Пиковый детектор

 

1 1677092

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 24.03.76 (21) 2336937/18-09 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 30.07.79. Бюллетень № 28

Дата опубликования описания 30,07.79 (51) М. К .

Н ОЗК 9/02

Н 03D 1/00

Государственный комитет (53) УДК 621.376.23 (088.8) пв делам изобретений и открытий (72) Автор изобретения

В. И. Турченков (71) Заявитель (54) ПИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в автоматических устройствах.

Известен пиковый детектор, содержащий диод и накопительный конденсатор ((1).

Недостатком указанного пикового детектора является большое время разряда накопительного конденсатора, что приводит к искажению огибающей импульсов, модулированных по амплитуде, при демодуляции.

Наиболее близким решением к изобретению является детектор, содержащий диод, транзистор, между коллектором и эмиттером которого включен накопительный кон- 5 денсатор, а база транзистора соединена с выходом блока временного управления переключением транзистора в режим насыщения для разряда накопительного конденсатора (2).

Недостаток указанного детектора заключается в том, что он обеспечивает разряд накопительного конденсатора, но является сложным.

Целью изобретения является упрощение 25 устройства.

Указанная цель достигается тем, что в пиковом детекторе, содержащем первый транзистор и — р — и (р — и — р) проводимости, между коллектором и эмиттером ко- 30 торого включен накопительный конденсатор, источник входных импульсов, модулированных по амплитуде, подключен к эмиттеру второго транзистора р — и — р (и — р — и) проводимости, база которого соединена с коллектором первого транзистора, а коллектор через первый резистор — с базой третьего транзистора n — р — и (р — и — р) проводимости, эмиттер которого соединен с эмиттером первого транзистора, а коллектор — с базой первого транзистора и через второй резистор — с эмиттером второго транзистора.

Такое выполнение устройства позволяет менее сложными техническими средствами осуществить управление разрядом накопительного конденсатора при восстановлении огибающей последовательности импульсов, модулированных по амплитуде.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема пикового детектора, выполненная согласно изобретению.

Пиковый детектор содержит разрядный транзисторный ключ (первый транзистор)

1, второй транзистор 2 и третий транзистор

3, накопительный конденсатор 4, первый резистор 5 и второй резистор 6.

При воздействии на вход пикового детектора импульсного сигнала открывается транзистор 2 и начинается процесс заряда

677092

Формула изобр етени я

Составитель В. Путрин

Корректор Л. Брахнина

Редактор Н. Суханова

Заказ 1693/11 Изд. № 463 Тираж 1060 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 накопительного конденсатора 4 до пикового значения входного напряжения, при этом транзистор 3 насыщен, а транзистор 1 закрыт. При отсутствии входного импульсного сигнала (U„.) транзисторы 1 — 3 закрыты.

Если амплитуда последующего входного импульса превышает напряжение на накопительном конденсаторе 4, то процесс заряда накопительного конденсатора происходит аналогично.

Если амплитуда последующего входного импульса меньше уровня напряжения заряда накопительного конденсатора 4, то транзисторы 2 и 3 будут закрыты, а транзистор

1 откроется и накопительный конденсатор

4 разрядится через открытый транзистор 1 до напряжения, равного пиковому значению входного напряжения. Как только при разряде напряжение на накопительном конденсаторе 4 достигнет уровня входного сигнала, открываются транзисторы 2 и 3 и разряд прекращается.

Таким образом, обеспечивается управление разрядом накопительного конденсатора более простыми техническими средствами.

Пиковый детектор, содержащий первый транзистор n — p — n (p — n — p) проводимости, между коллектором и эмиттером которого включен накопительный конденсатор, отл и ч а ющийся тем, что, с целью упрощения устройства, источник входных импульсов, модулированных по амплитуде, подключен к эмиттеру второго транзистора р — и — р (n — р — и) проводимости, база которого соединена с коллектором первого транзистора, а коллектор через первый резистор — с базой третьего транзистора и — р — п (р — п — р) проводимости, эмиттер которого соединен с эмиттером первого транзистора, а коллектор — с базой первого транзистора и через второй резистор— с эмиттером второго транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Акулов И. И. и др. Теория и расчет основных радиотехнических схем на транзисторах. «Связь», 1964, с. 244, рис. 8. 2.

2. Акцептованная заявка Японии № 48—

11503, кл. 98(5) Е11, опублик. 13.04.73.