Формирователь потенциалов для накопителя запоминающего устройства на мдп-транзисторах
ОПИСАНИЕ . ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских Социалистических Республик (61) gIoïoëíèòåëüíoå к авт. свид-ву (22) Заявлено 10.08.73 (21) 1952959/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет Опубликовано 05.02.77. Бюллетень № 5 Дата опубликования описания 09.03.77 (51) М. Ь,л. G 11С 7/00 Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 681.327.66 (088.8) (72) Авторы изобретения Ю. Ю. Доценко, П. П. Андрейцев, Д. С. Воронцов и М. Г. Грызлов (71) Заявитель (54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ПОТЕНЦИАЛОВ ДЛЯ НАКОПИТЕЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА НА МДП-ТРАНЗИСТОРАХ Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано для построения оперативных и буферных за,поминающих устройств (ЗУ) с накопителем на основе МДП-транзисторов. Известны формирователи потенциалов для накопителей ЗУ на МДП-транзисторах (1, 2). Один из известных формирователей потенциалов содержит транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, коллектор которого присоединен ко всем эмиттерам транзисторного токового переключателя. Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является формирователь потенциалов, содержащий первый транзистор, эмиттер которого через первый резистор подключен к источнику отрицательного напряжения, а коллектор соединен с эмиттером второго транзистора, база которого подключена к первой входной шине, а коллектор через второй резистор подключен к источнику положительного напряжения. База первого транзистора соединена с коллектором третьего транзистора и с анодом первого диода, катод которого через третий резистор подключен к источнику отрицательного напряжения. База третьего транзистора подключена к шине нулевого потенциала, а эмиттер соединен с катодом второго диода, анод которого подсоединен к коллектору четверто2 го транзистора, база которого соединена со второй входной шиной, а эмиттер подключен к шине нулевого потенциала. Недостатком известного формирователя яв5 ляется то, что при изменении напряжения питания изменяются уровни, формируемые на словарных линиях. Это может привести к тому, что информация, хранимая в ячейках памяти, не будет считана или будет разрушена 10 за счет нарушения съема информации в этих ячейках. Прп понижении напряжения питания транзисторы токового переключателя могут войти в режим насыщения, что ухудшает быстродействие схемы. Кроме того, с пз15 менением температурного режима также изменяются уровни формируемых потенциалов. Целью изобретения является повышение надежности работы формирователя при изменении питающих напряжений. 20 Эта цель достигается за счет того,чтоформирователь потенциалов содержит пятый транзистор, третий диод, стабплитрон, четвертый пятый, шестой и седьмой резисторы. Коллектор пятого транзистора соединен с шиной нулевого потенциала, база через пятый резистор подключена к источнику положительного напряжения и через четвертый резистор подключена к катоду стабилптрона, анод которого подключен к шине нулевого потенциала, 30 эмиттер соединен с катодом третьего диода. 546015 Анод последнего через шестой резистор подключен к источнику положительного напряжения, а через седьмой резистор к коллектору четвертого транзистора. На черте>ке представлен формирователь потенциалов для накопителя на МДП-транзисторахх. Формирователь содержит первый транзистор 1, эмиттер которого через резистор 2 подключен к источнику отрицательного напряжения — Е, а коллектор — к эмиттеру второго транзистора 3, база которого подключена к первой входной шине 4, а коллектор через второй резистор 5 — к источнику положительного напряжения +Е. База транзистора 1 соединена с коллектором третьего транзистора б и с анодом первого диода 7, катод которого через третий резистор 8 подключен к источнику отрицательного напря>кения — Е. База третьего транзистора б подключена к шине нулевого потенциала, а эмиттер — к катоду второго диода 9, анод которого подсоединен,к коллектору четвертого транзистора 10, база которого соединена со второй входной шиной 11, а эмиттер подключен к шине нулевого потенциала. Формирователь содержит также пятый транзистор 12, третий диод 13, стабилитрон 14, четвертый 15, пятый 16, шестой 17 и седьмой 18 резисторы. Коллектор пятого транзистора 12 соединен с шиной нулевого потенциала, база через пятый резистор 16 — к источнику поло>кительного напряжения +Е и через четвертый резистор 15 — к катоду стабилитрона 14, анод которого подключен к шине нулевого потенциала, эмиттер соединен с катодом третьего диода 13, анод которого через шестой резистор 17 подключен к источнику положительного напряжения, а через седьмой резистор 18 — к коллектору четвертого транзистора 10. Формирователь работает следующим образом. На базу транзистора 12 подается потенциал с делителя напряжения, собранного на резисторах 16 и 15 и стабилитроне 14. Транзистор 12 является эмиттерным повторителем напряжения, поэтому напряжение в точке соединения резистора 17 и диода 13 определяется напряжением на базе транзистора 12. В исходном состоянии, когда нет сигнала «Выборка Х» по первой входной шине 4, транзистор 10 открыт и насыщен, поэтому транзисторы 6 и 1 закрыты, ток в коллекторе транзистора 1 не протекает и вне зависимости от наличия сигнала в первой входной шине 4 на резисторе 15 отсутствует падение напряжения, т. е. на выходе формирователя н а пряжение равно +Е. Во время прихода сигнала «Выборка Х» по входной шине 4 транзистор 10 закрывается, и через резистор 18 и диод 9 в эмиттер транзистора б задается ток, определяемый напряжением в точке соединения резистора l7 и диода 13 и величиной сопротивлений резистора 18. Так как транзистор б является 60 б5 повторителем тока, то в его коллекторе протекает практически такой же ток, как и в эмиттере. Этот ток вызывает падение напря>кения на цепочке: диод 7 — резистор 8. В соответствии с величиной этого падения напряжения и сопротивлением резистора 2 транзистор 1 пропускает определенныЙ ток. В случае прихода сигнала «Выборка Х» по входной шине 4 этот ток создает падение напряжения на резисторе 5. Выходное напряжение формирователя определяется разностью питающего напряжения +Е и падением напря>кения на резисторе 5. Устранение зависимости формируемых потенциалов от изменения питающих напряже ний и окружающей температуры осуществляется следующим образом. Допустим, что питающее напряжение +Е увеличилось. При этом напря>кение, снимаемое с делителя (резисторы 16, 15 — стабилитрон 14) на базу транзистора 12 также увеличивается. В результате увеличивается напряжение на выходе транзистора 12,в точке соединения резистора 17 и диода 13. Таким образом, на резистор 18 подается большее напряжение, и через него течет больший ток, т. е. увеличивается ток, задаваемый в эмиттер транзистора 6. Соответственно увеличится и ток в коллекторе транзистора 6, а следовательно, и падение напря>кения в цепи диода 7 и резистора 8. Так как падение напряжения определяет величину тока, вырабатываемого транзистором 1, то и коллекторный ток транзистора 1 возрастает и создает большее падение напряжения на резисторе 5. Так как выходное напряжение формирователя определяется как разность между питающим напряжением +Е и падением напря>кения на резисторе 5, а первоначально предположили, что питающее напряжение +Е увеличилось, то видно, что предлагаемый формирователь может обеспечить неизменность выходного напряжения при изменении питающего напряжения. Аналогичны рассу>кдения и для случая, когда питающее напряжение +Е уменьшается. Таким образом, предложенный формирователь позволяет решать поставленную задачу. Кроме того, применение этого формирователя позволяет значительно сократить количество оборудования, уменьшить объем и потребляемую мощность ЗУ в целом, т, е. с учетом блоков питания ЗУ. В ЗУ для всех формирователей сигналов считывания требуется один блок компенсациями (на транзисторе 12), с выхода которого (точка соединения резистора 17 и диода 13) напря>кение подается на резисторы 18 всех формирователей сигналов считывания. Для всех формирователей сигналов записи также требуется один блок компенсации, Таким образом, для ЗУ требуется два блока компенсации. Блок компенсации на пятом транзисторе 12 546015 Формула изобретения Х Bx„ У" Составитель В, Вакар Техред Л. Морозова Корректор Л. Котова Редактор Л. Утехина Заказ 228/14 Изд. № 403 Тира>к 769 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, К-35, Раугиская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 черезвычайно прост и содержит минимальное число элементов. Экономически целесообразнее иметь в составе ЗУ два таких блока компенсации и применять нестабилизированный источник питания, чем использовать дорогостоящий стабилизированный блок питания. Формирователь потенциалов для накопителя запоминающего устройства на МДП-транзисторах, содержащий первый транзистор, эмиттер которого через первый резистор подключен к источнику отрицательного напряхкения, а коллектор соединен с эмиттером второго транзистора, база которого подключена к первой входной шине, а коллектор через второй резистор подключен к источнику положительного напряжения, база первого транзистора соединена с коллектором третьего транзистора и с анодом первого диода, катод которого через третий резистор подключен к источнику отрицательного напряжения, база третьего транзистора подключена к шине нулевого потенциала, а эмиттер соединен с катодом второго диода, анод которого подсоединен к коллектору четвертого транзистора, база которого соединена со второй входной шиной, а эмиттер подключен к шине нулевого потенциала, о т л ич а ю щ и Й с я тем, что, с целью повышения надежности работы формирователя при изменении питающих напряжений, он содержит 5 пятый транзистор, третий диод, стабилитрон, четвертый, пятый, шестой и седьмой резисторы, коллектор пятого транзистора соединен с шиной нулевого потенциала, база этого транзистора через пятый резистор подключена к 10 источнику положительного напряжения и через четвертый резистор подключена к катоду стабилитрона, анод которого подключен к шине нулевого потенциала, эмиттер соединен с катодом третьего диода, анод которого че15 рез шестой резистор подключен к источнику положительного напряжения, а через седьмой резистор к коллектору четвертого транзистора. Источники информации, принятые во вни20 манне прп экспертизе: 1. Прангишвили И. Е. «Однородные микроэлектронные ассоциативные процессоры», изд-во «Сов. радио», М., 1973. 2. Под ред. Гальперина Е. И. и Гордоно25 ва Л. !О. «Специальные элементы запоминающпх устройств ЭВМ на полупроводниковых приборах» Проектирование и расчет. Изд-во. «Сов. радио», М,, 1971.
