Ячейка аналоговой памяти

 

О П И C- А- Н И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву Р 462216 (22) Заявлено 070678(21) 262е3619/18-24 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет—

Опубликовано 15.11.79,Бюллетень Ио 42

Дата опубликования описания 1 .11.79 (51)М. Кл, G 1 l С 27/00

Государственный комитет

СССР по дедам изобретений и открытий (53) УДК 681„337 (088. 8) (72) Автор изобретения

В.В.Шевчук (71) Заявитель (54) ЯчеЙкА АКАДОГОВой пАмяти

Изобретение относится к электроизмерительной технике, в частности к измерению напряжения.

По основному авт.св. 9462216 известна ячейка аналоговой памяти, предназначенная для выборки и хранения мгновенного значения напряжения.

Эта ячейка состоит из соединенных вместе одним выводом запоминающего конденсатора и двух ключей, управляю-, щие выводы которых подключены к противофаэным источникам управляющего напряжения.

Первый ключ предназначен для выборки мгновенного значения напряжений, второй — для компенсации влияния на результаты выборок паразитной емкостной связи управляющего вывода первого ключа с запоминающей емкостью. однако из-за того, что второй ключ работает в несколько других условиях, чем первый (второй вывод ключа — свободный), происходит перекомпенсация. Это объясняется тем, что каждый ключ между управляющим выводом и двумя другими выводами имеет пару паразитных емкостных связей, и, если для первого ключа вторая такая емкостная связь шунтируется выходным сопротивлением источника аигнала, то для второго — такого шунтирования нет. Для ячейки аналоговой памяти, выполненной с использованием

МоП-транзисторов типа К 1 682, на запоминающем конденсаторе емкостью

1000 пф напряжение перекомпенсацик составляет величину порядка 40 50 мВ, что не позволяет использовать их в прецизионных устройствах аналоговой памяти.

Целью иза5ретения является повьтнение точности за счет устранения напряжения перекомпенсации.

Это достигается тем, что в предлагаемую ячейку аналоговой памяти введен компенсирующий конденсатор, одна обкладка которого соединена с затвором МоП-транзистора, а другая обобкладка — с истоком дополнительного

MvtI-транзистора.

Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором предстаглена электрическая схема ячейки аналоговой памяти. она состоит из конденсатора 1, ключа, выполненного на МиП-транзисторе 2, дополнительного ключа, выполи.н— ного на МоП-транзисторе 3, компенгн— рующего конденсатора 4.

698055!

Формула и з обре те ни я

Оупр

Vynp

Составитель A.Âîðoíèí

Техред О. Андрейко Корректор Ю. Макаренко е

Редактор И. Каменская

Заказ 6935/36 Тираж 681 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Филиал ППП Патент, г, Ужгород, ул. Проектная, 4

Устройство работает следующим образом.

При переходе устройства от режима выборки в режим хранения согласно управляющим сигналам П„„ и 6„„, первый ключ, выполненный на МоП-транзисторе 2 .размыкается, второй ключ на

МоП-транзисторе 3 — замыкается и управляюший сигнал Uypp добавляет в конденсатор 1 излишний заряд. Перекомп нсация устраняется введением в конденсатор 1 заряда противоположного знака от управляюшего сигнала U»p через компенсирующий конденсатор 4.

Введение конденсатора 4 емкостью порядка 2-4 пф в ячейку, выполненную на аналогичных элементах, позволяет уменьшить погрешность выборки до величины порядка 2-. 3 мВ, т.е. приблизительно в 20 раз. Использование паразитных емкостей аналогичных ключей в качестве компенсирующего конденсатора 4, позволяет довести зту величину до О, 5-;1 мВ, обеспечив, кроме того, при этом и компенсацию температурных изменений соотношения используемых паразитных емкостных связей. Все это позволяет обеспечить высокую точность работы устройства за счет уменьшения укаэанных погрешностей выборки величины интересуюшего напряжения, более чем в 50 раз.

Ячейка аналоговой памяти по авт. св. 9462216, о т л и ч а ю ш а я с я тем, что, с целью повышения точности ячейки эа счет устранения напряжения перекомпенсации, в нее введен компенсируюший конденсатор, одна обкладка которого подключена к затвору МоП-транзистора, а другая обкладка — к истоку дополнительного МоПтранзистора.