Сегнетоэлектрический материал

 

1и, 580I97

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 17.12.74 (21) 2085004/33 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 15.11.77. Бюллетень № 42 (45) Дата опубликования описания 24.11.77 (51) М. Кл С 04В 35/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР ло делам изобретений и открытий (53) УДК 666.655(088.8) (72) Лвторы изобретения

T. H. Вербицкая, Т. П. Майдукова, Л. В. Хоряк и Л. А. Пашкова

11

1 л; . (71) Заявитель (54) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ

К вЂ” " "" 8 /

=нач

Изобретение относится к области производства материалов с высокими нелинейными сегнетоэлектрическими свойствами, в частности, на основе ВаТ10з и может быть использовано в производстве керамических материалов.

Известен материал для нелинейных сегнетоэлектриков типа ВК-4 на основе BaTiO, с добавками окислов Sn и Сг, обладающий следующими характеристиками (1): температура Кюри — 105 +- 10 С, начальная диэлектрическая проницаемость е„;, — = 2000, управляющее поле — (Е,„„,) = 250 — 300 в/мм.

Недостатком материала является сравнительно низкие значения максимальной диэлектрической проницаемости (в,„„-, при E =

= Е„„„., составляет 20000 — 35000), коэффициента нелинейности

Целью изобретения является повышение максимальной диэлектрической проницаемости и коэффициента нелинейности, Цель достигается за счет того, что материал, включающий ВаО, Т102, ЯпОз, Сгз05 дополнительно содержит ХгО или ВаХгОз при следующем соотношении компонентов, в вес. %:

TiO 30 — 32

$пО 1,5 — 3,0

Сг 05 0,1 — 0,2

ZrOq nлн ВаХгОз 1 — 5

ВаО Остальное

Для получения материала берут, например, б следующие компоненты:

Карбонат бария 86

Двуокись титана 32,5

Основной углекислый цирконий 2,3

Лзотнокнслый хром 1

10 Азотнокислое олово Остальное

В реактор, снабженный мешалкой, вливают воду и при включенной мешалке загружают исходные компоненты; суспензню перемешивают 1 — 2 ч, причем соотношение твердого к

16 жидкому составляет 1,5 — 15, после чего приливают к ней смесь растворов карбоната аммония и аммиака, отделяют осадок от фильтрата и прокаливают при 1100 С.

Полученный порошок сегнетоэлектрического материала характеризуется высокой степенью дисперсностн (размер зерна 1 мкм) н однородности, а изготовленные из него варнконды имеют следующие свойства:

Диэлектрическая проннцае26 мость начальная е„,„ 2000

Максимальная е,,„;, до 150000

Коэффициент нелинейности 35 — 75

Управляющее поле Е,,„;,, в/мм 80 — 150

Температура Кюри, С 95 — 105

Температура второго фазового перехода, С 50

580197

Формула изобретения

Составитель Н. Соболева

Техред Н. Рыбкина

Корректор О. Тюрина

Редактор Э. Шибаева

Заказ 2530/9 Изд. № 915 Тираж 778

НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Типография, пр. Сапунова, 2

Сегнетоэлектрический материал на основе титаната бария, включающий ВаО, TiO> и добавки SnOq и СгзОз, о тл ич а ю щи и с я тем, что, с целью повышения максимальной диэлектрической проницаемости (е) коэффициента нелинейности (Квг), он дополнительно содержит ZrO> или BaZr03 при следующем соотношении компонентов, вес. %:

TiO2 30 — 32

SnO2 1,5 — 3,0

Сг20з 0,1 — 0,2

ZrO или BaZrO> 1 — 5

5 ВаО Остальное.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. «Вариконды в электронных импульсных схемах», изд-во «Советское радио», М., 1971, 10 с. 68.

Сегнетоэлектрический материал Сегнетоэлектрический материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к керамическим однородным суспензиям керамического порошка и способу их приготовления

Изобретение относится к керамической полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления полупроводниковой керамики на основе титаната бария, а также полупроводниковой керамики с позисторным эффектом

Изобретение относится к материалам для электронной техники, которые могут быть использованы для изготовления изделий СВЧ-техники и микроволновой техники
Изобретение относится к керамическим материалам, используемым в радиотехнике и радиоэлектронике, и может быть применено для изготовления приемных и передающих устройств, зондов для диагностики полупроводящих сред, а также для получения сверхтонких пленок для микроэлектротехники

Изобретение относится к созданию материалов на основе титаната бария

Изобретение относится к производству материалов для электронной техники и может быть использовано в технологии производства изделий микроволновой и СВЧ-техники
Изобретение относится к области электронной техники, в частности к составам и способам получения керамических резистивных материалов
Изобретение относится к области электронной техники, а именно к способу изготовления нагревательных терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления

Изобретение относится к области электроники, более конкретно к пироэлектрическим материалам для неохлаждаемых приемников инфракрасного излучения диапазона 8-14 мкм

Изобретение относится к низкотемпературным стеклокерамическим материалам и может быть использовано в электронной технике СВЧ
Наверх