Шихта для изготовления сегнетокерамического материала

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (1 t t 654580 ба(аа Советских

Соииелнстических

Ресоублик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 21.07.77 (21) 2508962/29-33 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.03.79. Бюллетень ¹ 12 (45) Дата опубликования описания 30.03.79 (51) М. Кл."С 04В 35/00

Государственный комитат (53) УДК, 666.655 (088.8) ла делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

Л. В. Кускова, Э. И. Продавцова и М. П. Иванова (71) Заявитель (54) ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА

Состав

Показатели

12100

13500 11800

Диэлектрическая проницаемость при 20-С и частоте

1 кГц, я -0

Тангенс угла диэлектрических потерь tg o при частоте

1 кГц и температуре 20 С

Температура Кюри, С

0,0036

0,0049 0,0040

20

Изобретение относится к электронной технике, а именно к керамическим материалам, и может быть использовано в производстве радиотехнических изделий.

Высокая диэлектрическая проницаемость и минимальные диэлектрические потери— одни из основных требований, предъявляемых к диэлектрикам, предназначенным для конденсатора. В частности, сегнетокерамичсские материалы на основе титаната ба- 10 рия (ВаТ10з), обладающие диэлектрической проницаемостью (в/ео) порядка 1000—

14000, что позволяет получать из них низкочастотные конденсаторы с высокой удельной емкостью, имеют большие ди- 15 электрические потери tg5=(50 — 200) 10 — 4 (1)

Наиболее близким к изобретению техническим решением является сегнетокерамический материал Т-10000 (2). 20

Однако такой керамический материал имеет повышенные диэлектрические потери (70 — 100) .10 — 4 на частоте 1 кГц.

Цель изобретения — снижение диэлектрических потерь в керамике. 25

Поставленная цель достигается тем, что шихта для изготовления сегнетокерамического материала на основе титаната бария, включающая BaTiO>, CaSnO>, MnCOS u глину, дополнительно содержит 1,1ЬоОв при 30 следующем соотношении компонентов, вес. %:

Ва Ti03 87,75 — 88,95

CaSnO3 10,15 — 11,35

МпСОз 0,05 — 0,15

Глина 0,2 — 0,4

ЯЬ,О, 0,4 — 0,6

В качестве исходных компонентов используют спеки ВаТ10з, обожженного при

1200 — 1250 С, и CaSn03, обожженного при

1340 †13 С.

Керамический материал изготавливают по обычной керамической технологии— смешением компонентов, оформлением заготовок нужного вида и спеканием их при

1350 †14 С.

Влияние составов шихты на свойства керамики, обожженной прп 1390 С в течение

2 ч, показано в таблице.

654580

Формула изобретения

Составитель Н. Фельдман

Редактор T. Кузьмина Техред Н. Строганова Корректор Л. Брахнина

Заказ 312/5 Изд. Re 231 Тираж 705 Подписное

НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Для испытаний брали три состава предлагаемой шихты.

Состав 1, вес. /о. BaTi03 88,95; CaSn03

10,15; МпСОз 0,08; глина 0,32 и Nb Os 0,5.

Состав 2, вес. /о. Ват10з 88,00; СаЯп03

11,00; МпСОз 0,12; глина 0,28 и Nb Os 0,6.

Состав 3, вес. /о. BaTi03 83,3; CaSn03

10,9; МпСОз 0,1; глина 0,3 и NbqOq 0,4.

Шихта для изготовления сегнетокерамического материала на основе титаната бария, включающая BaTi03, CaSn03, МпСО3 и глину, отличающаяся тем, что, с целью снижения диэлектрических потерь в керамике, она дополнительно содержит

Nb Op при следующем соотношении компонентов, вес. о/о.

5 BaTiO

CaSnO3

МпСО

Глина

Nb2O5

Источники информации принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США Мв 3359133, кл. 117 — 227, опублик, 1968.

15 2. ГОСТ 5458-75.