Способ измерения статической характеристики туннельного диода

 

«ii 568912

Союз. Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 14.05.73 (21) 1916692/25 с присоединением заявки ¹â€” (23) Пр|иоритет— (43) Опубликовано 15.08.77. Бюллетень № 30 (45) Дата опубликования описания 05.12,77 (51) М.Кл.- "6 01 1т, 31 26

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

Ю. Н. Пчельников, Б. В. Калинин, Е. В. Федоренчик и Е. А. Пронская

Московский институт электронного машиностроения (71) Заявитель (54) СПОСОБ

ИЗМЕРЕНИЯ СТАТИЧЕСКОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ

ТУННЕЛЪНОГО ДИОДА

Изобретение отчосится к области .измере ния ха|рактеристи к полупроводниковых приборов.

Из вестен способ Ko;ITpoëÿ характеристик туннельных диодов, заключающийся в пропуокании через диод изменяющегося тока и регистрации ча нем напряжения в различных точжах (1).

Однако HB участке отрицательной проводимости туннельный диод самовозбуждается в области СВЧ колебаний, что вызывает ис. кажение.

Самовозбуждение возни кает из-за,наличия

:паразитной индукт ивности выводов диода и его малой емкости.

Известен способ измерения статической характеристики туннельного диода путем пропуокания через исследуемый прибо р, зашунтированный емкостью, тока и регистрации

:напряжения:на нем, причем в известном способе емкость расположена конструктивно .рядом с кристаллом в корпусе диода (2).

Одна ко известный способ ухудшает высокочастотные свойства диода в процессе его дальнейшей эксплуатации.

Целью, настоящего изобретения является ловышепие точности измерений за счет создания шунти рующей емкости туннельного диода, устраняющей СВЧ возбуждение и не ухудшающей его свойств в процессе эксплуатац;ни.

Это достигается тем, что по предлагаемому способу црибор погружают в электропроводную жидкость, например в насыщенный раствор соли или щелоч|и.

Реализация описываемого способа заключается в снятии статической характеристики, например, с помощью иэменения тока через туннелыный диод, и регистрации напряжения на нем. Туннельный диод,при этом погружают В электроп роводн7ю жидкость.

Лучших результатов достигают при погру женин туннельного д иода в насыщенный раст15 вор соли Alz(SO<)z. При этом ошибка измерения тока диода в минимуме его характеристики не превышает 5% для диодов с пиковым током 5 мА и может быть учтена путем снятия статической вольт-амперной характе20 рисгики корпуса диода, погруженного в этот же раствор.

После из мерений диод освобождается от шунтирующего действия раствора, в результате чето его эксплуатационные характеристики не ухудшаются.

Формула изобретения

Способ .измерения статической характеристики туннельного диода, заключающийся в

568912 г

Составитель Т. Дозоров

Техред М. Семенов

Корректор В. Гутман

Редактор И. Шубина

Заказ 670/1908 Изд № 677 Тираж 1109 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, К-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент» дропуокании тока через исследуемый прибор, зашунвированный емкостью, и,регистрации напряжения на нем, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, прибор погружают в электропроводную жидкость, например в насыщенный раствор соли или щелочи.

Источники лнформации,,принять|е Во внимание при э кспертизе:

1. Авторское свидетельство СССР ¹ 437029, 5 кл. G 01 К 31/26, 25,07.74.

2. Патент США М 3292055, кл. 397,234, опубл. 05.12.66.