Система компенсации теплового воздействия в устройствах для освещения покрытых фотолаком субстратов

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ, Союз Советских

Социалистических

Республик

«и 664245

- ITÁ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. сеид-ву(22) 3аявлено160877 (21) 2510857/18.-10 (51)М. КЛ.

Н 01 L 21/312 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет

Государственный комитет

СССР по делам изобретений н открытий (53) УДК 621. 3 (088.8) Опубликовано 2505.79. Бюллетень ¹ 19

Дата опубликования.описания 2505.79.Иностранцы

Зигхард Ландграф, Ульф Вебер, Михаэль Штапф, Мартин Венцель и Михаэль Хейне (ГЛР) (72) Авторы изобретения

Иностранное предприятие ФЕБ Электромат (ГДР) (71) Заявитель (54) CHCTENA КОМПЕНСАЦИИ ТЕПЛОВОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ

В УСТРОЙСТВАХ ДЛЯ ОСВЕЩЕНИЯ ПОКРЫТЫХ ФОТОЛАКОМ

СУБСТРАТОВ

Изобретение относится к фотолито- графин, а именно к устройствам для компенсации теплового воздействия на фотошаблон и субстрат в приспособлениях юстировки и экспонирования.

Известны системы компенсации теплового воздействия в устройствах для освещения покрытых фотолаком субстратов, содержащие светооптический узел с затвором, в ходе лучей которого

» установлейы фотошаблон и субстрат с подложкой, узел снижения тепловой энергни с системой автоматического регулирования (1).

Недостатком йэвестных устройств 15 является невысокая точность совмещеНия фотошаблона и субстрата bio всему диапазону путем регулирования их температур.

Для повышения точности совмещения 20 фотошаблона и субстрата по всему диапазону путем регулирования их температур s предлагаемой систеМе узел снижения тепловой энергии выполнен в виде систем циркуляции жидкости и газа, трубопровод и сопло которЫх размещены соответственно в подложке субстрата и концентрично относительно фотошаблона,а система автоматического регулирования связана с соплом сйстемы циркуляции газа, выполненной в вйде управляющего элемента и теплообмениика, взаимодействующих соответст- венно с затвором светооптйческого узла и термостатом узла снижения тепловой энергии.

На чертеже схематично изображено предлагаемое устройство .

Устройство состоит из субстрата 1 с подложкой 2, фотошаблона 3, сопла 4, термостата 5, измерительного щупа б, управляющего элемента 7, установочного элемента 8,термостата 9,системы 10 подачи газа, теплообменника ll системы 12 циркуляции жидкости и затвора 13.

Устройство работает следующим образом. .Система из субстрата 1 и фотошаблона 3 в контакте с нижней стороной субстрата имеет термостатированную ттодпожку 2 субстрата. На верхней стороне фотошаблона, концентрично к его центру находится сопло 4 для обдува фотошаблона 3 термостатированным потоком 14 газа,:который направлен на поверхносТь фотошаблона снаружи внутрь. Субстрат и фотошаблон могут находиться параллельно друг другу на некотором расстоянии или непосред664245

3 стванно контактировать. Термостатирование подложки 2 субстрата производит ся термостатом 5, который через снс— тему 12 циркуляции жидкости находится но взаимодействии с подложкой 2 субстрата. к соплу 4 подключена система

10 подачи газа, в которой применяется 5 полная система автоматического регулирования, состоящая из измерительного щупа б, управляющего элемента 7 и установочного элемента 8, а также из теплообменника 11 и дополнитель- 10 ного термостата 9.Измерительный щуп б может быть расположен в сопле 4 или непосредственно на фотощаблоне 3.

При менее жестких требованиях к точности можно соединить теплооб- 15 менник 11 с термостатом 5. При таком исполнении отпадает необходимость в управляющем 7 и установочном 8 элементах. В этом случае поток 14 газа примерно сохраняет заданную темпера- 20 туру. Изменяющийся по ходу лучей затвор 13 подает сигналы в управляющий элемент 7, так что в зависимости от его времени открытия,может регулироваться заданная температура по- тока 14 газа. Возникающее во время.. экспозиции повышение температуры фотоиаблона 3 предотвращается тем, что . он в это время обдувается потоком 14 газа, температура которого настолько ниже заданной температуры, что .возни кающее при продолжительной засветке повышение температуры полностью ком-. пенсируется.

Формула изобретения

Система компенсации теплового воздействия в устройствах для освещения покрытых фотолаком субстратов, со держащая светооптическнй узел с затвором, в ходе лучей которого установлены фотощаблон и субстрат с подложкой, узел сйижения тепловой энергии с системой автоматического регулирования, отличающаяся тем, что, с целью повыщения точности совмещения фотошаблона и субстрата по всему диапазону путем регулирования их температур, в ней узел снижения тепловой энергии выполнен в,виде систем циркуляции жидкости и газа, трубопроводы и сопло которых размещены соответственно в подложке субстрата и концентрично относительно фотощаблона, а система автоматического регулирования. связана с соплом системы циркуляции газа, выполненной в виде управляющего элемента и теплообменника, взаимодействующих соответственно с затвором светооптического уз- ла и термостатом узла снижения тепловой энергии °

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент CUBA Р3705769,кл.355-91, 1973, ЦгИИПИ Заказ 3010)50

Тираж 922 Подписное филиал ЛПП Патент, г.ужгород, ул.Проектная,4

Система компенсации теплового воздействия в устройствах для освещения покрытых фотолаком субстратов Система компенсации теплового воздействия в устройствах для освещения покрытых фотолаком субстратов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в литографических процессах при изготовлении полупроводниковых приборов, интегральных схем и печатных плат

Изобретение относится к устройствам нанесения покрытий посредством центрифугирования и может быть использовано, в частности, для создания светочувствительного слоя на полупроводниковых пластинах и фотошаблонах

Изобретение относится к полупроводниковому производству, в частности к процессам фотолитографии при нанесении фоторезиста на пластины, а также может использоваться при получении других полимерных покрытий центрифугированием

Изобретение относится к чувствительным к излучению композициям с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, обеспечивающим модель диэлектрической проницаемости, используемой в качестве изоляционных материалов или конденсатора для схемных плат
Изобретение относится к технологии тонкопленочных приборов
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при создании современных полупроводниковых приборов и структур для микро- и наноэлектроники, в частности, при разработке наноразмерных приборов на основе кремния или структур Si/SiGe/Si с целью обеспечения проводимости тонких (субмикронных) полупроводниковых слоев
Наверх