Устройство для электрического моделирования нелинейной теплопроводности установившихся тепловых процессов

 

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 53 1 168 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено08,08.73 (21) 1955733/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано05.10.76.Бюллетень № 37 (4Б) Дата опубликования описания 19.04.77 (51) М. Кл.з б 06 G 7/48

Государственный иамитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (53) УДК 681.333, (088. 8) П. А. Воронин, А, М. Давидсон, Г. А. Епутаев, В. А. Волк и М. Б. Штейнцайг (72) Авторы изобретения

1

Северо-Кавказский горнометаллургический институт," фц -, (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ

НЕЛИНЕЙНОЙ ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ УСТАНОВИВШИХСЯ

ТЕПЛОВЫХ HPOUECCOB

Изобретение относится к области моделирования тепловых процессов и может быть использовано для проектирования и исследования стационарных тепловых процессов теплопроводности теплотехнических устройств путем сеточного моделирования.

Известны (1), (2) моделитепловыхпроцесcoB,выполненные на линейных электрических резисторах,в которых или не учитывается изменение коэффициента теплэпроводнэсти материа- IO лов устройств при изменении температуры, или учитывается методом последовательнь:х приближений путем подбора термических сопротивлений отдельтпчх участков устройства в соответствии с их температурой, причем 15 используются также нелинейные электрические резисторы с подбором их вольт-амперньтх характеристик.

Однако эти модели или не учитывают температурную челинейность теплопроводности, 20 или процесс моделирования сложен и трудоемок.

Известно устройство для электрического моделирования установившихся тепловых процессов, содержащее источник питания с де- 25 лителем напряжения и ячейки сеточной модели из линейно зависимых от температуры резисторов с измерителями токов и напряжений.

Однако такое устройство не обеспечивает возможности достаточно просто исследовать распределение температуры теплового потока в термических устройствах при заданных температурах на его границах или распределение температуры при заданных тепловых потоках.

Целью изобретения является упрощение решения этих задач, т.е. упрощение процесса моделирования. Для этого в предложенном устройстве каждый узел сеточной модели соединен скользящим контактом с делителем напряжения, а каждая ячейка сеточной модели содержит, по крайней мере, два параллельных резистора, в цепь каждого из которых включен измеритель тока, а между средней точкой одного из резисторов и нулевой шиной источника питания включен измеритель напряжения.

В основу моделирования положена аналогия между математическими выражениями

531168 р б дт

О о

55 уравнений тепловых процессов и математическими выражениями уравнений электричес-, ких цепей.

На фиг. 1 показана термическая схема одного слоя теплотехнического устройства; на фиг.2 — схема устройства для электрического моделирования нелинейной теплопроводности установившихся тепловых процессов в одном слое теплотехнического устройства; на фиг. 3 — электрическая схема устройст- 10 ва для моделирования плоской стенки, разбитой на К слоев, с граничными условиями

1-го рода на левой поверхности и граничными условиями 3-ro рода на правой поверхности; на фиг. 4 — схема плоской стенки (а), ее схема электрического моделирования и график распределения температуры вдоль стенки (в), полученный электрическим моделированием; на фиг. 5 — схема для электрического моделирования термического устройства с двухмерным тепловым полем.

Математическое обоснование предлагаемого способа электрического моделирования, реализуемого предложенным устройством, проведем на примере плоской стенки.

Каждый участок представляет собой электрическую модель одного слоя термического устройства, тепловой готок в котором определяется по формуле;

Ф = (т„-т,), AS (4) где Ф вЂ” тепловой поток через слой (Вт);35

Л вЂ” коэффициент теплопроводности (Вт/м К);

Р— толщина слоя (м);

- плошадь сечения слоя, церпенцикулярного направлению теплово- 4О го потока (м );

Т„- Tz — температура на границах слоя (к).

В расчетах обычно берется линейная зависимость коэффициента теплопроводности от температуры: л=л,(< 5 т, ) (2) где Л вЂ” значение коэффициента теплоо проводности при О С (Вт/м К); — температурный коэффициент теплопроводности (1/К ); т,р = среннее значение теинературы

Т1-т- Т2

2 внутри слоя (К).

Учитывая выражение (2), тепловой поток определяется так:

1ОS о Я ф = (7 -Тя) + — g Тс (Ò -Тя) (3) 6О

Разделим тепловой поток на две составляющие: линейную 4 и нелинейную Ф„л .

Фл (+)

Линейной не зависящей от температуры составляющей, является первое слагаемое формулы (3) Фл у Т Тг) о (5) нелинейной составляющей теплового по тока — второе слагаемое формулы (3) АеЯ

Ф„, = и т, (т,-т,l

Введем обозначения: линейное термическое сопрогнвлен.::г с.—; я :, .;,,, /i а сТ (1 л 5 дифференциальное термическое сопротивлени-е c7î7 Р „, (К Зт) С учетом формул (7), (8) уравнения (5) и (6) примут вид:

Ф я 7-Р(т т ) (6 ) З ж н Р, л, 5 $

ПО таГаЮ7ся ПОСТО" "îýтому для кажд(-)го) слоя

Ялт-COn-t, ЯАт-Co st

Такнм образом, тепловой поток данного слОя термического устройства согласно формулам (4 ), (5 ), (6 ) определяется как

Ф = „(т.-т,) -„т„(т,-r,) дт

Второе слагаемое данной формулы можно представить себе как,цифференциальный тепловой поток (т.е. тепловой поток, приходящийся на 1 град. температуры), протекающий через линейное термическое сопротивление -,. при разнссти температур на границах слоя (Т. — Т„ ), умноженный на средI нюю температуру данного слоя.

Первое слагаемое есть поток, протекающий через линейное термическое сопротивление 3„. при тех температурах Т, Т на

1 границах слоя.

Та а м образом, выражение (9) формально можно реализовать в вице параллельного соединения двух термических резисторов

1 (,- г ) («) лз

1 о <" )

А ф h > и (10) Щ, Ill

+r и Rp, (47) ТЦ, IYl нл nl Й Д (18) 45 (42) 7=m„.q

50 лэ

55 фиг. 1). В не,эазветвленной чгсти этого сое( динения протекает фиктивный поток Ф„4T„-. /Н „, как будет показано в дальнейшем, не влияюший на результаты моделирования. Реальныи тепловой поток следует подсчитывать путем алгебраическогосложения + и О„ . Последний определяется путем умножения вели— Т чины " на среднюю температуРт ру участка Т >, что можно производить на моделируюшем устройстве с помощью измерительных приборов.

Термическая схема фиг. 1 моделируется электрической схемой с соответствующими измерительными поибора и (фиг. 2 ) .

Аналогом Ф слу кит ток Т,,A) ! через линейное ряемый измерителем тока (амперметоом) А, где п .ф — масштабный коэффициент линейной составляющей тепло- 25 во:-о -потока (Вт/A).

Аналогом ф н р слу-жчт мощность (Вт, BA), измеряемая ваттметром, включенным в нижнюю ветвь следующим образом: токовая катуш;а (измеритель тока) последовательно с моделирующим резистором катушка напряжения (измеритель напряжения ) между точкой схемы, соответствующей нулевой температуре, и отгайкой от середины резистора о,= л Р Н4 где wl — масштабный коэффициент неНЛ

l0 линейной составляющей теплового потока (г-.личина безразмерная).

За аналог температуры принят электрический потенциал точки цепи ф (В). где — масштабный коэффициент температуры (К/В).

Аналогом линейного термического сопротивления R „ принято электрическое сопротивление резистора верхней ветви R (ОМ)

Аэ где п — масштабный коэффициент линейКл ного сопротивления (К-Вт Ом).

За аналог дифференциального термического сопротивления R» принято электричес60 кое сопро-.ивленне резистора нижней ветви

R дэ ()м), "лт = пд э,э (14) де тп д -масштабный коэ йициент ди ференциального сопротивления (К 1Вт О ).

Выражение для ток, в первой ветви .

Выражение для мощности р, „

Сруу формул (15-",,-,,1 g гична стРУктУРе фоРмУл (5 ) и (g ) П,д тавив в формулы (5 ) и (g ) значения параметров через масштабнь1е коэффициенты и имея ввиду уравнения (15) и (16), получим соотношения между масштабными коэффициентами

Моделирование производится следующим образом.

Исследуемое термическое устройство условно разбивается на слои, для которых л

S и Ь можно принять постоянными (берутся средние значения). Для каждого i -го слоя по формулам (7) и (Я) определяются я . и к э - . Если у асток не является лэ дэ; плоской стенкой, то при моделировании учитываются эквивалентные,дифференциальные и линейнь|е термические сопротивления. Ре,зисторы с этими сопротивлениями включаются в схему в соответствии с термической схемой моделируемого участка.

На фиг. 3 представлена электрическая модель плоской стенки, разбитой на К слоев, с граничными условиями 1-ro рода на левой поверхности и граничными условиями 3-го рода на правой поверхности (R — аналог термического сопротивления теплоотдачи от стенки).

Катушка напряжения каждого ваттметра включена на среднее напряжение каждого

4Р„™2 слоя (" 2 ) относительно потенциала, 2 соответствующего нулевой температуре шкалы

Значения температур поверхностей стенки задаются при помощи делителя напряжения

831168

П;,лэженнэе устрэйствэ для электрическэг э м эдэлир эвйния и эзвэляет м эделирэвать температурную нелинейность стациэнарнэи теплэпрэвэднэсти на линейных электрических сэпрэтивлениях, прэцессы теплэпрэвэднэсти в слэжных теплэтехнических устрэйствах и гоаничные услэвия 3-гэ рода при условии

1 линейнэ-кус очной аппр эксимации температурнэй зависимэсти кээф«фициента теплээтдачи, а также при сээтветствующей аппрэксимации моделирования прэцесса теплэизлучения.

Кроме того, точность электрического моделирования по сравнению с точностью

15 моделирова п«я на нелинейных электрических сопротивлениях повышена, изготовление модели ч1ро»»»ено;-ээ сравнению с изготовлением модели па нелинейнь»х элементах, а

2O ° " е з методика эксперимента упрощена по сравнеIBIc с электри =-ски. - моделированием при использовании метода итеОации.

Формулаизобретения устройство для электрического моделирования нелиней»«ой теплопроводности установившихся тепловь»х процессов, содержащее источни:y и:тания с делителем напряжения и я-."ейки сето--.ой м дели из линейно зависим"лх ст темпеэатуоы со»»ротивлений с измерите »ями токов !I напрях .ений 0 т л и ч а ю ш е е с я там,, -»то, с целью упрошеНИЧ ПРОЦ Сса МОДЕ, n

Штрих-пунктирными линиями эбсзна -.-. «ь» границы разбиения плэскэй стенки. Стенка разделена на 7 слэев. Между граница»«и раз- 1Э биения расположены участки электрической схемы, мэделирующие данный слэй, а также таблица, в которую включены показания измерительных приборов и,значения тепловых потоков (линейной и нелинейной составляю шей, а также суммарного).

Значения температуры, получен:ые в результате моделирования, показывают mpo-шее совпадение с данными теоретического расчета по известным формулам. Точность полученных значений определяется только точностью применяемых измерительных прибэрэв.

К . « . 3 . 3 .I „",. С ); 1, »,-Эча Ч;,;л»»И.-ЕЛ-. С;-1:::..:,.: —. - -.;..ЕД- ЕИ тОЧ»ээи одиОго iä 11рг» ;влс11 "1" « ." j .:в . ш "(нэй истэчника 1Ч" ci!Iii. 1У;.»1 1Э, 1; —.;i, ..= = .;, OT;. Налоижлиня

1, 1С» Э i IiK I Ii Д,. -,- - Ч,»;, - 1,-1 IO ВЭ В»«И

45 ма ие р«экслер»»-.з =-.

1. Све-I «а.-.ский . ». 1. З.,»ектрические прэмы1»»«»е111;:;»е»е i». 1, 1. "Энергия", 958г.

ca c-.I-I о».". 1., Сд»эва В. A., уко г. (., I ;.ã э,еэеда:а. Москва, "Энер.:«л»

)3 (выбирают таким, чтобы эно не оказывало влияния на распределение пэтенциалэв в устройстве), в виде потенциалов

При граничных услэвиях 111 -го рэда на правой пэверхнэсти стенки устанавливаются потенциалы 1« и 1 д, где Чэ — пэтенциал,. сэответствующий температуре экружающей среды правой стенки.

Изменяя значения потенциалов узловых к

Ч Ч1 " 9 добиваются одинаковой суммы тепловых потоков, показываемых амперметром и ваттметром (с учетом масштабных коэффициентов) на каждом участке для всей цепи, чтэ соответствует постоянству теплового потока в стационарном режиме.

Причем показания ваттметра складываются с показаниями амперметра при 11 > Q и вычитываются при ф (О. Измеряя значения потендиалов в узловых точках, получаем,значения температуры на границах слоев.

При отсутствии достаточного числа измерительных приборов моделирование можно вести с помощью одного ваттметра и одного амперметра, включая их поочередно в цепь каж25 дo» о участка.

В качестве примера на фиг. 4 приведена схема плоской стенки (а), ее электрическая модель(О ) и график распределения температуры вдоль стенки, полученный моделирэва3Q нием (в).

Толщина угольной стенки ь =1,3 м, плошадь поперечного сечения о =1 М, коэф«рициент теплопроводности

g7 g7: gi Г" (l; РГ В5 !

0,0И, 0,.О4 6;3>g ", i 7Ä - ",: 6;: . ;-,"Яд 4й;

У6 /Р4 4,ф, г,; /ф .; ..,.(ф

A4 / Я ФУ, 0 ИУ,Ф Од,р

j,/,Д I р, трц M00 (00 (дО: f00

1 и оа ! 1 ! ( сО I Ф-Я ! ! )

«»

2д0 Х(И) 4 -) Д "

g ф ЩБГЛ.;-ГЫ ГЫЛ б

531168

Составитель И. Горелова

Редактор Л. Утехина Техред A. Богдан Корректор Н. Ковалева

Заказ 5297/128 Тираж 864 Подписное

ПНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Устройство для электрического моделирования нелинейной теплопроводности установившихся тепловых процессов Устройство для электрического моделирования нелинейной теплопроводности установившихся тепловых процессов Устройство для электрического моделирования нелинейной теплопроводности установившихся тепловых процессов Устройство для электрического моделирования нелинейной теплопроводности установившихся тепловых процессов Устройство для электрического моделирования нелинейной теплопроводности установившихся тепловых процессов Устройство для электрического моделирования нелинейной теплопроводности установившихся тепловых процессов Устройство для электрического моделирования нелинейной теплопроводности установившихся тепловых процессов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к автоматике и может быть использовано для ранговой идентификации входных сигналов

Изобретение относится к аналоговой вычислительной технике и может быть использовано для моделирования опытных и промышленных установок при производстве лимонной кислоты

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано для аналогового физико-математического моделирования линейных, нелинейных и нелинейно-параметрических электрических машин

Изобретение относится к автоматике и аналоговой вычислительной технике и может быть использовано для построения аналоговых вычислительных систем

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в аналоговых вычислительных машинах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в аналоговых вычислительных машинах

Изобретение относится к области автоматики и аналоговой вычислительной техники и может быть использовано, например, для построения функциональных узлов аналоговых вычислительных машин, средств регулирования и управления

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в аналоговых вычислительных устройствах

Изобретение относится к области вычислительной техники и может найти применение при проектировании сложных систем

Изобретение относится к области вычислительной техники и может найти применение в сложных системах при выборе оптимальных решений из ряда возможных вариантов
Наверх