Запоминающий модуль

 

п@тентно-те

"ничесна„,блнетеиа f

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. сеид-ву (5I)M. Кл. (22)Заявлено 03.1 2.76 (21) 242551 3/18-24 с присоединением заявки М

G 11 С 11/14

Геаударотввнный комнтет

СССР. до делам нзооретеннй н открытий (23) Приоритет

Опубликовано 05.06.80. Бюллетень Фе 21 (53) УДК628 327.6 (088.8) Дата опубликования описания 07.06.80 (72) Автор изобретения

Э. И. Герм

Институт кибернетики АН Эстонской ССР (7I) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮШИЙ МОДУЛЬ

Йзобретение относится к вычислительной технике, в частности к конструкции матриц памяти на цилиндрических тонких магнитных пленках и может быть использовано s запоминаЮщих устройствах вы-. числительных машин.

Известны матрицы (матричные накопители) запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках с плоскими соленоидальными адресными обмотками. В известных конструкциях матриц разрядные проводники с магнитным покрытием раополаГаются йараллельно друг другу в одной плоскости (или в нескольких плоокостях, но удаленных друг от друга настолько, что магнитная связь между магнитными пленками в разных плоскостях практически отсутствует). В этом случае магнитный поток, создаваемый в пленках током адресной обмотки, замыкается вне пленки или через воздух, или через специ ально устанавливаемый магнитный кипер.

Во всех упомянутых конструкциях дли .на пути, создаваемого адресной обмоткой

2 магнитногопотока вне пленки больше, чем в пленке. Кроме того, применяемый для улучшения характеристик матриц магнит» ный кипер имеет сложную конструкцию $1) .

Наиболее близким техническим решением к изобретению является матрица, (матричный накопитель) т содержащая цилиндрические магнитные пленки, расположенные параллельно в одной плоскости, соленоидальные адресные обмотки, охватывающие груп о пу цилиндрических магнитных пленок, и экраны, выполненные в виде короткозамкнутых витков провода, охватывающих цилиндрические пленки (21.!

Недостаткомданной конструкции являет ся то, что магнитный поток, создаваемый в пленках адресной обмоткой, замыкается через воздух по пути, длина которого пре20 вышает длину пути в пленке. Ток адресной обмотки должен создать магнитодвижущую силу, преодолевающую магнитные сопротивления как пленки, так и пути замыкания магнитного потока через воздух.

3 7396

Мелью изобретения является уменьшение необходимых ампервитков тока адресной обмотки эа счет уменьшения магнит» ного сопротивления пути замыкания магнит ного потока адресной обмотки и увеличение плотности размещения запоминающих элементов вдоль разрядных проводников

Поставленная цель достигается тем, что в запоминающем модуле, содержащем параллельно расположенные матричные 10 накопители, состоящие из разрядных проводйиков с магнитным покрытием и адреоных обмоток, охватывавших разрядные проводники, адресные обмотки разрядных про- водников сме кных по вертикали матричных накопителей соединены согласно, а разрядные проводники расположены на расстоянии, не превышающем двух сечений адресной обмотки.

При такой конструкции магнитный поток 20 запоминающих элементов верхней группы пленок замыкается с магнитным потоком нижней группы пленок через малые воздушные зазоры с обеих сторон адресной обмот ки, а магнитодвижушая сила создается одновременно витками обеих половин адреоной обмотки. При атом длина пути магнит ного потока по воздуху существенно меньше длины пути в пленКе, что значительно уменьшает магнитное сопротивление З0 и позволяет уменьшить ампер-витки адрео- .,ного тока. Кроме того, эамыкааие магнит» ного потока между пленками верхней и нижней групп уменьшает проникновение магнитного потока в зону соседних адресных об- 55 моток и позволяет уменьшить шаг разме« щения адресных обмоток, Для дальнейшего уменьшения адресно, го тока и увеличения плотности размещения запоминающих элементов между груп40 пами разрядных проводников в промежутках между адресными обмотками, соседними вдоль разрядных проводников, может быть установлен магнитный кипер простой конструкции в виде стержней иэ магнит45 ного материала. Это позволяет дополнитель. но уменьшить длину пути магнитного потока по воздуху и дополнительно локализовать поле адресной обмотки.

На чэртеже показан разрез части мо- дуля вдоль разрядного проводника с ма1 нитным покрытием, включающий две адресные обмотки, Модуль содержит верхнюю 1 и нижнюю

2 группы цилиндрических магнитных пле55 нок, являющихся разрядными проводниками, Обе группы содержат одинаковое количест» во цилиндрических магнитных пленок. Плен48 4 ки каждой группы расположены в одной плоскости параллельно одна другой с некоторым интервалом. Модуль имеет адресные обмотки, каждая из которых состоит иэ верхней 3 и нижней 4 половин. При подаче тока в одну иэ адресных обмоток возбуждаются обе ее половины 3 и 4. При этом в участках пленок, находящихся в зоне данной обмотки, возникает магнитный поток, йаправленный в группах 1 и 2 в противоположные стороны. Магнитный поток эамыкаетс. я вблизи от краев адресной обмотки через воздушные зазоры между группами 1 и 2 разрядных проводников. Путь замыкания магнитного потока показан на чертеже стрелками, Для уменьшения воздушных зазоров расстояние между группами 1 и 2 должно быть как можно меньшим.

3то расстояние в основном определяется диаметром провода адресной обмотки.

Между группами 1 и 2 разрядных проводников в промежутках между соседними адресными обмотками может быть установлен магнитный кипер, например пермаллоевая проволока круглого или прямоугольного сечения, или проволока с магнитным покрытием.

Техническая эффективность предлагаемого модуля заключается в увеличении плотности размещения запоминающих элементов в матрице и уменьшении ее габаритов, упрощении адресных формирователей и повышении акономичности запоминающего уст» ройства. формула изобретения

Запоминающий модуль, содержащий параллельно расположенные матричные накопи» тели, состоящие иэ разрядных проводников с магнитным покрытием и адресных обмоток, охватывающих разрядные проводники, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности модуля за счет уменьшения адресных токов, в нем адресные обмотки разрядных проводников смежных по, вертикали матричных накопителей соединены согласно,.а разрядные проводники расположены на расстоянии, не превышающем двух сечений адресной обмотки, Источники информации, принятые,во внимание при экспертизе

1. Григорян II. А. Запоминающие уст ройства на цилиндрических магнитных пленках. М., 1975, с, 99-104.. .2. Авторское свидетельство СССР

М 353278, кл. Q 11 С 11/14, 1972 (прототип).

"Ь ."

739648

Составитель А. Амусьева

Техред Ж. Кастелевич . Корректор С. Шомай

Редактор А. Ахмедова

Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Заказ 2950/47 Тираж 662 Полисное

UHHHIIH Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/8

Запоминающий модуль Запоминающий модуль Запоминающий модуль 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх