Способ измерения распределения потенциала по толщине полупроводникового слоя
Оп ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик (11) 532829 (61) Дополнительное к авт. свид-ву—
<22) Заявлено 10.03.7 2 (21) с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано25,10,7 6.Бюллетень № 39 (45) Да-.à опубликования описания 18.02.77 (51) М. Кл.
901 Ч 31/26
Гооудорстинный нонитгт
Совата Министров СССР по делан изобрнтоний и открытий (53) УДК 621,382 (088. 8) А. А. Апексеюнас, А. А. Рибикаускас и А. А. Чеснис (72) )" в:: азы лообу. ; т-ения
Институт физики полупроводников АН Литовской CCP (71) =,àëàèòель (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА
ПО ТОЛШИНЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СЛОЯ
Изобретение отно ится к методике физических исследований полупроводников и приборов ьа их основе.
Известно, что дпя измерения распредепения потенциапа по толщине тонкопленочных об;.:-.апов,,;а -p "...åð полупроводниковых систем с p-z-переходом и с токовыми электродами на противоположных поверхностях, на этих образцах изготавливают поперечнь:й срез-шпиф, а установка для таких из- }0 мерений содержит передвижной клиновидный ипи конусообразный эпектроприводный зонд с небопьшим углом заточки, обеспечивающим врезание зонда в срез-шлиф исследуемого образца. l5
Однакс расстояния, на которых измеряется гадение напряжения, ограничиваются конструкцией и размерами передвижного зонда и практически не могут быть меньше чем
3-6 мкм. 20
Цель изобретения — увеличить разрешающую способность измерения по топшине и обеспечить возможность многократных измерений в одних и тех же местах.
Это достигается тем, что в слой полупроводника при нанесении этого слоя на подложку вводят тонкопленочные электроприводные зонды, причем концы зондов распопагают на границе подэпектродной области в плоскостях,параплепьных плоскостям токовых электродов.
На чертеже показан образец дпя осуществпения предлагаемого способа.
На твердотельную подложку 1 и токовый электрод 2 наносят многослойную структуру в следующей последовательности: слой попупроводника 3, тонкопленочный эпектропроводный зонд 4 и т.д, Последним наносится токовый электрод.
При измерениях к токовым электродам образца подключают напряжение определенной величины. При помощи прибора с большим входным сопротивлением или компенсационной схемы определяют падение напряжения между одним из токовых электродов и отдельными электропроводными зондами или между соседними зондами.
Микрорасстояния, на которых проводятся измерения падения напряжения, опреде532829
Составитепь A. Ожередов
Техред O. Луговая Корректор С. Шекмар
Редактор О. Стенина
Заказ 5451/208 Тираж 1029 Подписное
БНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по депам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5
Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ляют по геометрическим размерам и расположению зондов, Формула изобретения
Способ измерения распределения потенциала по толшине полупроводникового слоя путем подведения измерительных зондов к к исспедуемой области, о т л и ч а ю — 1О ш и и с я тем, что, с целью увеличения разрешаюшей способности измерения по топшине и обеспечения возможности многократных измерений в одних и тех же местах, в слой попупроводника при нанесении этого слоя на подложку вводят тонкопленочные электропроводные зонды, причем концы зондов располагают на границе подэлектродной области в плоскостях, параплельных плоскостям токовых электродов.
