Доменное запоминающее устройство с произвольным доступом

 

«АРЗУ и 3О БРАТИ н и Я

Союз Советских

Соцналмстммескмх

Республик (;i) 62 7540 (И} Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено01.09.76 pl) 2401994/18-24 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (43) Опубликовано05.10.78.Бюллетень % 87 (45) Дата опубликования описания 21.08.78 (51) М. Кл.

Q 11 С 11/14

Гееудерстееееый веметет

Совете Мнхеатрае СССР ее делам кзоеретеей и етхрмтей (53) УДК628.Э27.6 (088.8) (72) Авторы изобретения

Л. В. Гловацкий, А. А. Зельдин и В. М. Кафидов (7l) Заявитель (54) ДОМЕННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

С ПРОИЗВОЛЬНЫМ ДОСТУПОМ

Изобретение относится к вычислительной технике и автоматике, может быть использовано в качестве накопителя дискретной информации, представленной в форме цилиндрических магнитных доменов.

Наиболее близко к предлагаемому доменное запоминающее устройство с произвольной выборкой информации.

Это ЗУ содержит монокристаллнческую пластину с расположенными на ней адресными и разрядными шинами и связанными с запоминаюшими ичейкамн генераторами цилиндрических магнитных доменов, компрессорами и датчиками считывания.

Каждая динамическая ловушка соединена с генератором цилиндрических магнитных доменов, а также с соответствующей ступенью компрессора, выход которого подключен к датчику схемы индикации содержимого данного разряда и к аннигилятору, причем разрядные проводники проходят через эапоминакниие ячейки в зоне генератора БМД, а числовые проводники в виде ломаной пинии проходят через запоминающие ячейки в эона генератора и в зоне доменной ловушки.

Для этого устройства характерны сравнительно низкая плотность записи информации из-эа того, что количество генераторов ШМД равно количеству запоминающих ячеек (или, что то же самое, количеству бит информапин, хранимой в накопителе).

Кроме того, все датчики расположены на одной стороне пластины-носителя ЦМДэто приводит к уменьшению площади контактньтх площадок, на которых производится раэварка выводов датчиков, и, таким образом к усложнению процесса разварки, который должен быть проведен особенно тщательно ввиду малости выходных сигналов датчиков.

Бель изобретения — повышение плот?а ности записи и надежности схемы.

Укаэанная цель достигается тем, что компрессоры четных н нечетных разрядов соединены с соответствующими запоминающими ячейками, расположены по раз2$ ные стороны генераторов цилиндрических.=- ф

f //" angl ф 4

3, / .ф l арфу/

4 магнитных доменов и магнитосвяэан i т- прессором к датчикам, расположенным чихами считывания„выходы четных и нечетных разрядов которых расположены соответственно на противолежащих краях монокристаллической пластины, а генераторы цилиндрических магнитных доменов магнитосвязаны с запоминающими ячейками П -" ного и tl + 1 -ro разрядов, Топология схемы управлении (структурная схема устройства) цилиндрическими магнитными доменами в накопителе

10 представлена на чертеже.

Я вЂ” числовая шина N -го числа, 0 — разрядная шина tl -ного разряда во всех числах, р --1 — разрядная шина И -1-го раз15 ряда всех чисел, Г - генератор UMlj. tl и 0 -1 раз»h,h-» рядах f4 -ного числа, А» >Я„, - аннигиляторы содержимого И и

И -1 разрядов всех хранимых чиселр

))и 0» - датчики содержимого п и л- 1

> разрядов всех хранимых чисел;

- стрелки, указывающие направ%»-- > и-а ление вывода детектируемых UMl1 в И и- 1 и и- 2 разрядах соответственно;

$ — стрелка > указывающая направление вращения управляющего поля.

Особенность предлагаемого накопителя заключается в том, что ЦМД, посту- зо паюшие на детектирование из четных разрядов, выводятся компрессором к датчикам, расположенным на одной стороне кристалла, а ЦМД, поступающие на детектирование иэ нечетных разрядов, выводятся ком- З на другой стороне кристалла, Предлагаемая организация ЗУ позволяет повысить плотность записи и снизить количество выводов датчиков, приходящихся на одну сторону кристалла, что, в свою очередь, позволяе г упростить

rrpouecc раэварки выводов указанных датчиков и таким образом повысить надежность устройства.

Формула изобретения

Доменное запоминающее устройство с произвольным доступом, содержащее монокристаллическую пластину с расположенными на ней адресными и разрядными шинами и связанными с запоминающими ячейками генераторами цилиндрических магнитных доменов, компрессорами и датчиками считывания, о т л и ч а ю щ е е— с я тем, что, с целью повышения плотности записи и надежности схемы, компрессоры четных и нечетных разрядов соеди» иены с соотвествующими запоминающими ячейками, расположены по разные стороны генераторов цилиндрических магнитных доменов и магнитосвязаны с датчиками считывания, выходы четных и нечетных разрядов которых расположены соответственно на противолежащих,краях монокристаллической пластины, а генераторы цилиндрических магнитных доменов магнитосвязаны с запоминающими ячейками

П -ного и П + 1 -го разрядов.

8 i 7 >>1