Датчик считывания информации на цилиндрических магнитных доменах

 

ЙЗОБРЕТЕЙЙЯ

М АВ7ОРСПОМУ СВКДИЯЛЬСУВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 18.01.77(2)) 2444329/18-24 (51) М. Кл.е

Ст 11 С 11/14 с присоединением заявки № (23) Приоритет о (43) Опубликовано25.06.78.Бюллетень ¹23

Гесударстееееме ееееетет ьеиети Иеаеатрев МР по делим мзебретеиее и етеритее (53) ИДК628.327Я (088 8) (45) Дата опубликования .описанияот.ббЛЬ (72) Автор изобретения

М. A. Бепкин (54) ДАТЧИК СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ

HA ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ QOMEHAX

Изобретение относится к области вычислительной техники н автоматики и может быть использовано при построении запоминающих и логических устройств с записью информации на цилиндрических магнитных доменах (КЙД)

Наиболее близким к предложенному является датчик считывания информации на ЦМД, содержащий пленку магнитоодноосного материала с нанесенной на ее поверхности магннто. . резистивной пленкой и источник полл управления (11. Ю

Повышение уровня выходного снгиала достигается увеличением количества магниторезистивных слоев. Однако этот эффект еопровождается увеличением уровня шума, возникающего за счет перемагничивания магниторезистивного слоя управляющим магнитным по- лем.

Целью изобретения является повышение надежности считывания сигнала .путем повышения отношения сигнал/шум.

Это достигается тем, что предложенное устройство содержит дополнительную пленку из магнитожесткого материала с козрцитнвной силой большей величины внешнего полл управления и меньшей полн рассеяния ЦКД-. и магнитосвязанную с магннторезистивпои пленкой. 25

На фиг. ) показан датчик считывания ЦМД, вариант; на фиг. 2 — то же, другой вариант; на фпг. 3 показана связь между пленками, обусловленная ферромагнитным обменом; на фяг. 4 — магинтостатическая связь, обусловленнал взаимодействием полей рассеяния пленок, разделенных изолирующим слоем.

Если элемент выполнен в виде двух магнитосвлзанных пленок, в результате ферромагнитного обмена либо магнитостатического взаимодействия между слоями, намагниченности слоев располагаются параллельно (антнпараллельНо).

Датчик состоит из кристалла 1 (носителя .ЦМД), на котором сформирована двухслойная нли трехслойная структура магнитосвязанных пленок 2 с контактными выводами 3, а радиальная компонента магнитного поля рассеяния ЦМД-4 взаимодействует с магнитопле-, ночной структурой. В результате ферромагнитного обмена (фиг, и 3) либо магиитостатической связи (фиг. 2 н 4) пленки образуют магннтосвязанную структуру, состояние которой зависит от ориентации ее магнитного момента. Лнизотропия в пленках индуцируется таким образом, чтобы ось легкого намагничивания совпадала с вектором плотности входного тока устройства. Тогда, если выполняет612282

Формула изобретения

Составитель А. Романова

Техред 0. Дутован Корректор А. Гриценко

Тираж 717 Подннсное

Редактор Е. Кравцова

Закаа. 3467 45

QHHHAH Государственного комитета Совета Министров СССР но делам изобретений н открыРнй

I l3035, Москва, Ж.35, Рауагская наб.„д. 4/5

Филиал ПЙП ейатемта. т. Ужгород, ул. Проектнан. h ся условие, при котором коэрцитивная сила магнитожесткой пленки Нар больше поля управления H„ ч., устройство не реагирует на него и уровеив помехи, обусловленный действием

Ирч, равен нулю.

Для надежной индикации ЦМД необходимо выполнение второго требования, при котором поле рассеяния ЦМД Нв должно быть больше

Нса, при этом устройство перемагничивается полем ЦМД Ив и выделяет сигнал считывания.

Таким образом, выполнение условия (тре.бования) Н OH,q )H позволяет обеспечить .эффективность устройства считывания. В качестве магиитожесткого материала. выбирают сплав Ni — Со, Fe — Со, либо Ni — Fe — Со-с Нов, удовлетвореощи1 сформулированным требо. ванивм. В качестве магнитомягкого материала выбирают сплав е ввкокнм значением эффекта магиитосопротивлеиия (например i—

20Fe, либо иермаллой 79НМА).

С точки зрения повйшения уровня выходного сигнала датчик . с магнитостатической связью пленок (фиг. 2 н 4) предпочтительнее датчика с обменной связью (фиг. 1 и 3), по-. скольку в первом случае магниторезистивный слой не шунтируется высококоэрцйтивным слоем, Однако датчик с обменной связью более прост по конструкции, Количество слоев (элементов) в датчике определяется требованиями к величине выходного сигнала, отношению сигнал/шум и технологическими возможностями.

Датчик считывания информации на цилиндрических магнитных доменах, содержащий еф пленку магнитоодноосного матернала с нане-. сенной на ее поверхности магниторезистивной пленкой и источник цоля управления, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности считывания сигнала. путем повышения . отношения сигнал/шум, устройство содержит. донолнйтельную пленку из магнитожесткого материала с коэрцитивной силой большей величины внешнего.поля управления и меньшей поля рассеяния цилиндрического магнитного .домена и магнитосвязанную с магниторезиснв тивной пленкой.

Источники информации, принятые во внимание прн экспертпзе:

1. Авторское свидетельство СССР М 485500, кл. б 1! С ii/02,-1972.