Ячейка памяти

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сова Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 14.04.75 (21) 2124394/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 15.07.77. Бюллетень № 26

Дата опубликования описания 01.08.77 (51) М Кл G 11С 17/00

Государственный комите

Совета Министров СССР ао делам изобретений и открытий (53) УДК 681.327.6 (088.8) (72) Авторы изобретения

А. С. Свердлов и Б. М. Соскин (71) Заявитель (54) ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике, в частности, к постоянным запоминающим устройствам.

Известны электрически, программируемые постоянные запоминающие устройства (ПЗУ ЭП), например, биполярные ПЗУ ЭП, программирование которых производится путем выжигания алюминиевых или нихромовых связей, переходов эмиттер — база транзисторов, шунтирования или пробоя диодного перехода (1). Эти устройства характеризуются необратимостью изменений, что делает невозможным перезапись информации, электрической перезаписи. Транзистор с плавающим затвором (ТПЗ) имеет возможность многократной электрической перезаписи, многократного программировапия, полной дешифрации адреса на одном кристалле с накопителем, использования стандартной технологии. Наиболее близкой к изобретению по технической сущности является ячейка памяти, содержащая последовательно соединенные управляющий

МДП-транзистор и запоминающий транзистор с плавающим затвором (2). При необходимости записать «О» управляющий транзистор не открывается, исток ТПЗ с землей устройства не соединен, и на нем появляется отрицательное (для р-канального прибора) напряжение.

То же напряжение возникает и на поверхности кремния в области канала. Все это приводит к появлению отрицательного напряжения на затворе ТПЗ, что вызывает соответствующее увеличение пробивного напряжения р-и перехода стока. Если напряжение на сто5 ке U, меньше этого пробивного напряжения, то инжекция электронов не происходит (запись «О»). Таким образом, в зависимости от состояния управляющего транзистора происходит запись «О» или «1». Однако при опре10 деленных параметрах ТПЗ возникающее на затворе напряжение может быть недостаточным для необходимого увеличения пробивного напряжения. В этом случае У, ТПЗ следует ограничивать, чтобы не произошло ложной

)5 записи, но при этом в режиме записи «1» ослабляется процесс инжекции, что уменьшает величину заряда на затворе ТПЗ. Таким образом, имеющее место в известной ячейке ограничение величины записывающего напряжения

20 отрицательно сказывается на надежности ячейки.

Целью изобретения является повышение надежности за счет увеличения допустимого напряжения записи, В описываемой ячейке это

25 достигается тем, что в ней между затвором и стоком запоминающего транзистора с плава. юшим затвором включен конденсатор.

На чертеже показана описываемая ячейка.

Оиа содержит запоминающий транзистор 1

30 с плавающим затвором, последовательно сое565327

U, = (U, )-ӄ) ——

Сзс

Формула изобретения

Составитель И. Малкис

Текред 3. Тараненко

Редактор Л. Тюрина

Корректор А. Степанова

Заказ 1654/18 Изд. № 609 Тираж 738 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 3(-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр, Сапунова, 2 диненный с управляющим МДП-транзистором

2. Между затвором и стоком запоминающего транзистора 1 с плавающим затвором включен конденсатор 3.

Пробивное напряжение стока транзистора 1

Упр. = Упр. + Uq где Упр, — величина пробивного напряжения при напряжении на затворе, равном нулю; U> — напряжение на затворе.

Напряжение на затворе U3, индуцируемое напряжением на стоке U, при запертом управляющем транзисторе, может быть записано в виде где К вЂ” постоянная для данного транзистора величина, определяемая соотношением емкостей затвор — исток, затвор — подложка, затвор — сток; U> — пороговое напряжение транзистора; С, — емкость между затвором ТПЗ и его стоком.

Таким образом, величина индуцированного напряжения U> может быть повышена путем увеличения емкости Сз, Очевидно, что при определенной величине Сзс можно достигать соотношения У„„) У„т. е. ни,при каком напряжении U„(в известных, довольно широких пределах) пробой стокового р-и перехода не происходит.

Таким образом, включение конденсатора 3 увеличивает допустимое значение U<.

1(онструктпвпо конденсатор может быть выполнен в виде, например, межэлектродной емкости.

Изобретение было проверено на ТПЗ с ши риной затвора 10 мкм и с длиной 7 м и 15 мкм.

Было найдено, что увеличение относительной величины емкости сток †затв только в два раза увеличивает допустимое значение U< на

10 В. Напряжение на затворе ТПЗ, возникающее вследствие инжекции электронов в режиме записи, приблизительно равно разности записывающего напряжения на стоке U< и пробивного напряжения Упр, .

Таким образом, увеличение допустимого стокового напряжения U< на 10 В позволяет повысить на 10 В напряжение на затворе ТПЗ после записи. Это приводит к увеличению времени открытого состояния ТПЗ, т. е. увеличивает длительность хранения информации.

20 Ячейка памяти, содержащая последовательно соединенные управляющий МДП-транзистор и запоминающий транзистор с плавающим затвором, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности ячейки, в ней

25 между затвором и стоком запоминающего транзистора с плавающим затвором включен конденсатор.

Источники информации, принятые во вни30 мание при экспертизе

1. Патент США № 3723б95, G 11C 17/00, 1970.

2. Патент США № 3500142, G 11С 11/40, 1970.