Шихта для изготовления высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

<»>785269

Союз Советскик

Социалистическнх

Республик (6> ) Дополнительное к нвт. свил-ву(22) Заявлено 30.01.78 (21) 2574564/29-33 (5т)М. Кл.

С 04 В 35/00

С 04 B 35/46 с присоедимеиием заявки .%—

Гасударствеиный катаитет

СССР (23) Приоритет

Опубликовано 07.12.80 Б>оллетеиь Ме 45

Дата опублчковвния описания 10.12.80 по девам изебретеиии и открытий (53) УД К666.655 (088.8) (72) Авторы изобретения

Б А. Ротенберг и E. А. Ненашева (71) Заявитель

Ф ЫАI (54) ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТСВЛЕНИЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ

ТЕРМОКОМПЕНСИРУ10ЩИХ KOHQEHCATOPOB -„.>.,у;,, » . "- ...!; ::Я

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано в производстве высокочастотных керамическх материалов по группе TKE

М750 с повышенной удельной емкостью.

В настоящее время для изготовления

3 различных типов высокочастотных конденсаторов термокомпенсирующих групп по

TKE как низкого, так и высокого напряжений широко применяют керамические материалы на основе тверцых растворов

) а А О - СаТ О ).1).

Известна шихта для изготовления высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов (2), содержащая, вес.%:

ВаО 19,0 19,2

Иао 16, 6-37,5

Т О 39,5-39,7 ь а О 4,0-24> 5

Однако из этого материала невозможно получить диэлектрический материал для высокочастотных конденсаторов с повышенным значением диэлектрической про- ницаемости и малыми потерями.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является керамический материал для изготовления термокомпенсирующих высокочастотных конденсаторов ).3, содержащий мол.%:

ВаTjO

77

).а О 2 Т > О> 5 с4Т О, 18

Этот материал имеет при высоком значении диэлектрической проницаемости очень большой по абсолютной величине температурный коэффициент циэлектрической проницаемости и высотсие диэлектрические потери.

Цель изобретения » снижение диэлектрических потерь и обеспечение температурного коэффициента диэлектрической проницаемости в интервале (650-820) ° 10 град.

Поставленная. цель достигается тем, > что шихта для изготовления высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов, содержащая 8т-Ъ О, ВаСО, >1 О>, 3 7852

Еа1 01, содержит компоненты в следующем соотношении, вес.%: б 11 ОЬ 1-10,0

$pgy (в пересчете 11,4-18,5

Т1 () на Дц© 36,7-39,6 с1,O

40,9-41,9

В результате высокотемпературного синтеза предлагаемая смесь приобретает свойства высокочастотного конденсаторно-

t.o керамического материала. 10

Материал получают слецующим образом.

Отвешивают предварительно прокаленную при 1100-1200©С окись лантана, углекислый барий из расчета 10-189о ВаО, двуокись титана, титанат стронция и по- 1 мещают их в агатовую струпку; rqe вмес те с цистиллированной, водой производят смешивание в течение 2 ч. После этого смесь высушивают. и изготовляют образны согласно ГОСТ 5458-75. Материалы керамические рациотехнические", после чего измеряют их электрические

Табл

М О

ВаСОЗ

20 Т1 О („а О

1,0

9,5 4,6

18,5 11,8 15,6

39,6 36,9 38,5

40,9 41,8 41,3

120-122 123-125 . «26»129 100-1400.диэлектрическая проницаемость

2-3

Температурный ко.эффициент циэлектрической проницаемости ТКЕ

10 град (786 820) -(650-736) -(724 785) -(100-7000) 1аО, отличающаяся тем что, с целью снижения диэЛектрических потерь и обеспечения температурного

50 коэффициента циэлектрической прони емости в интервале (650-820) ° 10 рад, она содержит компоненты при слецующем соотношении, вес.%

1,0-10,0

31-Т.1О

ВаСО (в пересчете на BaO)

Т О

1.а О

1 1,4-18,5

36,7-39,6

40,9-41,9

Тангенс угла диэлектрических потерь 2-3

Использование предлагаемого материала приводит к увеличению удельной емкости высокочастотных конденсаторов при малых значениях диэлектрических потерь и тем самым к экономии црагоценных металлов (например, серебра). формула изобретения

Шихта для изготовления высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов, вкцючающая SrT Og„BaCO Т1 Ор и

69 ф характеристики. Причем из полученного высокочастотного керамического материала можно оформлять заготовки конденсаторов любым методом, принятым в керамической технологии.

Конкретные составы шихты полученного матэриала в сравнении с прототипом приведены в табл. 1, а их свойства в табл. 2.

785269 d

2. Авторское свидетельство СССР изе ¹628133,,кл. С 04 B 35/00, 1977.

Источники информации, принятие во внимание при эксперт

1. Будников П. П. и др. Химическая технология керамики и огнеупоров. M., изд-во, лиретаруты по строительству, 1972, с. 335.

3. Патент США ¹ 3440067, кл. 106-39, 1969.

Составитель В. Соколова

Редактор Т. Зубкова Техред М. Коштура Корректор Е, Папп аказ 8751/23 Тираж 671 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4