Источник галлия для газотранспортной эпитаксии арсенида галлия

Авторы патента:

H01L21/20 - нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание

1. Источник галлия для газотранспортной эпитаксии арсенида галлия, представляющий собой кварцевую лодочку закрытого типа, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности работы и уменьшения времени насыщения источника, в отверстие источника опущен капилляр, имеющий на другом конце развитую поверхность контакта с газовой фазой.

2. Источник по п.1, отличающийся тем, что капилляр образован близкорасположенными пластинами из материала, смачиваемого галлием, например вольфрама, имеющего отверстия в верхнем конце пластины.

3. Источник по п.1, отличающийся тем, что капилляр образован спиралью, намотанной на пластину.

Способ очистки поверхности эпитаксиальных слоев, легированных кремнием // 513575

Контактное устройство для подключения мощных диодов и стабилитронов к измерительному прибору // 512515

Способ получения n+-слоев на кристаллах и пленках арсенида галлия // 511755

Сособ получени я слоев двуокиси кремния // 510057

Способ осаждения слоев двуокисикремния // 508824

Кассета для химическо% обработки изделий // 503319

Способ получения слоев арсенида галлия // 500714

Способ управления электрическими свойствами кристаллов класса авс // 490388

Способ получения полупроводниковых структур // 463394

Способ формирования пленки карбида кремния на подложке // 2100870

Способ нанесения пленок // 2102814

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных эпитаксиальных структур // 2102815

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Способ получения сплошной пленки с алмазоподобной структурой и устройство для его осуществления // 2105379

Способ изготовления интегральных схем // 2109371

Изобретение относится к области изготовления интегральных схем

Способ получения структуры "полупроводник на пористом кремнии" // 2123218

Изобретение относится к области электронной техники, преимущественно микроэлектронике и может быть использовано в производстве быстродействующих радиационно стойких цифровых и аналого-цифровых интегральных схем на изолирующих подложках

Способ получения структуры "полупроводник-на-изоляторе" // 2125323

Способ управления процессом получения эпитаксиальной полупроводниковой структуры // 2132583

Испарительный тигель // 2133308

Изобретение относится к полупроводниковой области техники и может быть использовано в молекулярно-лучевой эпитаксии для снижения плотности дефектов в эпитаксиальных структурах

Способ изготовления микромеханических приборов // 2137249

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии изготовления микромеханических приборов, в частности, микрогироскопов, микроакселерометров, микродатчиков давления, из кремнийсодержащих полупроводниковых структур