Способ определения параметров электронов в приповерхностных слоях вырожденных полупроводников

 

Способ определения параметров электронов в приповерхностных слоях вырожденных полупроводников, включающий освещение исследуемого образца и эталона - невырожденного полупроводника - монохроматическим поляризованным светом, измерение эллипсометрических параметров образца ψ_л и эьалона ψ_o на крае полосы собственного поглощения, определение длины волны света λ_m, соответствующей минимальному значению эллипсометрического параметра ψ_л образца, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности и расширения пределов измерения параметров электронов, параметры ψ_л и ψ_o измеряют при изменении длины волны света и находят длину волны λ₁, меньшую λ_m, но наибольшую из удовлетворяющих условию равенства параметров ψ_л и ψ_o, затем измеряют параметры при других углах падения на двух или более длинах волн Λ_j в интервале λ₁< Λ_j< λ_m, находят минимальные значения параметров ψ_л и ψ_o, расчетным путем определяют эффективную массу и концентрацию электронов.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что параметр ψ_л измеряют на длине волны Λ в интервале λ_o≅ Λ ≅ λ_m, где λ_o - красная граница полосы собственного поглощения эталона, при угле падения, равном углу наибольшей поляризации, и по известным значениям концентрации и эффективной массы электронов расчетным путем определяют их подвижность.