Способ изготовления многослойной платы

 

ц646294

0 П

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Ресиублик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 23.05,75 (21) 2137557/18-21 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.01.79. Бюллетень № 4 (45) Дата опубликования описани я 30.01.79 (51) М. Кл.

Н 05К 3/36

Государственный комитет

Совета Мииистрое СССР по дедам изобретений и открытий (53) УДК 621.396.6. .181.48 (088.8) (72) Авторы изобретения

Б. Л. Дживелегов, Н. А. Адушкина и А. Б. Черткова (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНОЙ ПЛАТЫ

Изобретение относится к области техники изготовления интегральных схем и может быть использовано при создании микроэлектронных схем.

Изготовление многослойных микроэлектронных плат на пленочных структурах связано с обеспечением надежного электрического контакта между проводящими элементами, лежащими в разных слоях.

Известен способ соединения проводящих элементов при изготовлении многослойной платы, который заключается в том, что на первый проводящий слой наносится изоляционное покрытие, в котором травлением создаются отверстия для последующего соединения 1-ro и 2-го слоев металлизации (1).

Известный способ имеет ряд недостатков: применение травителей, состоящих из азотной и плавиковой кислот, требует использования стойких к воздействию этих травителей веществ фоторезистов, обеспечивающих необходимое маскирование участков, не подлежащих травлению; сильное подтравливание диэлектрика приводит к отслоению, трещинам и другим дефектам изоляционной структуры.

Известен также способ изготовления многослойной платы, включающий формирование на диэлектрической подложке первого коммутационного слоя, формирование межслойной коммутации в виде коммутационного столбика, нанесение изоляционного слоя, формирование второго коммутацион5 ного слоя (2).

Недостатком этого способа является невысокая надежность коммутации.

Целью предлагаемого изобретения является повышение надежности коммутации.

10 Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления многослойной платы, включающей формирование на диэлектрической подложке первого коммутационного слоя, формирование межслойной ком15 мутации в виде коммутационного столбика, нанесение изоляционного слоя, формирование второго коммутационного слоя, нанесение изоляционного слоя осуществляют вакуумным напылением перпендикулярно к поверхности коммутационного слоя на высоту не более половины высоты коммутационного столбика с последующим травлением межслойной коммутации до удаления изоляционного слоя с вершины коммутационного столбика.

На чертеже (а — г) дана схема изготовления многослойной платы с коммутационными слоями из меди с подслоем хрома и изоляционными слоями из боросиликатного

30 стекла или моноокиси кремния, „ в:,щ -ф М» .

° ф

" - .- -.-:- -- 6ч5294

Д

°"

На чертеже IIQK333II IIpoIIccc формирова- 4 II3 ivlE/III cIIIIMQIoT c верхним pBcTBopIIBния коммутационного столбика (a) и на- шимся слоем меди. Затем наносят второй пыление изоляционного слоя в вакууме (б). коммутационный слой.

На ситалловую (диэлектрическую) подФормула изобретения ложку 1 испарением в вакууме наносят первый коммутационный слой 2 (медь с Способ изготовления многослойной плаподслоем хрома) толщиной 0,8 мкм. Затем ты, включающий формирование на диэлекв местах коммутации со вторым проводя- трической подложке первого коммутационщим слоем 3 методом фотолитографии и ного слоя, формирование межслойной комгальванического наращивания создают вы- 10 мутации в виде коммутационного столбика, ступ (коммутационные столбики 4) из меди нанесение изоляционного слоя, формировавысотой в 1,5 — 2 раза больше, чем толщина ние второго коммутационного слоя, отл иизоляционного слоя 5. На подложку с ком- ч а ю щийс я тем, что, с целью повышения мутационными столбиками высотой 3 — надежности коммутации, нанесение изоля4 мкм напыляют пленку боросиликатного 15 ционного слоя осуществляют вакуумным стекла толщиной 2 мкм, а на коммутацион- напылением перпендикулярно к поверхные столбики толщиной 5 — 6 мкм пленку ности коммутационного слоя на высоту не моноокиси кремния толщиной 3 — 4 мкм. более половины высоты коммутационного

Травление межслойной коммутации до столбика с последующим травлением межудаления изоляционного слоя с вершины 20 слойной коммутации до удаления изолякоммутационного столбика и напыление ционного слоя с вершины коммутационного второго коммутационного слоя показаны столбика. на чертеже (в и г), Источники информации, Подготовленнуютаким образом диэлектри- принятые во внимание при экспертизе ческую подложку 1 помещают в травитель изобретения для меди (200 г надсернокислого аммония, 1. Патент Японии № 48 — 469, кл. 59G 4, 50 г серной кислоты, воды до 1 л) на 30 — опублик. 1978.

50 с, в результате чего изоляционный слой 2. Патент Англии № 1048636, кл. Н 1R, 5, лежащий на коммутационных столбиках опублик. 1966.. г ::" 2 . . б

Составитель Л, Гришкова

Редактор Е. Караулова Техред Н. Строганова

Корректор О. Тюрина

Заказ 2538/11 Изд. № 150 Тираж 944 Подписное

НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр, Сапунова, 2