Матричное запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах

 

т Ъ,. 1, г

° т . " /4 . ", т," а 4t с,.

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ п1)645205

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 01,11.76 (21) 2416226/18-24 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.01.79. Бюллетень № 4 (45) Дата опубликования описания 30.01.79 (51) М. К .

С 11С 11/14

3осударстееииый комитет (53) УДК 628.327.6 (088.8) по делам изобретеиий и открытий (72) Авторы изобретения В. И. Новиков, М. А. Розенблат, О. А. Цыганов и Г. К. Чиркин (71) Заявитель (54) МАТРИЧНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО НА

ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ. S

2, Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известны запоминающие устройства (ЗУ) на ЦМД с последовательно-параллельной организацией регистров;(1), при которой несколько замкнутых регистров небольшого объема объединены общей петлей, причем каждому регистру соответствует магнитный ключ. С помощью этой петли и магнитных ключей осуществляется ввод и вывод информации, хранящейся в малых регистрах. 11ри считывании информация в малых регистрах разрушается, переносится в большую петлю, и при необходимости дальнейшего хранения, пройдя всю длину большой петли, перезаписывается в малые, регистры. При этом вероятность сбоя информации при перезаписи пропорциональ. на длине общей петли. Кроме того, с увеличением объема ЗУ растет время доступа, так как такая организация исключает возможность непосредственного доступа к достаточно малому объему информации, например, к одному из малых регистров.

Известно также ЗУ на ЦМД (2), содержащее пластины магнитоодноосного материала с расположенными на них регистрами сдвига, магнитными ключами, соединенными с каналами продвижения цилиндрических магнитных доменов, и электропроводящими шинами.

Пластины магнитоодноосного материала объединены между собой в виде этажерки.

Каждому из регистров соответствуют три магнитных ключа, образующих три множества ключей, управляемых тремя устройствами выбора ключей. С помощью двух

10 множеств ключей и каналов ввода-вывода информации, по одному на каждый столбец регистров, осуществляется соответственно запись и считывание информации. Третье множество ключей используется при стира15 нии информации.

Каждое множество ключей объединено своей матричной системой электропроводящих шин. Действие ключей основано на том, что при одновременном возбуждении горизонтальной и вертикальной шин на пересечении перемагничивается пленочный элемент из магнитотвердого материала, что приводит к изменению пути продвижения ЦМД. Указанное ЗУ лишено недостатков устройства (1). Однако формирование

ЗУ из нескольких пластин доменосодержащего материала приводит к увеличению габаритов устройства, а также к уменьшению его надежности вследствие большого

30 числа соединений.

645205

10 устройство содержит расположенйые "йа "

При изготовлении такого ЗУ необходимо формирование и точное совмещение элементов в нескольких слоях, в частности необходимо формирование многослойной структуры электропроводящих шин. Каждому множеству ключей соответствует свое устройство управления, что усложняет управление работой ЗУ.

Целью настоящего изобретения является повышение надежности устройства, Поставленная цель достигается тем, что пластине магнитоодноосного материала дополнительные регистры сдвига и дополнительные каналы продвижения ЦМД, выполненные между регистрами сдвига и дополнительными регистрами сдвига, а магнитные ключи подключены к электропроводящим шинам. Электропроводящие шины имеют матричную структуру.

Предложенное запоминающее устройство отличается от известных типов ЗУ на ЦМД тем, что появляется возможность формировать ЗУ произвольного объема на основе замкнутых регистров достаточно малой емкости. Сокращается время доступа к произвольному, достаточно малому, объему информации.

На фиг. 1 показана схема устройства; на фиг. 2 представлен пример реализации маг "нйтйо го ключа; на фиг. 3 изображены фазовые диаграммы работы ключа в режимах деления и переноса магнитного домена.

ЗУ состоит из столбцов 1 замкнутых регистров сдвига, каналов 2 ввода-вывода информации, дополнительных отрезков пути 3 продвижения ЦМД, магнитных ключей 4, 5, б, электропроводящих шин 7 матричной структуры, пластины 8 магнитоодноосного материала.

В качестве магнитного ключа может быть использован элемент (фиг. 2), представляющий собой пермаллоевую полоску 9, которая пересекает два отрезка 10, 11 пути продвижения ЦМД, выполненных на основе шевронов.

ЗУ работает следующим образом. По каналу ввода-вывода информации ЦМД прод вигаются до выбранного замкнутого регистра сдвига. Соответствующий этому регистру магнитный ключ 4 с помощью импульсов тока, проходящего по горизонтальной шине, осуществляет перенос доменов в дополнительный отрезок пути продвижения

ЦМД 3. По этому отрезку домены продвигаются до ключа 5, который возбуждается с помощью соответствующей шины. Этот ключ также работает в режиме переноса

4. доменов, Таким образом осуществляется запись информации.

При считывании домены с помощью ключа б, работающего в режиме переноса, попадают в дополнительный отрезок пути продвижения ЦМД 3, продвигаются до ключа 4, который при считывании без разрушения информации работает в режиме деления доменов (фиг. За), а при считьгвании с разрушением информации в данном регистре сдвига — в режиме переноса (фиг. Зб). Во втором случае домены после деления продолжают движение по отрезку

3 до ключа 5, соединенного с ключом б одной и той же вертикальной шиной и, следовательно, работающего одновременно с ним в режиме переноса. Происходит перезапись информации в регистр сдвига. При этом вертикальная шина возбуждается вплоть до окончания перезаписи.

На фиг, За фазовый сектор 12 соответствует длительности импульса тока, с IIQмощью которого домен растягивается. С помощью короткого импульса 13 противоположной полярности домен разрезается пополам. В момент деления основной домен проходит по пути 10.

На фиг. Зб фазовый сектор 14 соответствует переносу домена вверх — вводу информации. При выводе информации подается импульс тока, соответствующий фазовому сектору 15.

Формула изобретения

Матричное запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах, содержащее пластину магнитоодноосного материала с расположенными на ней регистром сдвига, магнитными ключами, соединенными с каналами продвижения цилиндрических магнитных доменов, и электропроводящими шинами, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности устройства, оно содержит расположенные на пластине магнитоодноосного материала дополнительные регистры сдвига и дополнительные каналы продвижения цилиндрических магнитных доменов, выполненные между регистром сдвига и дополнительными регистрами сдвига, а магнитные ключи подключены к электропроводящим шинам.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1, P. 1. Bonyhard et el, Magnetic Bubble

Memory Cheep Design. SEEE Magn, MAG-9, № 3, 433, 173.

2. Патент США № 3737882, кл. 340 — 174, 1974.

Фиг 1

Составитель А. Романова

Редактор Б. Герцен

Техред А. Камышникова

Корректор 3. Тарасова

Заказ 2632/11 Изд. № 139 Тираж 680 Подписное

НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Матричное запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах Матричное запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах Матричное запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх