Устройство для отбраковки полупроводниковых приборов

 

г аСЯСОЮЗндя п 4ТРа - е П1:КЛя

О П й-С"Х М"И Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Соввтсиих

С©циалмстйчесиих рфспуолми (и 667918 (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 29.03.76 (21) 2338705/18-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет г (5l) И. Кл.

G О1 R 31!26

Гоеудеретееиинй комитет

СССР ие делам изебретеиий и еткрнтий

Опубликовано 15.06.79. Бюллетень Ж 22

Дата опубликования описания 19.06.79 (53) УШС 621.382..3 (088.8) (72) Автор изобретения

E. 3. Рыскин (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОТБРАКОВКИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Устройство предназначено для отбраковки II0лупроводниковых приборов, например, транзисторов, в процессе их изготовления.

Известны устройства для долговременной электротренировки транзисторов с целью отбраковки ненадежных, содержащие источник тока эмиттера и источник напряжения коллектора, а также цепи контроля режимов (1).

Наиболее близким к предлагаемому является устройство для отбраковки полупроводниковых

В приборов, содержащее источники тока эмиттера и напряжения коллектора, элемент памяти, генератор измерительного тока, ключ, пороговое устройство (2).

Недостатками известных устройств являются введение испытуемых приборов в режимы, превышающие их предельно допустимые значения, что может привести к необратимым процессам; невы- сокая точность отбраковки, обусловленная выбором границы термической устойчивости или коэффициента наклона вольт-амперной характеристики.

Целью изобретения является повышение точнос ти и производительности отбраковки, а также упрощение устройства., Это достигается тем, что устройство дополнительно содержит генератор интервала времени, источник опорного напряжения и источник напряжения сравнения. Причем выход источника опорного напряжения соединен с одним из входов генератора измерительного тока, один вывод элемента памяти соединен с выходом источника тока эмиттера, другой — с генератором измерительного тока непосредственно и через ключ с клеммой для подключения эмиттера испытуемого прибора и с одним из входов порогового устройства, выход источника напряжения сравнения соединен с друтим входом порогового устройства, пусковой вход которого подключен к одному из выходов генератора интервала времени, другой выход последнего соединен с управляющим входом ключа и с входами источников тока эмиттера и напряжения коллектора, общая точка которых соединена с выводом элемента памяти и с клеммой для подключения базы испытуемого прибора, а клемЦНИИПИ Заказ 3459/41

Тираж 1089 Подписное

Филиал ППП "Harem", .. Ужгород, ул, Проектная,4

3 6679 ма для подключения коллектора соединена с ИС= точником напряжения коллектора.

Схема устройства приведена на чертеже.

Устройство содержит источник 1 тока эмиттера, генератор 2 измерительного тока, ключ 3 цепи

5 памяти, пороговое устройство 4, источник 5 напряжения коллектора, запоминающий конденсатор 6, генератор 7 интервала времени.

Устройство работает следующим обраэоМ.

К схеме подключают испытуемый транзистор.

Начальное падение напряжения на его переходе эмиттер-база определяется током генератора 2 и устанавливается равным некоторой величине (например, 0,2 В) с помощью источника опорного напряжения. При этом дпя всех транзисторов данного типа выполняется условие U„, =const; ив = 1 a .

Затем ключ 3 закрывается и измерительный ток благодаря запоминающему конденсатсру " 6 остается постоянным на время, значительно боль- Zo шее, чем общее время измерения.

По сигналу "пуск" запускается генератор 7 интервала времени нагрева, на время Г ц он включает источники 1 и 5. При этом на испытуемом транзисторе рассеивается мощность Р = 4 Qp за вре- 25 мя 4, После окончания импульса нагрева источники

1 и 5 выключаются н запускается пороговое устройство 4, один вход которого соединен с источником напряжения сравнения (0ср ), а другой — зр с эмиттером испытуемого транзистора.

Разница между начальным падением напряжения

Uù„è падением напряжения после отключения греющей мощности пропорциональна приращению температуры перехода под воздействием импульса греющей моигости,, ь у Р„ . где CT — теплое4кость нагретой зоны.

Приборы с дефектами структуры: несоосностью, неоднородностью толщины базы, перетравом и r.ä., о имеют большую температуру перегрева перехода по сравнению с хорошими приборами за счет локализации тока на дефектных участках и вызван!

8 4 ного этим уменьшения теплоемкости нагретой зоны, отбраковываются по значению температуры перехода. Граница отбраковки регулируется с помощью напряжения сравнения и устанавливается экспериментально.

Пороговое устройство 4 имеет выход для подключения регистрирующих или исполнительных устройств.

Формула изобретения

Устройство для отбраковки полупроводниковых приборов, содержащее источники тока эмиттера и напряжения коллектора, элемент памяти, генератор измерительного тока, ключ, пороговое устройство, отличающееся тем, что, с целью увеличения точности и производительности отбраковки, а также упрощения устройства, оно дополнительно содержит генератор интервала времени, источник опорного напряжения и источник напряжения сравнения, причем выход источника опорного напряжения соединен с одним иэ входов генератора измерительного тока, один вывод элемента памяти соединен с выходом источника тока змиттера, другой — с генератором измерительного тока непосредственно и через ключ с клем мой для подключения эмиттера испытуемого прибора и с одним из входов порогового устройства, выход источника напряжения сравнения соединен . с другим входом порогового устройства, пусковой вход которого соединен с одним из выходов генератора интервала времени, другой выход которого соединен с управляющим входом ключа и с входами источников тока эмиттера и напряжения коллектора, общая точка которых соединена с выводом элемента памяти и с клеммой для подключения базы испытуемого прибора, а клемма для подключения коллектора соединена с источником напряжения коллектора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР М 432804, кл. G 01 R 31/26, 1970.

2. Авторское свидетельство СССР Х 340984, кл. G 01 R 31/26, 1972.