Долговременный запоминающий элемент

 

ОписАние

ИЗОЬРЕТЕНИЯ ь сеоо юз нз.я (1 атьнтна-техническа6.,6лкотека Ч Б А

Союз Советских

Социалистических

Республик

«»680053

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 2002.78 (21) 2581215/18-24 с присоединением заявки № (23) Приоритет— (51}М. Кл.

G 11 С 17/00

11 С 11/34

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (53} УДК 681.327.28 (088.8) Опубликовано 150879. Бюллетень ¹ 30

Дата опубликования описвиия 180879 (72) Авторы изобретения

В.A. Вавилов, Л.М. Коломийцев, А.М. Клейман, Ю.Г. Миллер и В.Н ° Мурашев (71) Заявитель (54) ДОЛГОВРЕМЕННЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано при создании интегральных перепрограммируемых запоминающих устройств ЭВМ. 5

Известны запоминающие элементы (Ц-(3), содержащие МДП-транзисторы с изменяемым порогом включения и управляющие транзисторы. Известные элементы не обеспечивают надежное программирование состоящего из них запоминающего устройства, так как используют малоустойчивые физические эффекты, имеют сложную структуру диэлектрика МДП-прибора и количество .шин, превышающее два.

Йаиболее близким по технической сущности к данному изобретению является долговременный запоминающий элемент, содержащий МДП-прибор с лавинной инжекцией и плавающим затвором, биполярный транзистор, разрядную и числовые шины (4). Однако использование в этой ячейке МДП-прибора с лавинной инжекцией и плавающим затвором требует значительных величин управляющих напряжений, в результате чего сущестВует значительная вероятность выхода из строя МДП-прибора вследствие пробоя окисла; кроме того, наличие плавающего затвора делает МДП-прибор менее технологичным, чем МДП-транзистор, программируемый с помощью ионизирующего излучения.

Целью изобретения является упрощение запоминающего элемента.

Поставленная цель достигается тем, что в долговременный запоминающий элемент, содержащий запоминающий и управляющий транзисторы, разрядную и числовую шины, введен диод, анод которого подключен к.числовой шине, а катод соединен с истоками управляющего и запоминающего транзисторов, сток управляющего транзистора соединен с затвором запоминающего транзистора, сток которого соединен с затвором управляющего транзистора и подключен к разрядной шине.

На фиг. 1 показана схема предлагаемого запоминающего элемента; на фиг. 2 — структура запоминающего элемента.

Запоминающий элемент содержит программируемый с помощью ионизирующего излучения запоминающий МДПтранзистор 1, управляющий МДП-тран680053

Формула изобретения

Составитель Ю .. Ушаков

Редактор Н. Каменская Техред р.дидрейКо Корректор В. Бутяга

Заказ 4802/48

Тираж 681 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1 1 30 35 р Москва Ж 35 Раушская наб, д 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 f

, Ю ю/,б гГ Ф Фl эистор 2,, руууу з йвафий диод 3 числовую„шийу.. .4 и разрядную шину 5.

Запись оперативной информации осуществляется следуюшим образом.

На числовую шину 4 подается положи-. тельный сигнал, который не проходит через закрытый управляющий МДП-транзистор и напряжение затвор-подложка запоминающих МДП-транзисторов в ячейках строки равно нулю (во все ячейки строки записан лог. 0 ) .

Подачей положительных сигналов на разрядную шину производится запись лог. 1 в запоминающий элемент.

Запоминание постоянной информации осуществляется путем облучения элемента, в котором сохраняется оперативная информация, в распределенном поле ионизирующего излучения.

В процессе облучения оперативная информация фиксируется, После окончания облучения и отключения питания информация сохраняется в виде встроенных каналов в запоминающих МДП-транзисторах ячеек, в которых была записана лог. 1 .

Стирание постоянной информации осуществляется путем повторного облучения без подачи питания. После того. как постоянная информация стерта, в запоминающее устройство может быт ь з апи с ан а н ов ая ин форм аци я .

Экономический эффект изобретения состоит в повышении надежности программирования и технологичности, а также в уменьшении размеров запоминающей ячейки .

Долговременный запоминающий элемент, содержащий запоминающий и уп10 равляющий транзисторы, разрядную и числовую шины, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью упрощения элемента, в него введен диод, анод которого подключен к числовой шине, а катод соединен с истоками управляющего и запоминающего транзисторов, сток управляющего транзистора соединен с затвором запоминающего тран° зистора, сток которого соединен с затвором управляющего транзистора и подключен к разрядной шине.

Источники информации, прин ятые во внимание при экспертизе

1. Заявка Японии Р 44-44586, кл. 97 (7) G 13, 1973.

- 2. Заявка Великобритании

9 1310471, кл. G 4 С, 1973.

3. Заявка Великобритании

Р 1390034, кл, Н 3 T 1975.

4, Заявка Франции 9 2252627, кл. G 11 С 11/40, 1975,