Датчик для считывания цилиндрических магнитных доменов

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

< 763964

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. сеид-еу (22) Заявлено 130778 (21) 2646866/18-24 с присоединением заявки N>— (23) Приоритет

Опубликовано 150980. Бюллетень 1 1о 34

Дата опубликования описания 1509.80 (51)М. Кл.

G 11 С 7/00

G 11 С 11/14

Государственный комитет

СССР по делам изобретений н открытий (53) УДК 6 81, 327. 66 (088. 8) (72) Авторы изобретения

T.Ô. Мартынен ко, М. И. Гришечкин, М. И. Королева, К. С.Шифрин-Крыжаловская и Ю.Й, Игнатенко (71) Заявитель (5 4 ) ДАТЧИК ДЛЯ СЧИТЫВАНИ Я ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ

Изобретение относится к вычислительной технике и предназначено для применения в устройствах хранения и обработки информации, в частности в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) .

Известен датчик для считывания

ЦМД, содержащий магнитоодноосную пленку, на поверхности которой расположены магнитореэисторы. Толщина магниторезистора в эroM датчике

0,2-0,5 мкм (1).

Недостатком является малое изменение сопротивления датчика от внешного поля рассеяния ЦМД, определяемое наличием больших нескомпенсированных размагничивающих полей в магнитном слое такой толщины. .20

Н аи более, бли з ки м те хиичес ким решением к данному изобретению является датчик для считывания ЦМД, который содержит магнитоодноосную плен-25 ку, магниторезисторы, расположенные на поверхности магнитоодноосной пленки друг над другом, и разделительные слои, расположенные между магниторезисторами (2) .

Недостатком этого датчика является его относительная сложность и низкий уровень выходного сигнала..

Цель изобретения — повышение уровня выходного сигнала датчика для считывания ЦМД, Поставленная цель достигается тем, что в датчике разделительные слои выполнены из немагнитного металла.

На чертеже схематически изображен предложенный датчик для считывания

Ц1"1Ц °

Датчик для считывания ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на поверхности которой расположен диэлектрический слой 2, и магниторезисторы 3 и 4, между которыми расположен разцелительный слой 5 из немагнитного металла. Толщина магнитореэисторов

О, 15-0,2 мкм. Толщина разделительного слоя 5 должна быть достаточной для того, чтобы исключить обменное взаимодействие между магниторезисторами 3 и 4.

При условии исключения обменного взаимодействия, взаимное расположение векторов 6 намагниченности в отдельных участках магниторезисторов

3 и 4, определяемое магнитостатичес763964

Составитель Ю.Розенталь

Редактор С.Патрушева Техред И.Асталош Корректор Е.Папп

Заказ 6605/16 Тираж 662 Подписное

ВНИИПИ Росударственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП Патент, r.Óæãîðîä, ул.Проектная, 4 ким взаимодействием, будет встреч; ное.

В этбм случае нескомпенсированное, поле, препятствующее повороту вектора намагниченности в магниторезисторах 3 и 4, уменьшится по сравнению со случаем однослойного датчика и для каждого магнитореэистора равно разности собственного раэмагничивающего поля слоя и внешнего поля рассеянйя другого магниторезистора.

Вследствие этого, под действием поля

° рассеяния ЦМД увеличится угол поворота вектора намагниченности магнитореэисторов и величина изменения со.противления датчика в целом, что s свою очередь приводит g увеличению уровня выходного сигнала при считывании информации.

Формула изобретения

Датчик для считывания цилиндрических магнитных доменов, содержащий магнитоодноссную пленку, магниторезисторы, расположенные на по5 верхности магнитоодноосной пленки друг над другом, и разделительные слои, расположенные между магниторезисторами, отличающийся тем, что, с целью повышения уровня выходного сигнала датчика, разделительные слои выполнены иэ немагнитного металла.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патеит США М 4019177, кл. 340-174, 1977.

2, Авторское свидетельство СССР

9 485500,,кл. G 11 С 7/00, 1972 (прототип),