Травитель для полупроводниковых соединений

Авторы патента:

H01L21/302 - для изменения физических свойств или формы их поверхностей, например травление, полирование, резка

Травитель для полупроводниковых соединений, содержащий трехокись хрома и соляную кислоту, отличающийся тем, что, с целью получения зеркально-гладкой поверхности пластин кристаллов и пленок полупроводниковых соединений типа А₄В₄С₆ и А₄В₆С₆, он дополнительно содержит уксусную кислоту и воду при следующем соотношении компонентов, вес.%: Трехокись хрома - 2,5 - 10 Соляная кислота - 2,6 - 18 Уксусная кислота - 1,86 - 12,65 Вода - Остальное

Способ выполнения знаков совмещения на полупроводниковой пластине // 414658

Патент 280683 // 280683

Патент 164907 // 164907

Патент 158633 // 158633

Способ изготовления полупроводниковых пластин // 2105380

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение технологичности процессов механической обработки, выхода годных пластин, в частности, из материалов группы A3B5 в случае получения пластин с допуском диаметра 0,3 мм и менее

Способ глубокого анизотропного травления кремниевой пластины и устройство для глубокого анизотропного травления кремниевой пластины // 2127926

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности, к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных газовых датчиков с тонкими мембранами /1- 5 мкм/, а также мембран для рентгеновских фотошаблонов

Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего элемента // 2146842

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов

Способ обработки полупроводниковых пластин // 2249881

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых структур, получаемых:- путем механического утонения структур с нерабочей стороны структур до фиксированной толщины, например до толщины 6-20 мкм;- путем термического соединения (сварки через окисел) двух пластин разной проводимости, легирования и кристаллографической ориентации и механического утонения одной из пластин до фиксированной толщины, например до толщины 6-10 мкм;- путем механической или химико-механической доводки структур для выравнивания планарного рельефа, удаления дефектов с использованием Stop-процесса

Способ профилирования тугоплавких и химически стойких материалов // 2252280

Изобретение относится к способам термохимического травления тугоплавких химически стойких материалов, в частности к методам локального травления их поверхности, например, с использованием локального лазерного облучения

Станок для обработки полупроводниковых пластин // 2260872

Устройство для обработки полупроводниковых пластин // 2273075

Изобретение относится к технике полупроводникового производства и может быть использовано для формирования многоуровневых межсоединений СБИС, в частности, для планаризации поверхности межслойного диэлектрика, межуровневого диэлектрика, для получения вертикальных проводников, диффузионно-барьерных слоев и адгезионных слоев на операциях подготовки поверхности пластин, например, при химико-механической полировке с последующей отмывкой их (гидромеханической, мегазвуковой и др.)

Способ получения фотошаблонных заготовок // 2274925

Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к фотошаблонным заготовкам (ФШЗ), предназначенным для формирования рисунка микроизображения при изготовлении интегральных схем

Способ изготовления пластин монокристаллов // 2284073

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при изготовлении пластин из слитков или булей монокристаллов, например, сапфиров

Устройство для обработки полупроводниковых пластин // 2295172

Изобретение относится к производству изделий электронной техники и может быть использовано, например, на операциях очистки полупроводниковых пластин с помощью щеток и мегазвука