Л, С. Ломов, В, И. Новиков, E. П. Паринов, Г. В. Скобелин, В. Ф. Черкас, Г. К. Чиркин и А, И. Юдичев (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) КАНАЛ ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в интегральных схемах на цилиндрических магнитных доменах (ИС UNlI) для устройств памяти.

Известны каналы для продвижения IIMLI, содержащие расположенные периодйчески у поверхности доменосодержащего материала пленочные аппликации иэ магнитомягкого материала различной конфигурации 111.

1О

Такие каналы функционируют эа счет перемагничивания аппликаций переменным магнитным полем в плоскости аппликаций, создающим перемежающуюся систему притягивающих магнитные домены полюсов.

Магнитопленочные аппликации в известной структуре продвижения располагаются нериодически с зазором порядка половины диаметра БМД. Увеличение зазора ведет к существенному сужению области устойчивой работы структуры по магнитному полю смещения, а при зазорах порядка диаметра LINlI такие структуры перестают функционировать.

Один иэ известных каналов для продви жения ЦМД состоит из примыкающих друг к другу имплантированных дисковых областей магнитоодноосного материала. Такие каналы также функционируют в переменном магнитном поле в плоскости материала.

Размер области превышает размер (диаметр) -ЦМД в 4-5 раз, а сами области могут частично перекрывать друг друга или располагаться с зазором до одного

gHBMeTpB IlNlii Однако на такой структуре не удается получить все необходимые для .работы ИС 1lNl1 виды воздействия на магнитный домен. Такие структуры не позволяют растягивать ЫМД по одному иэ направлений, что сильно затрудняет регист рацию 134lI.

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является канал для продвижения IlNlI, который содержит магнитоодноосную пленку с ПМД, на поверхности которой расположены основные ферромагнитные аппликации разделенные немагнитными зазорами 2).

07 4 мен находится в области 5 у притягивающего полюса (фиг. 2a). При изменении положения вектора Й притягивающие полюса + и отталкивающие «-» пер распределяются на аппликациях 2 и 3.

При переходе вектора Й> в положение, показанное на фиг. 26, притягивающие

+ полюса смещаются на край аппликации и область 5, в которой локализован магнитный домен, перемещается вслед эа перемещением полюса + . При этом притягивающий полюс, расположенный на аппликации 3, облегчает переход области 5 в новое положение, однако ия .за удаленности апппикации 3 не вызывает перехода области 5 на аппликацию 3, область 5 может расположиться на обоих аппликациях

2 и 3. При последующем повороте векта ра Й в положение, показанное на фиг.2в, на аппликации 3 создается отталкивающий полюс,а на соседствующих сторонах амппикаций 2-притягивающий; область 5 вэтом . случае располагается на соседствующих концах аппликаций 2,причем оттапкивающий пьпюс аппликации 3 способствует "отжима.нию области 5 к следующей аппликации 3.

При последующем повороте вектора Й

У (фиг. 2г) возникшие на аппликациях 2 и 3 отталкивающие полюса сталкивают" область 5 на оставшийся притягивающий полюс соседней .аппликации 2.

3 74 85

11едостатком известного канала для продвижения ЦМД является то, что величина зазора не может превышать величины порядка диаметра LINQ, так как в противном случае могут не обеспечиться условия одновременного притягивания UMQ обоим соседним аппликациям.

11ель изобретения - повышение надежности известного канала для продвижения

LIMД.

Г1оставленная йель достигается тем, что канал содержит дополнительные ферромагнитные аппликации вытянутой, например, прямоугольной формы, -расположенные у соответствующих концов основных ферромагнитных аппликаций и магнитосвя эанные с ними, причем угол наклона дополнительных ферромагнитных аппцикаций к оси канала для продвижения UMQ coo тавляет С -90 . зо

На фиг. 1 показан канал для продвиже ния UMQ на полудисковых аппликациях с дополнительной однообразной аппликацией.

1 на фиг. 2 - канал для продвижения UMQ на шевронных аппликациях с однообразной аппликацией.

Предложенный канап для продвижения

UMQ содержит магнитоодноосную пленку с IIMQ 1, на поверхности которой расположены основные 2 и дополнительные 3 ферромагнитные аппликации. Аппликации 2 имеют попудисковую конфигурацию, а аппликации 3 прямоугольную. В ппоскости аппликаций создается вращающееся магнитное поле Й,1, Аппликации 2 канала дпя продвижения ЦМД расположены друг за другом и составляют трек 4 доменопродвижения. На фиг. 1 трек показан тонкой линией со стрелками, показывающими .:направление движения доменов, Допопнител 40 ные аппликации 3 развернуты под углом к,оси канала для продвижения UMQ и расположены одной своей стороной вблизи той стороны аппликации 2, с которой при вращении магнитнм попя йу пр: одит пе- 45 реход магнитного домена на соседнюю аппликацию.

Возникающий перед переходом и в момент перехода области 5 с .аппликации на апппикацию отталкивающий полюс на дополнитепьной аппликации 3 способствует преодолению зазора между аппликациями

2, так как íà IIMQ действует не только сила притягивающего полюса, но и сила от двух отталкивающих полюсов. Это позволяет делать зазор между аппликациями больший, чем в структурах без дополнительных отталкивающих полюсов, ипи при равной величине зазоров повысить надежность канала дпя продвижения UMQ.

Формупа изобретения

Канал для продвижения UMB функционирует следующим образом.

Я)

Магнитное поле А> в ппоскости намагничивает аппликации 2 и 3, создавая на них притягивающие, отмеченные знаком»+» на фиг. 2, полюса и отталкивающие UMQ

55 полюса, отмеченные на фиг. 2 знаком «-".

Магнитные домены могут быть локализованы у одного иэ притягивающих полюсов»

Пусть для определенности магнитный доКанал дпя продвижения цилиндрических магнитных доменов, содержащий магнитоодноосиую пленку с ципиндрическими магнитными доменами, на поверхности которой расположены основные:ферромагнитные аппликации, разделенные немагнитными зазорами, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности канала продвижения ципиндрических магнитных

5 748507 6 доменов, он содержит дополнительные ческих магнитных доменов составляет ферромагнитные аппликации вытянутой, 0-90о. например, прямоугольной формы, распопо- Источники информации, женные у соответствукицих концов основных принятые во внимание при экспертизе ферромагнитных аппликаций и магнитосвя- g 1. Патент США М 3534347 занные с ними, причем угол наклона до- кл. 340-174, 1970. полнитепьных ферромагнитных аппликаций 2. Патент США % 4014009, к оси канала для продвижения цилиндр кл. 340-174, 22.03.77 (прототип), 74 8507

1 с

Ф4 8.8

0НИИПИ Заказ 4372/14 Тираж 662 Подписное

Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проек тая, 4

Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов

Способ управления продвижением цилиндрических магнитных доменов // 746723

Устройство для считывания цилиндрических магнитных доменов // 744723

Канал продвижения цилиндрических магнитных доменов // 743033

Канал распространения цилиндрических магнитных доменов // 741318

Накопитель для ферроакустического запоминающего устройства // 741317

Магнитный запоминающий элемент // 739649

Запоминающий модуль // 739648

Способ считывания цилиндрических магнитных доменов с домено- содержащего магнитного носителя // 739647

Накопитель для ферроакустического запоминающего устройства // 737989

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)