Устройство для измерения параметров рассеяния транзисторов

 

6Oi633 стоянного тока, обеспечивающих режим питания транзистора 4.

Один из вариантов устройства, изображенный на фиг. 2, вкгпочает в себя: первый управляемый ключ 9 с контактами 17, 18, 19 и управляющей обмоткой 20, второй ключ 10 с контактами 24, 25, 26 и обмоткой упра вления 27, третий ключ 11 с контактами 29, 30,и обмоткой управления 31 для подключения входного электрода транзистора 4 к выходу делителя, состоящего из образцовых резисторов 5 и 6; четвертый ключ 12 = кое|тактами 32, 88 и обмоткой управления 34 для под«по lan IH вы«о Hofo электрода транзистора 4 к выходу делителя на образцовых, резисторах 7 н 8; пятый ключ 18 с контактами 85, 86, 37 и обмоткой управления 88 для поочередного подсоединения выходо в обоих делителей к высокочастотным разъемам 39 и 40, к которым подключаются вольтметр 2 и измерительный канал фазометра 3 (фиг. 1); конденсаторы 41 и 42; смещение на входной электрод транзистора 4 подается с клеммы 15 через фильтрующий дроссель 43, образцовый резистор 6 и контакты 29 — 30 ключа 11; электропитание выходного электрода транзистора снимается с клемм 1б через фильтрующий дроссель 44, образцовый .резистор 8 и контакты 82 — 33 ключа 12; программатор 14 на основе переключателя с контактами 45 — 51, 52 — 58 и

59 — 65 для управления порядком переключения электромеханических кгцочей (реле) 9 — 18 путем подачи на их управляющие обмотки

20, 27, 81, 84 и 88 постоянного напряжения

+27B, поступающего с клемм бб и 67.

Устройство работает следующим образом.

При установке контактов программатора 14 в положения 46 — 45, 58 — 52 и 60 — 59 напряжение +27В подается на уп равля|ощие обмотки 20 и 88 ключей 9 и 18, которые при этом срабатывают. Сигнал от генератора 1, через разъем 22, контакты 17 19 ключа 9, конденсатор 21, образцовый резистор 5 посту пает на образцовый резистор б. Вольтметр 2 и измерительный канал фазометра 8 через разъемы 89 и 40, ко нтакты 85 — 87 ключа 18 подключаются для измерения комплексного напряжения на,образцовом резисторе б. В ре вультате этой операции измеряется опорное напряжение Ущ, которое при равенс пве номиналов резисторов 5 и б характеризует удвоенную величин у падающей волны, поступающей на вход исследуемого тра нзистора. При измерении .падающей волны образцовые резисторы по переменному току включены последовательно, а при следующих тлзсмерениях они относительно входа транзистора .по переменному току включены в параллель. Имен но при параллельном включениями эти резисторы служат в качестве согласующей нагрузки для входа и выхода транзистора или имитируют внутреннее сопротивление генератора.

В следующем положении программатора 14 замыкаются контакты 47 — 45, 54 — 52,и 61 — 59, постоянное напряжение подается на обмотки

20, 31, 34 и 88, т. е. дополнительно срабатывают ключи 11 и 12.

На транзистор через контакты ключей 11 и 12 подается электропитание. Выход транзистора 4 через контакты 82 — 83 .ключа 12 ока"-ызается нагруженным на резисторы 7 и 8, ".«nþ÷åííûå по переменному току в параллель благодаря шунтирующему действию

10 «онтакто в 25 — 26 ключа 10 и конденсатора

42. Вольтметр 2 и измерительный канал фазометра 3 через контакты 35 — 37 ключ,а 13 и контакты 29 — 80 ключа 11 подключаются по входу транзистора 4, параллельно которому

15 подключены образцовые резсисторы 5 и б, причем через резистор б осуществляется электропитание входного электрода транзистора. В результате регистрируется комплексное нагряженпе О,ь которое характеризует алгебра20 ическую сумму падающей и отраженной волн на входе исследуемого транзистора с учетом, что обе пары ооразцовых резисторов на входе и выходе транзистора работают в параллель.

В третьем положении программатора 14

25 замыкаются контакты 48 — 45, 55 — 52 и 62 — 59, о бмотка 38 ооесточивается, ключ 13 выключается. Вольтметр 2 и измерительный канал фазо метра 3 через контакты 36 — 37 ключа 13 подключаются HB выход транзистора 4. В ре30 зультате регистрируется комплексное напряжение U>„«oxopoe пропорционально отраженной волне .на выходе транзистора при его прямом включении.

В четвертом положении программатора 14

35 замыкаются контакты 49 — 45, 56 — 52,и 68—

59, обмотки 20, 81 и 84 обесточиваются, inoстоянное напряжение подается на обмотку 27, и ключ 10 срабатывает. Сигнал от генерато ра I через контакты 24 — 26 ключа 10, конден40 сатор 28, образцовый резистор 7 выделяется на резисторе 8, который через конденсатор 42 по переменному току подключен к корпусу.

Вольтметр 2 с измертлтельным каналом фазометра 3 через контакты 36 — 37 ключа 18 под45 включаются для измерения комплексного iklaпряжения Ulled на образцовом резисторе 8, которое цропор ционально удвоенной величине падающей волчины на выходе транзистора при его обратном включен.ии.

В пятом положении программатора 14 замыкаются контакты 50 — 45, 57 — 52 и 64 — 59, постоянное напряжение подается на обмотки

31 и 84, и срабатывают ключи 11 и 12. Вход

55 траныстора 4 через контакты 29 — 80 ключа

11 оказывается нагруженным на образцовые резисторы 5 и 6, включен ные по перемен ному току в параллель и выполняющих функции согласующего резистора. Вольтметр 2 и измерительный канал фазометра 8 через контакты

87 — 86 ключа 18 и контакты 82 — 88 ключа 12 подключаются к выходу транзистора 4. В результате регистрируется комплексное напряжение U >,,êoòopoå характеризует алгебраиче65 скую сумму падающей и отраженной волн на

601638

Фигi выходе транзистора при его обратном включвнии.

В шестом положении программатора 14 замыкаются контакты 51 — 45, 58 — 52 и 65 — 59, запитывается обмотка 88, и срабатывает ключ 18. Вольтметр 2 и измерительный канал фазометра 8 через контакты 85 — 87 ключа 18 подключаются ко входу транзистора 4 и измеряют комплексное напряжение U,>, которое прон рционально отраженной (выходящей) волне на входе транзистора при его обратном включении. На этом цикл измерения параметров рассеяния одного транзистора на одной частоте закончен.

В описываемом устройстве для электропитания транзистора по постоянному и переменному току в цепях входного и выходного электродов служат две пары образцовых резисторов, номиналы которых в каждой паре выбираются .примерно:в два раза больше модуля соответствующего входного (выходного) сопротивления транзистора. Суммарное же сопротивление цепей образцовых резисторов оказывается в два раза меньше их номиналов.

Этот факт учитывается при расчете Ф-,параметро в по известным S-параметрам.

Формула изобретения

Устройство для измерения параметров рассеяния транзисторов, содержащее генератор синусоида IbHblx напряжений, вольтметр действующих значений, фазометр, резисторы и контактное устройство для подключения исследуемого транзистора,:) т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения скорости измерения в широком диапазоне частот, в него введены образцовые делители напряжения, управляемые ключи и программатор, причем генератор .и опорный канал фазометра соединены со входами первого и второго ключей, вторые входы которых соединены с корпусом,,выход первого ключа соединен с первым делителем напряжения, выход второго ключа соединен со вторым делителем напряжения, выход первого делителя соединен со входом третьего ключа, выход которого соединен с базой транзисто ра, выход второго делителя соединен с входом четвертого ключа, выход которого сое20 ди нен с коллектором транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Авторское свидетельство ¹ 44б852, кл. G 01 R 31. 2б, 19?3.

2. Вайнерт В. Расчет высокочастотных транзисторных схем с помощью:параметров

ЗО рассеяния. «Электроника», 1966, № 18, с. 26.

60)638

". /!

/" 1 — .) 44 И

"9

1 —.(- —, l7

27 Г1

5/ . 1 -с58

50 5/, з5/ . 4g 1 о5Б, 4 В 4 — о 55 (!

1 Я сЯ

GES

Ю//г.2

67 бб

Составитель Т. Дозоров

Техред А. Камышникова

Корректор И. Симкина

Редактор T. Авдейчик

Заказ 175/344 11зд. ¹ 138 Тираж 1122

НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент»

Устройство для измерения параметров рассеяния транзисторов Устройство для измерения параметров рассеяния транзисторов Устройство для измерения параметров рассеяния транзисторов Устройство для измерения параметров рассеяния транзисторов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх