Устройство для вытягивания профилированных кристаллов

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 С 30 В 15/34

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2 120960/26 (22) 04,04.75 (46) 23.03.93. Бюл. М 11 (72) Е.P.Äîáðîâèíñêàÿ, Л.А.Литвинов и

В.В.Пищик (56) Патент США М 3687633, кл. 23-273, 29.08.72.

Авторское свидетельство СССР

М 475075, кл. В 01 J 17/18, 26.04.74. (54)(57) 1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫТЯГИВА.НИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ из пленки расплава, включающее тигель и установленный в его полости фор-мообразователь с расположенными по выИзобретение относится к области выра.щивания монокристаллов и может быть использовано для получения профилированных кристаллов вытягиванием из пленки расплава.

Целью изобретения является увеличение длины вытягиваемых кристаллов путем увеличения BblcoTbl подъема расплава в капиллярах и емкости тигля.

Цель достигается тем, что в предлагаемом устройстве для вытягивания профилированных кристаллов из пленки расплава, включающем тигель и установленный в его полости формообразователь с расположенными по высоте тигля капиллярами, поперечные сечения последних представляют собой фигуры, ограниченные гипоциклоидами, Каждый капилляр образован тремя цилиндрическими элементами с одинаковыми диаметрами, контактирующими один с другим по образующим.

На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство; на фиг. 2 — капилляр, поперечное сечение.

„„5U„, 613544 А1 соте тигля капиллярами, поперечные сечения которых представляют собой фигуры, ограниченные кривыми, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью увеличения длины вытягиваемых кристаллов путем увеличения высоты подъема расплава в капиллярах и емкости тигля, поперечные сечения капилляров представляют собой фигуры, ограниченные гипоциклоидами.

2. Устройство поп.1,отл ича ю щеес я тем, что каждый капилляр образован тремя цилиндрическими элементами с одинаковыми диаметрами, контактирующими один с другим по образующим.

Устройство (см. фиг. 1) состоит иэ тигля

1 с крышкой 2, в которой закреплен формообразователь 3, состоящий из цилиндрических элементов 4 одинакового диаметра, Я прижатых один к другому по всей длине.

Элементы 4 образуют вертикальные каналы (капилляры) 5, которые в поперечном сече- О нии (см, фиг. 2) ограничены гипоциклоидами. Каждый капилляр 5 образован тремя (гД цилиндрическими элементами 4, например (Л стержнями с одинаковыми диаметрами,, контактирующими один с другим по образу- р ющим.

Тигель 1 заполняют исходным материалом, помещают в зону нагрева и поднимают температуру до образования расплава.

Расплав силами поверхностного натяжения поднимается по капиллярным каналам

5 к торцу формообразователя 3. При соприкосновении с затравочным кристаллом на торце формообразователя образуется пленка расплава, из которой и производится выращивание кристалла известными приемами.

613544 авиа,,г

Составитель Е.Добровинская

Редактор Т.Шарганова Техред М.Моргентал Корректор С.Шекмар

Заказ 1961 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент". г. Ужгород, ул,Гагарина, 101

Высота подьема расплава в предлагаемом устройстве увеличивается в два раза, что дает возможность увеличить длину вытягиваемых кристаллов.