— адресные, 10 разрядные импульсы установки; 11 — адресные, 12 — разрядные импульсы записи.

В результате можно получить четыре устойчивых состояния.

Рассмотрим работу числовой части многоуровневого ЗУ, построенного по системе 2,5Д.

Весь период обращения в заданный адрес делится на три части: чтение; установка начального состояния; восстановление информации.

При чтении выборка информации проводится путем сложения двух полутоков, протекающих по адресным и разрядным шинам (фиг. 2, 3, 4), но в отличии от обычного ЗУ по разрядной шине подается серия импульсов, в данном случае три импульса. Если сердечник находился в состоянии «3» фиг. 2, то при воздействии импульсов чтения получим три импульса фиг. 5. Сигналы при чтении из сотсояния «2» показаны на фиг. 6, из состояния «1» — на фиг. 7, из состояния «О» — на фиг. 8.

Сигналы с сердечника из накопителя 1 поступают в усилители 2 чтения. Из усилителей чтения, где осуществляется стробирование сигнала и формирование стандартного импульса, он поступает в регистр 3 и в элементы «И» 5, которые управляют дополнительными разрядами регистра. Информация основного и дополнительного разрядов регистра 3 анализируется блоком 4 управления и используется при восстановлении информации.

Как видно из фиг. 2, 3, 4 после окончания чтения сердечники оказываются в состоянии, близком к «О». Для исключения постепенного сползания состояния «О» при многократном

10 обращении в сердечник после импульсов чтения следуют импульсы установки, возвращающие сердечник в состояние «О». Цикл заканчивается восстановлением информации, причем блок управления, получающий инфор15 маций о хранившемся до чтения числе из регистра, определяет количество импульсов в серии разрядных импульсов.

Формула изобретения

Многоуровневое запоминающее устройство, содержащее накопитель на тороидальных сердечниках, прошитый по системе 2,5Д, управляюище шины колорого подключены к усили25 телям чтения и разрядным формирователям, и блок управления, соединенный с регистром и разрядными формирователями, о т л и ч аю щее с я тем, что, с целью повышения информационной емкости устройства, оно содер30 жит элементы «И», входы которых подключены к соответствующему усилителю чтения и к входу основного разряда регистра, а выходы элементов «И» подключены к входу дополнительного разряда регистра.

Источники, принятые во внимание при экспертизе .

1. Крайзмер Л. П. «Быстродействующие ферромагнитные запоминающие устройства», 40 изд-во «Энергия», 1964, стр. 199.

2. Патент США № 3.631.412, кл. 340 †1 от 6.09.71,

Многоуровневое запоминающее устройство Многоуровневое запоминающее устройство Многоуровневое запоминающее устройство Многоуровневое запоминающее устройство Многоуровневое запоминающее устройство 

 

Наверх